ナイトライド・セミコンダクター株式会社

＜技術 PR レポート＞
１．企業概要
代表者名
村本宜彦
近藤和彦
http://www.nitride.co.jp/
会社名
ナイトライド・セミコンダクター株式会社
事業内容
U R L
UV-LED の開発・製造・販売
紫外線発光ダイオード（UV-LED）チップ、UV-LED ランプ等
徳島県鳴門市瀬戸町明野神字板屋島 115 番地の 7
E-mail
088-683-7750 / 088-683-7751
[email protected]
売上（百万円）非公開
従業員数
100 設立年月日 2000 年 4 月
主要製品
住
所
電話／FAX 番号
資本金（百万円）
２．技術の特徴・優位性
窓口担当
【技術大分類】材料等製造装置
【技術名】 UV-LED の製造
『世界で初めて紫外線ＬＥＤの高効率化と量産に成功！』
 UV の発光効率を良くする結晶成長技術
 紫外線発光ダイオード（UV-LED）は、有機金属気相成長法（MOCVD）を使用してサファイヤ基板上に
LED 構造のエピタキシャル層を成長させている。
 発光波長 380nm 以下で急激に効率が低下する原因は、InGaN 層の組成不均一が減少して転位の影
響を受け始めること、及び GaN 層が 370nm 以下の光を吸収することにある。従って、効率改善のため
には、「活性層の組成不均一の増大」「転位密度の低減」「GaN による吸収の低減」が必要である。
 当社は、他社に先駆けて UV-LED の構造、製造方法に関する特許を中心に、効率を向上させる技術、
MOCVD 装置関連、さらに UV-LED を使った応用製品に関する特許を数多く出願・取得している。
発光層の断面（透過型電子顕微鏡の像）
高温 SiN 中間層を介して成長した GaN 層の断面の模
式図（左）と透過型電子顕微鏡の像。高温 SiN 中間層
において転位密度が 30～50％低減できている。
 技術の優位性
当社は、UV-LED の製造に特化した研究開発型の会社で、波長範囲 355nm～405nm までの製品を製造し
ております。一例として 375nm/400nm の樹脂砲弾型 UV-LED は、同タイプのパッケージでは世界最高出
力を達成しました。UV-LED は、センサー、空気清浄機、医療用、工業用、白色照明等幅広い用途に使用
されます。「省エネ」［エコ］「長寿命」等の製品を本気で考えている方々にお応えします。
３．特記事項
 第 23 回中小企業新技術・新製品賞中小企業長官賞受賞
 第 4 回ものづくり日本大賞経済産業大臣賞受賞
 第 5 回モノづくり連携大賞受賞
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