ＳＲ測定により拡散層の評価やウエハ仕様（ＥＰＩ/ＳＵＢ層）の確認が可能。 ■目的 ダイオード素子のアノード拡散 及び ＥＰＩ/ＳＵＢ層の評価としてＳＲ測定を行う。 ■ＳＲ測定の原理 2探針 研磨角度 斜研磨面 試料表面 PN接合 P層 N層 試料台 斜研磨したSiウエハにて、深さ方向に２探針をコンタクトさせ、 広がり抵抗を測定する。 得られた広がり抵抗を解析して、ウエハの深さ方向の比抵抗、 キャリア濃度プロファイルを計算する。 【得られる情報】 深さ方向キャリア濃度プロファイル 深さ方向比抵抗プロファイル ⇒ＰＮ接合深さや、Ｎ+層とＮ-層の 境界の深さ、各層のキャリア濃度 などの情報が得られる ■測定試料 及び 結果（キャリア濃度プロファイル） 【キャリア濃度及び抵抗率プロファイル】 1.E+04 【測定試料】 1.E+20 抵抗率［Ωcm］ 抵抗率[Ωcm] ０.３０mm P型拡散領域 ０.３５mm 1.E+03 1.E+19 1.E+02 1.E+18 1.E+01 1.E+17 1.E+00 1.E+16 1.E-01 1.E+15 1.E-02 1.E+14 1.E-03 1.E+13 濃度[atoms/cm3] 濃度［atoms/cm3] 【測定結果】 Ｐ型拡散 Ｎ-ＥＰＩ Ｎ+ＳＵＢ 濃度 ６.４×１０１９ atoms/cm３ 深さ ４.５ μｍ 抵抗率 厚さ 比抵抗 約 １.０ Ωcm ２０ μm Ｐ型拡散 約 ０.０１ Ωcm Ｎ-ＥＰＩ Ｎ+ＳＵＢ 1.E-04 1.E+12 0 まとめ 5 10 15 深さ[μm] 20 25 ○微小チップでも、拡散層やＥＰＩ/ＳＵＢ構造の濃度や深さが確認できる。 メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社 分析評価事業部 〒819-0192 福岡市西区今宿東1-1-1 TEL：092-805-3834(代表) FAX：092-805-3839
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