5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD
超低IR-SBD (Schottky-Barrier Diode)
Ultra Low-IR SBD
■特長 Features
接合部溫度（Tj）
℃保證
・従来品に對し髙溫動做可能
従来品に對し VF は仝等で、IR を 1/10 以下に低
・熱暴走のリスクを低 。髙溫時の髙信賴性を確保
従来品に對し VF は 10% 低 し、IR も 1/10 以下に低
・LLD からの 換え、 に低い耐壓の SBD を 擇可能
LLD (Low Loss Diode)
Guaranteed Tj=175°C
· It can operate at a high pemparature.
VF is same level and IR is tens of one lower than existing
type.
· It reduce thermal runaway risk.
And provide high reliability at a high pemparature.
VF is 10% lower and IR is tens of one lower than existing
type.
· It make us possible to replace from LLD
Or select more lower voltage SBD
Super LLD series for PFC circuit
Diode
■特長 Features
Super LLD-3（電流連続モード PFC 用）
従来品に対し VF-trr トレードオフラインを改善
従来品に対し高速化と低 VF 化を実現。
MOSFET とダイオードの温度低減、低損失化が可能。
Super LLD-3 for CCM-PFC
'Y"Z~#@@YY&
&}&&Z~Y
model.
And reduced temparature and power loss of MOSFET
and Diode.
Super LLD-2（臨界モード PFC 用）
低 VF 特性による低損失化
ソフトリカバリーによる低ノイズ化
Super LLD-2 for DCM-PFC
!"&&$&Z~
!"&$@"$
■型式の見方 Part numbers
FDRW50C60L (example)
F
DR
社名
機種コード
Company code
Device code
Fuji
DR
FWD
62
W
パッケージコード
Package code
P
TO-220
W
TO-247
50
定格電流
Current
×1
C
S
C
極性
Polarity
Single
Cathode
Common
60
定格電圧
Voltage
60
600V
120
1200V
L
製品シリーズ
Series
Ultra Fast
L
Recovery
Sort/Fast
J
Recovery
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■型式の見方 Part numbers
YA875C10R (example)
YA
パッケージコード
Package code
KP
K-Pack (L)
KS K-Pack (S)
MS
TFP
PA
TO-3P
PG
TO-3PF
PH
TO-247
TP
T-Pack (L)
TS
T-Pack (S)
YA
TO-220
YG
TO-220F
87
シリーズ
Series
8x
SBD
9x
LLD
1
2
3
4
5
6
8
9
0
5
C
10
R
定格電流
Current
5A
10A
15A
15A
20A
30A
30A
40A
40A
極性
Polarity
S
Single
Cathode
C
Common
定格電圧
Voltage
20V
30V
40V
60V
LLD
80V
90V
100V
120V
150V
200V
付加コード
Additional code
R or RR
02
03
04
06
08
SBD
09
10
12
15
20
2
3
4
6
8
10
12
15
200V
300V
400V
600V
800V
1000V
1200V
1500V
■型式の見方 Part numbers
ESAD92M02R (example)
D
92
定格電流
Current
ERA ≦1A
ERB ≦2A
リード
ERC ≦3A
ERD ERC ≦5A
ESAB 5A-10A
TOPKG
ESAC 10A-20A
ESAD 20A-30A
シリーズ
Series
8x
SBD
9x
LLD
M
パッケージコード
Package code
無し
フィン
004
M フルモールド SBD 006
009
02
R
電圧定格
Voltage
40V
LLD
60V
90V
付加コード
Additional code
R or RR
02
03
200V
300V
Diode
ESA
チップ構成
Chip
ESA
ツインチップ
ER シングルチップ
63
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD)
#~
Schottky-Barrier Diodes(SBD)
結線
VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA)
シングル
40
5
0.55
5
45
60
デュアル
20
30
40
60
90
100
10
5
15
7
5
5
10
20
30
5
10
15
20
30
5
5
10
20
30
0.60
0.59
0.63
0.39
0.47
0.55
0.55
0.6
0.53
0.58
0.58
0.58
0.58
0.58
0.9
0.8
0.8
0.8
0.8
2
5
20
10
5
5
5
15
8
5
5
5
15
3
5
0.7
1.2
2.5
20
#%
#%~
#{
#{_
¥#{
¥#{_
TFP
Diode
シングル #{
型式
Device type
KS826S04
YG811S04R
YG812S04R
YG811S06R
YG804S06R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
40
5.0 (Tc=110℃)
40
5.0 (Tc=122℃)
45
10 (Tc=124℃)
60
5.0 (Tc=127℃)
60
15 (Tc=99℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
80
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
80
# ¤
120
# ¤
( ) 条件
( ) Conditions
＊1}方形波
＊1}Square
＊2
＊2
duty=1/2
＊3 V =V
正弦波 10ms.
R
RRM
記号 Letter symbols
VRRM ピーク繰返し逆電圧
VRSM ピーク非繰返し逆電圧
平均出力電流
IO
サージ電流
IFSM
接合温度
Tj
周囲温度
Ta
ケース温度
Tc
64
電気的特性(Ta=25℃)
パッケージ
Characteristics
Package
VFM
IRRM＊3 #
Max. Volts
Max.mA ℃/W
0.55 (IF=5.0A)
5
10
¥#{_
5
5.0 #~
0.55 (IF=5.0A)
2
2.5 #~
0.6 (IF=10A)
5
5.0 #~
0.59 (IF=5.0A)
20
2.2 #~
0.63 (IF=15A)
wave duty=1/2
Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
Repetitive peak reverse voltage
#"{""&
Average output current
Surge current
Junction temperature
Ambient temperature
Case temperature
Tstg
VFM
IRRM
trr
R#
Tl
IF(AV)
保存温度
順電圧
逆電流
逆回復時間
熱抵抗 ( 接合ケース間 )
リード温度
平均順電流
Storage temperature
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Thermal resistance (Junction to case)
Lead temperature
Average forward current
質 量
Net
mass
Grams
0.6
1.7
1.7
1.7
1.7
整流ダイオード/Rectifier Diodes
5
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD)
デュアル #{
KP883C02
KS883C02
KS823C03
KS823C04
YG801C04R
YG802C04R
YG805C04R
YG838C04R
MS838C04
YG801C06R
YG802C06R
YG803C06R
YG805C06R
MS808C06
KS823C09
YG801C10R
YG802C10R
YG805C10R
YG808C10R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
20
7.0 (Tc=89℃)
20
7.0 (Tc=89℃)
30
5.0 (Tc=117℃)
40
5.0 (Tc=107℃)
40
5.0 (Tc=125℃)
40
10 (Tc=110℃)
40
20 (Tc=100℃)
40
30 (Tc=85℃)
40
30 (Tc=111℃)
60
5.0 (Tc=125℃)
60
10 (Tc=118℃)
60
15 (Tc=94℃)
60
20 (Tc=108℃)
60
30 (Tc=118℃)
90
5.0 (Tc=100℃)
100
5.0 (Tc=117℃)
100
10 (Tc=102℃)
100
20 (Tc=91℃)
100
30 (Tc=80℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊3
正弦波 10ms. １チップあたり
１チップあたり
＊4 V =V
R
RRM １チップあたり
＊2
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
60
# ¤
60
# ¤
60
# ¤
60
# ¤
100
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
180
# ¤
180
# ¤
60
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
80
# ¤
150
# ¤
60
# ¤
60
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
180
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.39 (IF=2.5A)
10
10
0.39 (IF=2.5A)
5
0.47 (IF=2.5A)
5
0.55 (IF=2.5A)
5
0.55 (IF=2.0A)
5
0.55 (IF=4.0A)
15
0.6 (IF=10A)
8
0.53 (IF=12.5A)
8
0.53 (IF=12.5A)
5
0.58 (IF=2.0A)
5
0.58 (IF=4.0A)
5
0.58 (IF=6.0A)
15
0.58 (IF=8.0A)
3
0.58 (IF=12.5A)
5
0.9 (IF=2.5A)
0.7
0.8 (IF=1.5A)
1.2
0.8 (IF=3.0A)
2.5
0.8 (IF=5.0A)
20
0.8 (IF=10A)
パッケージ
Package
#
℃/W
10.0
10.0
10.0
10.0
5.0
3.5
2.5
2.0
1.2
5.0
3.5
3.0
2.5
1.2
10.0
5.0
3.5
2.5
2.0
¥#{
¥#{_
¥#{_
¥#{_
#~
#~
#~
#~
TFP
#~
#~
#~
#~
TFP
¥#{_
#~
#~
#~
#~
質 量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
0.6
0.6
1.7
1.7
1.7
1.7
0.8
1.7
1.7
1.7
1.7
0.8
0.6
1.7
1.7
1.7
1.7
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊3 per element
Sine wave, 10ms per element
VR=VRRM per element
Diode
型式
Device type
65
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes
Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes
結線
デュアル
VRRM (V)
100
120
150
200
Io (A)
10
20
30
10
20
30
10
20
30
10
20
30
VF (V)
0.82
0.86
0.86
0.84
0.88
0.88
0.86
0.89
0.89
0.89
0.93
0.93
#
#~
IR (mA)
0.015
0.02
0.03
0.015
0.02
0.03
0.015
0.02
0.03
0.015
0.02
0.03
デュアル #{
Diode
型式
Device type
YG872C10R
YA872C10R
YG875C10R
YA875C10R
YG878C10R
YA878C10R
YG872C12R
YA872C12R
YG875C12R
YA875C12R
YG878C12R
YA878C12R
YG872C15R
YA872C15R
YG875C15R
YA875C15R
YG878C15R
YA878C15R
YG872C20R
YA872C20R
YG875C20R
YA875C20R
YG878C20R
YA878C20R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
100
10 (Tc=146℃)
100
10 (Tc=158℃)
100
20 (Tc=131℃)
100
20 (Tc=144℃)
100
30 (Tc=122℃)
100
30 (Tc=142℃)
120
10 (Tc=143℃)
120
10 (Tc=158℃)
120
20 (Tc=127℃)
120
20 (Tc=144℃)
120
30 (Tc=116℃)
120
30 (Tc=141℃)
150
10 (Tc=144℃)
150
10 (Tc=157℃)
150
20 (Tc=130℃)
150
20 (Tc=143℃)
150
30 (Tc=120℃)
150
30 (Tc=140℃)
200
10 (Tc=143℃)
200
10 (Tc=157℃)
200
20 (Tc=127℃)
200
20 (Tc=141℃)
200
30 (Tc=116℃)
200
30 (Tc=138℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. １チップあたり
＊3 I =0.5Io １チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM １チップあたり
66
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
パッケージ
Characteristics
Package
IRRM＊4 #
VFM＊3
Max.mA ℃/W
Max. Volts
0.82
3.5
#~
0.015
0.82
0.015
2.0
#!^
0.86
0.020
2.5
#~
0.86
0.020
1.75 #!^
0.86
0.030
2.0
#~
0.86
0.030
1.25 #!^
0.84
0.015
3.5
#~
0.84
0.015
2.0
#!^
0.88
0.020
2.5
#~
0.88
0.020
1.75 #!^
0.88
0.030
2.0
#~
0.88
0.030
1.25 #!^
0.86
0.015
3.5
#~
0.86
0.015
2.0
#!^
0.89
0.020
2.5
#~
0.89
0.020
1.75 #!^
0.89
0.030
2.0
#~
0.89
0.030
1.25 #!^
0.89
0.015
3.5
#~
0.89
0.015
2.0
#!^
0.93
0.020
2.5
#~
0.93
0.020
1.75 #!^
0.93
0.030
2.0
#~
0.93
0.030
1.25 #!^
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊3 I =0.5Io per element
Sine wave, 10ms per element
F
VR=VRRM per element
質 量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
整流ダイオード/Rectifier Diodes
5
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
#
#~
結線
VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA)
シングル 120
5
0.88
0.15
デュアル
150
45
60
80
100
120
150
5
20
30
10
20
30
40
10
20
30
40
10
20
30
40
10
20
30
30
40
10
20
30
40
0.9
0.63
0.63
0.68
0.74
0.74
0.7
0.76
0.76
0.76
0.71
0.86
0.86
0.86
0.82
0.88
0.88
0.88
1.01
0.95
0.9
0.9
0.9
0.97
0.15
0.175
0.2
0.15
0.175
0.2
0.2
0.15
0.175
0.2
0.2
0.15
0.175
0.2
0.2
0.15
0.15
0.2
0.2
0.2
0.15
0.15
0.2
0.2
#%
#%~
#
#{
#{_
TFP
Diode
Low IR Schottky-Barrier Diodes
シングル #{
型式
Device type
YG861S12R
YG861S15R
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 I =Io
F
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
120
5 (Tc=104℃)
150
5 (Tc=94℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
75
# ¤
75
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
パッケージ
Characteristics
Package
IRRM＊4 #
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA ℃/W
0.88
0.15
5.0
#~
0.90
0.15
5.0
#~
質 量
Net
mass
Grams
1.7
1.7
( ) Conditions
＊1}Square
＊4
VR=VRRM
＊2
wave duty=1/2
Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io
＊4
VR=VRRM
67
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
デュアル #{
Diode
型式
Device type
YG865C04R
YA865C04R
TS865C04R
MS865C04
YG868C04R
YA868C04R
TS868C04R
MS868C04
YG862C06R
YA862C06R
TS862C06R
YG865C06R
YA865C06R
TS865C06R
YG868C06R
YA868C06R
TS868C06R
YG869C06R
YA869C06R
TP869C06R
YG862C08R
YA862C08R
TS862C08R
MS862C08
YG865C08R
YA865C08R
TS865C08R
MS865C08
YG868C08R
YA868C08R
TS868C08R
YG869C08R
YA869C08R
TP869C08R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
45
20 (Tc=115℃)
45
20 (Tc=126℃)
45
20 (Tc=126℃)
45
20 (Tc=125℃)
45
30 (Tc=105℃)
45
30 (Tc=122℃)
45
30 (Tc=122℃)
45
30 (Tc=122℃)
60
10 (Tc=124℃)
60
10 (Tc=136℃)
60
10 (Tc=136℃)
60
20 (Tc=109℃)
60
20 (Tc=122℃)
60
20 (Tc=122℃)
60
30 (Tc=101℃)
60
30 (Tc=119℃)
60
30 (Tc=119℃)
60
40 (Tc=105℃)
60
40 (Tc=114℃)
60
40 (Tc=114℃)
80
10 (Tc=109℃)
80
10 (Tc=126℃)
80
10 (Tc=126℃)
80
10 (Tc=115℃)
80
20 (Tc=89℃)
80
20 (Tc=107℃)
80
20 (Tc=107℃)
80
20 (Tc=108℃)
80
30 (Tc=72℃)
80
30 (Tc=105℃)
80
30 (Tc=105℃)
80
40 (Tc=86℃)
80
40 (Tc=98℃)
80
40 (Tc=98℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
68
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.63
0.175
0.63
0.175
0.63
0.175
0.63
0.175
0.63
0.20
0.63
0.20
0.63
0.20
0.63
0.20
0.68
0.15
0.68
0.15
0.68
0.15
0.74
0.175
0.74
0.175
0.74
0.175
0.74
0.20
0.74
0.20
0.74
0.20
0.70
0.20
0.70
0.20
0.70
0.20
0.76
0.15
0.76
0.15
0.76
0.15
0.76
0.15
0.76
0.175
0.76
0.175
0.76
0.175
0.76
0.175
0.76
0.20
0.76
0.20
0.76
0.20
0.71
0.20
0.71
0.20
0.71
0.20
パッケージ
Package
#
℃/W
2.5
1.75
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.25
3.5
2.0
2.0
2.5
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.2
1.0
1.0
3.5
2.0
2.0
3.0
2.5
1.75
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.2
1.0
1.0
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
VR=VRRM per element
質 量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
整流ダイオード/Rectifier Diodes
5
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
型式
Device type
YG862C10R
YA862C10R
TS862C10R
YG865C10R
YA865C10R
TS865C10R
MS865C10
YG868C10R
YA868C10R
TS868C10R
TP868C10R
MS868C10
PA868C10R
YG869C10R
YA869C10R
TP869C10R
YG862C12R
YA862C12R
TP862C12R
TS862C12R
YG865C12R
YA865C12R
PH865C12
TP865C12R
TS865C12R
MS865C12
YG868C12R
YA868C12R
PH868C12
TS868C12R
MS868C12
YG869C12R
YA869C12R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
100
10 (Tc=118℃)
100
10 (Tc=132℃)
100
10 (Tc=132℃)
100
20 (Tc=103℃)
100
20 (Tc=117℃)
100
20 (Tc=117℃)
100
20 (Tc=117℃)
100
30 (Tc=91℃)
100
30 (Tc=113℃)
100
30 (Tc=113℃)
100
30 (Tc=113℃)
100
30 (Tc=114℃)
100
30 (Tc=107℃)
100
40 (Tc=94℃)
100
40 (Tc=105℃)
100
40 (Tc=105℃)
120
10 (Tc=122℃)
120
10 (Tc=137℃)
120
10 (Tc=137℃)
120
10 (Tc=137℃)
120
20 (Tc=116℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
30 (Tc=116℃)
120
30 (Tc=122℃)
120
30 (Tc=122℃)
120
30 (Tc=122℃)
120
30 (Tc=115℃)
120
40 (Tc=95℃)
120
40 (Tc=104℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
# ¤
190
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.86
0.15
0.86
0.15
0.86
0.15
0.86
0.175
0.86
0.175
0.86
0.175
0.86
0.175
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.82
0.20
0.82
0.20
0.82
0.20
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.20
0.88
0.20
0.88
0.20
0.88
0.20
0.88
0.20
0.95
0.20
0.95
0.20
パッケージ
Package
#
℃/W
3.5
2.0
2.0
2.5
1.75
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.25
1.2
1.5
1.2
1.0
1.0
3.00
1.20
1.50
1.50
1.75
1.25
1.50
1.25
1.25
1.25
1.20
1.00
1.20
1.00
1.20
1.20
1.00
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
#{
TFP
#%
#~
#!^
#{
#~
#!^
#{
#{_
#~
#!^
#
#{
#{_
TFP
#~
#!^
#
#{_
TFP
#~
#!^
質 量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
1.6
0.8
5.1
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.6
1.7
2.0
4.9
1.6
1.6
0.8
1.7
2.0
4.9
1.6
0.8
1.7
2.0
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
VR=VRRM per element
69
Diode
デュアル #{
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
デュアル #{
型式
Device type
YG862C15R
YA862C15R
TP862C15R
TS862C15R
YG865C15R
PH865C15
PG865C15R
YA865C15R
TP865C15R
TS865C15R
MS865C15
YG868C15R
YA868C15R
TS868C15R
MS868C15
PA868C15R
PH868C15
YG869C15R
YA869C15R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
150
10 (Tc=117℃)
150
10 (Tc=134℃)
150
10 (Tc=134℃)
150
10 (Tc=134℃)
150
20 (Tc=101℃)
150
20 (Tc=109℃)
150
20 (Tc=80℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
30 (Tc=113℃)
150
30 (Tc=119℃)
150
30 (Tc=119℃)
150
30 (Tc=113℃)
150
30 (Tc=129℃)
150
30 (Tc=129℃)
150
40 (Tc=90℃)
150
40 (Tc=100℃)
Diode
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
70
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.97
0.20
0.97
0.20
パッケージ
Package
#
℃/W
3.00
1.50
1.50
1.50
1.75
1.50
2.50
1.25
1.25
1.25
1.25
1.20
1.00
1.00
1.20
1.20
1.20
1.20
1.00
#~
#!^
#{
#{_
#~
#
#%~
#!^
#{
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
TFP
#%
#
#~
#!^
( ) Conditions
＊1}Square
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊2
質 量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
1.6
1.7
4.9
6.0
2.0
1.6
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
0.8
5.5
4.9
1.7
2.0
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ スーパー LLD 2 ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD 2 (Critical mode PFC)
Super LLD 2 (Critical mode PFC)
結線 VRRM (V)
シングル
600
デュアル
800
600
Io (A)
8
10
5
10
VF (V)
1.55
1.55
2.2
1.55
IR(μA)
10
10
10
10
Trr (μsec)
0.05
0.05
0.05
0.05
#
#~
#
シングル #{
型式
Device type
YA971S6R
YG971S6R
YA972S6R
YG972S6R
YG971S8R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
IFSM＊2
Volts
Amps.
Amps.
600
70
8 (Tc=116℃)
600
70
8 (Tc=89℃)
600
10 (Tc=115℃) 100
600
100
10 (Tc=89℃)
800
60
5 (Tc=93℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 V =V
R
RRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.55 (IF=8A) 10
1.55 (IF=8A) 10
1.55 (IF=10A) 10
1.55 (IF=10A) 10
2.2 (IF=5A) 10
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
#
℃/W
2.5
4.5
2.0
3.5
4.5
#!^
#~
#!^
#~
#~
質 量
Net
mass
Grams
2.0
1.7
2.0
1.7
1.7
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2
＊2 Sine wave, 10ms ＊3 V =V
R
RRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
デュアル #{
YA975C6R
YG975C6R
PH975C6
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
IFSM＊2
Volts
Amps.
Amps.
600
20 (Tc=106℃) 100
600
100
20 (Tc=89℃)
600
100
20 (Tc=97℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり
＊3 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.55 (IF=10A) 10
1.55 (IF=10A) 10
1.55 (IF=10A) 10
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.05
0.05
0.05
#
℃/W
1.25
1.75
1.5
#!^
#~
#
質 量
Net
mass
Grams
2.0
1.7
4.9
Diode
型式
Device type
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊3 V =V
R
RRM per element
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
71
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ スーパー LLD 3 ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD 3 (Continuous mode PFC)
Super LLD 3 (Continuous mode PFC)
結線 VRRM (V) Io (A)
シングル
600
8
デュアル
600
10
16
20
VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
3
25
0.026
3
30
0.028
3
25
0.026
3
30
0.028
#
#~
#%
#
#{_
シングル #{
型式
Device type
YA981S6R
YG981S6R
YA982S6R
YG982S6R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
600
8 (Tc=99℃)
600
8 (Tc=58℃)
600
10 (Tc=99℃)
600
10 (Tc=60℃)
IFSM＊2
Amps.
40
40
50
50
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 V =V
R
RRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
3.0 (IF=8A)
25
3.0 (IF=8A)
25
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.026
0.026
0.028
0.028
#
℃/W
2.5
4.5
2.0
3.5
#!^
#~
#!^
#~
質 量
Net
mass
Grams
2.0
1.7
2.0
1.7
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2
＊2 Sine wave, 10ms
＊3 VR=VRRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
デュアル #{
Diode
型式
Device type
YA982C6R
TS982C6R
YG982C6R
YA985C6R
TS985C6R
YG985C6R
PH985C6
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
600
16 (Tc=88℃)
600
16 (Tc=88℃)
600
16 (Tc=68℃)
600
20 (Tc=86℃)
600
20 (Tc=86℃)
600
20 (Tc=60℃)
600
20 (Tc=73℃)
IFSM＊2
Amps.
40
40
40
50
50
50
50
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
72
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
3.0 (IF=8A)
25
3.0 (IF=8A)
25
25
3.0 (IF=8A)
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.026
0.026
0.026
0.028
0.028
0.028
0.028
#
℃/W
1.5
1.5
2
1.25
1.25
1.75
1.5
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
#~
#
質 量
Net
mass
Grams
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
4.9
( ) Conditions
＊1}Square wave duty 1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 V =V
R
RRM per element
＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
結線
VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
シングル
200
5
0.95
100
0.035
デュアル
300
200
300
10
5
5
10
20
5
10
20
0.98
1.2
0.95
0.95
0.98
1.2
1.2
1.2
200
100
100
100
200
100
100
200
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
#~
¥#{
¥#{_
TFP
シングル #{
KP926S2
KS926S2
YG911S2R
YG912S2R
YG911S3R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
200
5 (Tc=106℃)
200
5 (Tc=106℃)
200
5 (Tc=134℃)
200
10 (Tc=116℃)
300
5 (Tc=128℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
70
# ¤
70
# ¤
50
# ¤
80
# ¤
40
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 I =Io
＊4 V =V
F
R
RRM
＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
0.95
100
0.95
100
0.95
100
0.98
200
1.2
100
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
( ) Conditions
＊1}Square wave duty 1/2
＊2 Sine wave, 10ms
＊3 IF=Io
＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
#
℃/W
10.0
10.0
3.5
3.5
3.5
＊4
¥#{
¥#{_
#~
#~
#~
質 量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
1.7
1.7
1.7
VR=VRRM
Diode
型式
Device type
デュアル #{
型式
Device type
KP923C2
KS923C2
YG901C2R
YG902C2R
YG906C2R
MS906C2
YG901C3R
YG902C3R
MS906C3
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
200
5 (Tc=103℃)
200
5 (Tc=103℃)
200
5 (Tc=120℃)
200
10 (Tc=115℃)
200
20 (Tc=102℃)
200
20 (Tc=105℃)
300
5 (Tc=105℃)
300
10 (Tc=101℃)
300
20 (Tc=95℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
50
# ¤
50
# ¤
25
# ¤
50
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
25
# ¤
40
# ¤
80
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
0.95
100
0.95
100
0.95
100
0.95
100
0.98
200
0.98
200
1.2
100
1.2
100
1.2
200
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
#
℃/W
10.0
10.0
5.0
3.5
2.5
2.0
5.0
3.5
2.0
¥#{
¥#{_
#~
#~
#~
TFP
#~
#~
TFP
質 量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
1.7
1.7
1.7
0.8
1.7
1.7
0.8
( ) Conditions
＊1}Square
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
＊2
73
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD)
#
Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD)
#~
#%~
#{_
¥#{_
結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
シングル
300
5
1.3
20
0.04
デュアル
400
300
400
5
10
20
10
20
1.45
1.3
1.3
1.45
1.45
20
20
35
20
35
0.05
0.04
0.04
0.05
0.05
TFP
シングル #{
型式
Device type
KS986S3
KS986S4
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
300
5 (Tc=128℃)
400
5 (Tc=125℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
90
# ¤
80
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 I =Io
＊4 V =V
F
R
RRM
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.3
20
1.45
20
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.04
0.05
#
℃/W
3.5
3.5
¥#{_
¥#{_
質 量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
( ) Conditions
＊1}Square
wave duty=1/2
＊3 I =Io per element
Sine wave, 10ms
F
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
＊2
＊4
VR=VRRM
Diode
デュアル #{
型式
Device type
YG982C3R
YA982C3R
TS982C3R
YG985C3R
YA985C3R
TS985C3R
MS985C3
PG985C3R
YG982C4R
YA982C4R
TS982C4R
YG985C4R
YA985C4R
TS985C4R
MS985C4
PG985C4R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
300
10 (Tc=112℃)
300
10 (Tc=128℃)
300
10 (Tc=128℃)
300
20 (Tc=105℃)
300
20 (Tc=118℃)
300
20 (Tc=118℃)
300
20 (Tc=118℃)
300
20 (Tc=73℃)
400
10 (Tc=107℃)
400
10 (Tc=125℃)
400
10 (Tc=125℃)
400
20 (Tc=100℃)
400
20 (Tc=114℃)
400
20 (Tc=114℃)
400
20 (Tc=114℃)
400
20 (Tc=64℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
90
# ¤
90
# ¤
90
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
74
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.3
20
1.3
20
1.3
20
1.3
35
1.3
35
1.3
35
1.3
35
1.3
35
1.45
20
1.45
20
1.45
20
1.45
35
1.45
35
1.45
35
1.45
35
1.45
35
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
#
℃/W
3
1.75
1.75
1.75
1.25
1.25
1.25
3
3
1.75
1.75
1.75
1.25
1.25
1.25
3
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
TFP
#%~
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
TFP
#%~
質 量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
6.0
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
6.0
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD)
#%
Schottky-Barrier Diodes (SBD)
結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA)
40
10
0.55
5
シングル /
20
0.6
15
デュアル
60
30
30
0.55
0.58
#%~
20
20
#{_
¥#{_
シングル / デュアル #{#{
型式
Device type
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
40
10 (Tc=116℃)
40
10 (Tc=116℃)
40
20 (Tc=110℃)
40
30 (Tc=105℃)
40
30 (Tc=118℃)
60
30 (Tc=106℃)
60
30 (Tc=115℃)
60
30 (Tc=119℃)
TP802C04R
TS802C04R
TS805C04R
ESAD83M-004RR
ESAD83-004R
ESAD83M-006RR
TS808C06R
ESAD83-006R
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
120
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり
＊4 V =V
＊5 シングル品
R
RRM 1チップあたり
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max.mA
Max. Volts
0.55 (IF=4.0A)
5
0.55 (IF=4.0A)
5
0.6 (IF=10A)
15
0.55 (IF=12.5A)
20
0.55 (IF=12.5A)
20
0.58 (IF=12.5A)
20
0.58 (IF=12.5A)
20
0.58 (IF=12.5A)
20
パッケージ
Package
#
℃/W
3.0
3.0
2.0
1.7
1.2
1.7
1.2
1.2
質 量
Net
mass
Grams
1.6
1.6
1.6
6.0
5.5
6.0
1.6
5.5
#{
#{_
#{_
#%~
#%
#%~
#{_
#%
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊4 V =V
R
RRM per element
forward current of centertap full wave connection)
＊3 per element
＊5#{
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
#
結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
シングル /
200
5
0.95
100
0.035
10
0.95
100
0.035
デュアル
300
400
20
20
10
20
20
0.95
0.98
1.2
1.2
1.5
200
200
100
200
500
#%
0.04
0.035
0.035
0.04
0.05
#%~
#{_
¥#{_
Diode
■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
シングル / デュアル #{#{
型式
Device type
TP901C2R
TP902C2R
TS902C2R
ESAD92M-02RR
TP906C2R
TS906C2R
ESAD92-02R
TP902C3R
TS902C3R
ESAD92-03R
ESAD92M-03RR
PA905C4R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
200
5 (Tc=120℃)
200
10 (Tc=125℃)
200
10 (Tc=125℃)
200
20 (Tc=108℃)
200
20 (Tc=110℃)
200
20 (Tc=110℃)
200
20 (Tc=115℃)
300
10 (Tc=115℃)
300
10 (Tc=115℃)
300
20 (Tc=110℃)
300
20 (Tc=96℃)
400
20 (Tc=107℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
25
# ¤
50
# ¤
50
# ¤
100
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
40
# ¤
40
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
70
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり
＊4 V =V
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
R
RRM 1チップあたり
F
＊6 シングル品
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
0.95 (IF=2.5A)
100
0.95 (IF=5A)
100
0.95 (IF=5A)
100
0.95 (IF=10A)
200
0.98 (IF=10A)
200
0.98 (IF=10A)
200
0.95 (IF=10A)
200
1.2 (IF=5A)
100
1.2 (IF=5A)
100
1.2 (IF=10A)
200
1.2 (IF=10A)
200
1.5 (IF=10A)
500
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.035
0.035
0.035
0.04
0.035
0.035
0.04
0.035
0.035
0.04
0.04
0.05
#
℃/W
5.0
2.5
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
2.5
2.5
1.5
2.0
1.5
#{
#{
#{_
#%~
#{
#{_
#%
#{
#{_
#%
#%~
#%
質 量
Net
mass
Grams
1.6
1.6
1.6
6.0
1.6
1.6
5.5
1.6
1.6
5.5
6.0
5.5
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊6#{
forward current of centertap full wave connection)
＊3 per element
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
75
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 600V 超高速ダイオード Ultra Fast Recovery Diodes
Ultra Fast Recovery Diodes
結線
シングル
VRRM (V)
600
デュアル
600
Io (A)
15
25
35
50
70
VF (V)
2.6
2.6
2.6
2.6
2.6
IR(μA)
250
250
250
250
250
Trr (μsec)
0.031
0.033
0.036
0.033
0.036
#
#
#
シングル 1 in one-package
型式
Device type
FDRP15S60L
FDRW15S60L
FDRP25S60L
FDRW25S60L
FDRW35S60L
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
600
15 (Tc=98°C)
600
15 (Tc=85°C)
600
25 (Tc=86°C)
600
25 (Tc=86°C)
600
35 (Tc=91°C)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
110
# ¤
110
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
140
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. 1 パルス
＊3 I =Io
F
＊4 V =V
＊5 V =30V, I '#!
R
RRM
R
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
trr＊5
VFM＊3
Max. Volts Max.μA μsec.
2.6
250
0.031
2.6
250
0.031
2.6
250
0.033
2.6
250
0.033
2.6
250
0.036
パッケージ
Package
#
℃/W
1.6
2.0
1.2
1.2
0.8
#!^
#
#
#!^
#
#
#
#
質 量
Net
mass
Grams
2.0
4.9
2.0
4.9
4.9
( ) Conditions
＊1}_|"$
＊2
＊4
＊3 I =Io
Sine wave, 10ms 1shot
F
＊5 V =30V, I '#!
VR=VRRM
R
F
Diode
デュアル 2 in one-package
型式
Device type
FDRW50C60L
FDRW70C60L
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
600
50 (Tc=86°C)
600
70 (Tc=91°C)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
125
# ¤
140
# ¤
duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊3 I =0.5 Io, 1チップあたり
正弦波 10ms. 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊5 V =30V, I '#!チップあたり
R
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
trr＊5
VFM＊3
Max. Volts Max.μA μsec.
2.6
250
0.033
2.6
250
0.036
パッケージ
Package
#
℃/W
0.6
0.4
#
#
#
#
( ) 条件
( ) Conditions
＊1}方形波
＊1}_|"$@@&&"
＊2
＊2
76
質 量
Net
mass
Grams
4.9
4.9
＊3 I =0.5 Io, Rating per element
Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element
F
VR=VRRM, Rating per element
＊5 V =30V, I '#!&Y
R
F
＊4
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 1200V 低ノイズ高速ダイオード Soft Recovery Fast Recovery Diodes
Soft Recovery Fast Recovery Diodes
結線
シングル
VRRM (V)
1200
デュアル
1200
Io (A)
12
20
30
40
60
VF (V)
2.8
2.8
2.8
2.8
2.8
IR(μA)
250
250
250
250
250
Trr (μsec)
0.042
0.055
0.063
0.055
0.063
#
#
#
シングル 1 in one-package
FDRP12S120J
FDRW12S120J
FDRP20S120J
FDRW20S120J
FDRW30S120J
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
1200 12 (Tc=100°C)
1200 12 (Tc=97°C)
1200 20 (Tc=98°C)
1200 20 (Tc=88°C)
1200 30 (Tc=89°C)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
100
# ¤
100
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
150
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. 1 パルス
＊3 I =Io
F
＊4 V =V
＊5 V =30V, I '#!
R
RRM
R
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
trr＊5
VFM＊3
Max. Volts Max.μA μsec.
2.8
250
0.042
2.8
250
0.042
2.8
250
0.055
2.8
250
0.055
2.8
250
0.063
パッケージ
Package
#
℃/W
1.5
1.6
1.0
1.2
0.781
#!^
#
#
#!^
#
#
#
#
質 量
Net
mass
Grams
2.0
4.9
2.0
4.9
4.9
( ) Conditions
＊1}_|"$
＊2
＊4
＊3 I =Io
Sine wave, 10ms 1shot
F
＊5 V =30V, I '#!
VR=VRRM
R
F
デュアル 2 in one-package
型式
Device type
FDRW40C120J
FDRW60C120J
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
1200 40 (Tc=98°C)
1200 60 (Tc=87°C)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
120
# ¤
150
# ¤
duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり
＊3 I =0.5 Io, 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊5 V =30V, I '#!チップあたり
R
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
trr＊5
VFM＊3
Max. Volts Max.μA μsec.
2.8
250
0.055
2.8
250
0.063
パッケージ
Package
#
℃/W
0.5
0.397
#
#
#
#
( ) 条件
( ) Conditions
＊1}方形波
＊1}_|"$@@&&"
質 量
Net
mass
Grams
4.9
4.9
＊2
＊3 I =0.5 Io, Rating per element
Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element
F
VR=VRRM, Rating per element
＊5 V =30V, I '#!&Y
R
F
＊4
77
Diode
型式
Device type
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