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低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト
最終成果報告会プログラム
■日時：平成27年3月16日（月）10:00~18:45， 17日（火）9:30~17:50
■場所：イイノホール　（東京都千代田区内幸町2-1-1飯野ビルディング4F～6F）
http://www.iino.co.jp/hall/access/
１日目　(平成２７年３月１６日（月）)
開始時刻時間終了時刻
演題
講演者(敬称略）
10:00
0:05
10:05 1)-1　事業者代表挨拶　FUPET 和田敏美専務理事
10:05
0:10
10:15 1)-2　来賓挨拶
経済産業省、NEDO
10:15
0:45
11:00 2) プロジェクト全体計画と成果概要　奥村元プロジェクトリーダー
11:00
0:45
11:45 3)　特別講演
東京工業大学　大学院理工学研究科　赤木泰文教授
11:45
1:00
12:45 (昼休み)
4) 研究課題別の成果　セッション－１　（結晶成長、加工）
座長：　氷見啓明センター長
高品質・大口径SiC結晶成長技術開発-1
高品質・大口径SiC結晶成長技術開発-2／革新的SiC結晶成長技術開発-1
革新的SiC結晶成長技術開発-2
大口径SiCウエハ加工技術開発
(休憩)
矢野孝幸
恩田正一
蔵重和央
加藤智久
12:45
13:15
13:45
14:15
14:45
0:30
0:30
0:30
0:30
0:15
13:15
13:45
14:15
14:45
15:00
15:00
2:00
17:00 5) ポスターセッション　17:00
0:15
17:15 (休憩)
17:15
1:30
18:45 意見交換会
富津拠点長
日進分室長
結晶研究GL
加工研究GL
２日目　(平成２７年３月１７日（火）)
開始時刻時間終了時刻
9:30
10:00
10:30
11:00
11:30
12:00
0:30
0:30
0:30
0:30
0:30
1:10
10:00
10:30
11:00
11:30
12:00
13:10
演題
講演者(敬称略）
4) 研究課題別の成果　セッション－2　（エピ膜成長、デバイス、評価）
座長：　氷見啓明センター長
SiCエピタキシャル膜成長技術(大口径対応技術)
SiCエピタキシャル膜成長技術(高速・厚膜成長技術)
SiC高耐圧スイッチングデバイス製造技術(新規耐圧構造デバイス)
SiC高耐圧スイッチングデバイス製造技術(高耐圧大容量デバイス)
共通基盤評価技術
(昼休み)
児島一聡エピ膜研究SGL
大野俊之エピ膜研究GL
田中保宣デバイス研究GL
中田修平伊丹副分室長
北畠真評価研究GL
4) 研究課題別の成果　セッション－3　（高耐熱部品統合パワーモジュール化）座長：　山東睦夫テーマリーダー
13:10
13:20
13:40
14:00
14:20
14:40
15:10
15:30
16:00
0:10
0:20
0:20
0:20
0:20
0:30
0:20
0:30
0:15
13:20
13:40
14:00
14:20
14:40
15:10
15:30
高耐熱部品統合パワーモジュール化技術開発の概要
高耐熱コンデンサ
高耐熱抵抗
メタライズ放熱基板
配線基板
実装基盤技術
国際標準化等に関する調査研究
山東睦夫テーマリーダー
鶴見敬章高耐熱コンデンサGL
田中清志高耐熱抵抗GL
平尾喜代司メタライズ放熱基板GL
平尾喜代司配線基板GL
村上善則実装基盤技術SGL
冨田賢時国際標準化調査WGL
4) 研究課題別の成果　セッション－4　（応用技術調査）
座長：　氷見啓明センター長
16:00 応用技術調査検討
16:15 (休憩)
6）　パネルディスカッション　「第2世代SiC実用化に向けたスタートダッシュ」
（コーディネータ：応用技術調査委員会戸田敬二WGL（トヨタ自動車(株)）
戸田敬二応用技術調査委員会WGL
経済産業省　産業技術環境局　研究開発課　渡邊昇治課長
NEDO　電子・材料・ナノテクノロジー部　岡田武部長
千葉大学　大学院工学研究科　佐藤之彦教授
富士電機　重兼壽夫特別顧問
トヨタ自動車　第3電子開発部　濱田公守担当部長
三菱電機　先端技術研究所　山川聡センター長
鉄道総研　車両制御技術研究部　小笠正道主管研究員
16:15
1:15
17:30
17:30
0:15
17:45 7)　まとめ
奥村元プロジェクトリーダー
17:45
0:05
17:50 8)　閉会の辞　FCRA　高橋伸夫理事長

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