ＬＥＤデバイスの解析技術構造確認から不具合モード解析まで一貫して対応しますメルコセミコンダクタエンジニアリング(株) お問い合わせ先：ＴＥＬ（０９２）８０５−３８３４ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：//ｗｗｗ．ｍｓｅｃ‐ｍｅｌｃｏ．ｃｏ．ｊｐパッケージ構造の断面解析（ＦＥ-ＳＥＭ観察→ＥＤＸ分析）蛍光体ＡｕワイヤＬＥＤチップＡｕパッドＣｕパターン 100μm 光学像 ①Ｘ線像Ｂａ ②断面ＳＥＭ像非破壊解析 ① Ｘ線透過観察 → ワイヤボンディング破断確認ＬＥＤチップ２μｍ ②ワイヤ接合部の拡大ＳＥＭ像イオンビーム断面加工 ② ＳＥＭ観察→ 接合部状態確認 ③ ＥＤＸ分析→ 蛍光体の成分および分布状態確認 ③蛍光体のＥＤＸ元素マッピング素子発光層の断面構造解析（ＦＩＢサンプリング→ＳＴＥＭ-ＥＤＸ分析）ＥＤＸ元素マッピング領域ＡｌＡｓとＧａＡｓが約９０ｎｍピッチで１５層積層されていることを確認１.５μｍＡｌＧａ発光層のＳＴＥＭ-ＥＤＸ元素マッピング発光層のＳＴＥＭ像Ａｓ基板ＡｇめっきＰａｄ部変色原因調査（ＸＰＳ分析，ＴＯＦ-ＳＩＭＳ分析）ＡｇＡｇＡｇＯＯＡｇＡｇ-ＳｏｒＡｇ単体Ａｇ-ＳＣＳｉＳＳＡｇＣｌＣｌＯ１ｍｍ変色Ｐａｄの光学像ＳＯ４Ａｇ単体由来のプラズモンロスピークが無い → Ａｇ-Ｓを示唆ＸＰＳ：（ワイド）Ａｇ以外にＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓ，Ｃｌを検出（ナロー）Ｓは主に硫化銀として存在。ＰｏｓｉｔｉｖｅＳｐｅｃｔｒｕｍ[ｍ/ｚ：１∼３００] ＮｅｇａｔｉｖｅＳｐｅｃｔｒｕｍ[ｍ/ｚ：１∼３００] Ａｇ化合物成分シロキサン成分ＳｉＳｉＣ３Ｈ９ＡｇＣＮＡｇ２Ｓｉ２Ｃ５Ｈ１５ＯＡｇ２ＳＡｇ２ＣｌＳＯ４ＨＣｌＳＡｇ化合物成分無機酸成分ＢｒＡｇＣｌ２ＳＯ４ＡｇＳＡｇＡｇＣｌＴＯＦ-ＳＩＭＳ：Ａｇは硫化銀・塩化銀・アミン塩として存在し，有機物としてシロキサン成分を確認Ｓ