S-5712シリーズホールIC - Seiko Instruments

S-5712シリーズ
低電圧動作
両極 / 片極検知型ホールIC
www.sii-ic.com
Rev.4.4_00
© Seiko Instruments Inc., 2010-2013
S-5712シリーズは、CMOS技術を使用して開発した、低電圧動作に対応し低消費電流動作が可能な高精度ホールICです。
磁束密度の大きさを検知して、出力電圧が変化します。磁石と組み合わせることで、さまざまな機器の開閉検出が可能で
す。
小型のSOT-23-3または、超小型のSNT-4Aパッケージを採用しているため、高密度実装が可能です。
低電圧動作、低消費電流のため、バッテリで動作する携帯機器に最適です。また、高精度磁気特性のため、磁石と組み合
わせた機構の動作ばらつきを小さくすることが可能です。
注意
本製品は AV 機器、OA 機器、通信機器等の一般的な電子機器に使用されることを意図したものです。自動車搭載機
器 (カーオーディオ、キーレスエントリ、エンジン制御等を含む)、医療機器用途で使用をお考えの際は必ず事前に
弊社窓口まで御相談ください。
特長
・極検知*1
・磁気検出論理*1
・出力形態*1
・磁気感度*1
・駆動周期 (消費電流)*1
・電源電圧範囲
・動作温度範囲
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1.
: 両極検知、S極検知、N極検知
: アクティブ "L"、アクティブ "H"
: Nchオープンドレイン出力、CMOS出力
: BOP = 3.0 mT typ.
BOP = 4.5 mT typ.
: 両極検知品
tCYCLE = 5.70 ms (IDD = 12.0 μA) typ.
tCYCLE = 50.50 ms (IDD = 2.0 μA) typ.
tCYCLE = 204.10 ms (IDD = 1.0 μA) typ.
S極、N極検知品
tCYCLE = 6.05 ms (IDD = 6.0 μA) typ.
tCYCLE = 50.85 ms (IDD = 1.4 μA) typ.
: VDD = 1.6 V ~ 3.5 V
: Ta = −40°C ~ +85°C
オプション選択が可能。
用途
・携帯電話、スマートフォン
・ノートPC、タブレットPC
・デジタルビデオカメラ
・玩具、ゲーム機
・家庭用電気製品
パッケージ
・SOT-23-3
・SNT-4A
セイコーインスツル株式会社
1
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
ホールIC
Rev.4.4_00
ブロック図
1.
Nchオープンドレイン出力品
VDD
OUT
スリープ / アウェイク回路
*1
*1
チョッパ
アンプ
VSS
*1.
寄生ダイオード
図1
2.
CMOS出力品
VDD
スリープ / アウェイク回路
*1
*1
OUT
チョッパ
アンプ
*1
VSS
*1.
寄生ダイオード
図2
2
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
品目コードの構成
1.
製品名
S-5712
x
x
x
x
x
-
xxxx
U
環境コード
U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
パッケージ略号とICの梱包仕様*1
M3T1 : SOT-23-3、テープ品
I4T1 : SNT-4A、テープ品
磁気感度
1 : BOP = 3.0 mT typ.
2 : BOP = 4.5 mT typ.
磁気検出論理
L : アクティブ "L"
H : アクティブ "H"
極検知
D : 両極検知
S : S極検知
N : N極検知
出力形態
N : Nchオープンドレイン出力
C : CMOS出力
駆動周期
A : tCYCLE = 50.50 ms typ. (両極検知品)
tCYCLE = 50.85 ms typ. (S極、N極検知品)
B : tCYCLE = 204.10 ms typ. (両極検知品)
C : tCYCLE = 5.70 ms typ. (両極検知品)
tCYCLE = 6.05 ms typ. (S極、N極検知品)
*1.
2.
テープ図面を参照してください。
パッケージ
表1
パッケージ名
SOT-23-3
SNT-4A
パッケージ図面コード
外形寸法図面
テープ図面
リール図面
ランド図面
MP003-C-P-SD
PF004-A-P-SD
MP003-C-C-SD
PF004-A-C-SD
MP003-Z-R-SD
PF004-A-R-SD
−
PF004-A-L-SD
セイコーインスツル株式会社
3
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
3.
ホールIC
Rev.4.4_00
製品名リスト
3. 1
SOT-23-3
3. 1. 1
Nchオープンドレイン出力品
表2
製品名
駆動周期 (tCYCLE)
出力形態
極検知
Nchオープンドレイン出力両極検知
S-5712ANDL1-M3T1U
50.50 ms typ.
Nchオープンドレイン出力両極検知
S-5712ANDL2-M3T1U
50.50 ms typ.
Nchオープンドレイン出力 S極検知
S-5712ANSL1-M3T1U
50.85 ms typ.
Nchオープンドレイン出力 S極検知
S-5712ANSL2-M3T1U
50.85 ms typ.
備考上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください
3. 1. 2
磁気検出論理
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
"L"
"L"
"L"
"L"
磁気感度 (BOP)
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
typ.
typ.
typ.
typ.
CMOS出力品
表3
製品名
駆動周期 (tCYCLE)
出力形態
極検知
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDL1-M3T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDL2-M3T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDH1-M3T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDH2-M3T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
S極検知
S-5712ACSL1-M3T1U
50.85 ms typ.
CMOS出力
S極検知
S-5712ACSL2-M3T1U
50.85 ms typ.
CMOS出力
N極検知
S-5712ACNL1-M3T1U
50.85 ms typ.
CMOS出力
N極検知
S-5712ACNL2-M3T1U
50.85 ms typ.
備考上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください
4
セイコーインスツル株式会社
磁気検出論理
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
"L"
"L"
"H"
"H"
"L"
"L"
"L"
"L"
磁気感度 (BOP)
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
低電圧動作
Rev.4.4_00
3. 2
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
SNT-4A
3. 2. 1
Nchオープンドレイン出力品
表4
駆動周期 (tCYCLE)
磁気検出論理
Nchオープンドレイン出力両極検知
アクティブ "L"
3.0 mT typ.
Nchオープンドレイン出力両極検知
S-5712ANDL2-I4T1U
50.50 ms typ.
Nchオープンドレイン出力 S極検知
S-5712ANSL1-I4T1U
50.85 ms typ.
Nchオープンドレイン出力 S極検知
S-5712ANSL2-I4T1U
50.85 ms typ.
備考上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください。
アクティブ "L"
アクティブ "L"
アクティブ "L"
4.5 mT typ.
3.0 mT typ.
4.5 mT typ.
S-5712ANDL1-I4T1U
3. 2. 2
50.50 ms typ.
出力形態
磁気感度 (BOP)
極検知
製品名
CMOS出力品
表5
製品名
駆動周期 (tCYCLE)
出力形態
極検知
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDL1-I4T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDL2-I4T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDH1-I4T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712ACDH2-I4T1U
50.50 ms typ.
CMOS出力
S極検知
50.85 ms typ.
S-5712ACSL1-I4T1U
CMOS出力
S極検知
50.85 ms typ.
S-5712ACSL2-I4T1U
CMOS出力
S極検知
50.85 ms typ.
S-5712ACSH1-I4T1U
CMOS出力
S極検知
50.85 ms typ.
S-5712ACSH2-I4T1U
CMOS出力
N極検知
50.85 ms typ.
S-5712ACNL1-I4T1U
CMOS出力
N極検知
50.85
ms
typ.
S-5712ACNL2-I4T1U
CMOS出力
両極検知
204.10 ms typ.
S-5712BCDL1-I4T1U
CMOS出力
両極検知
204.10 ms typ.
S-5712BCDL2-I4T1U
CMOS出力
両極検知
204.10 ms typ.
S-5712BCDH1-I4T1U
CMOS出力
両極検知
204.10 ms typ.
S-5712BCDH2-I4T1U
CMOS出力
両極検知
S-5712CCDL1-I4T1U
5.70 ms typ.
CMOS出力
両極検知
S-5712CCDH1-I4T1U
5.70 ms typ.
CMOS出力
S極検知
S-5712CCSL1-I4T1U
6.05 ms typ.
CMOS出力
N極検知
S-5712CCNL1-I4T1U
6.05 ms typ.
備考上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください。
セイコーインスツル株式会社
磁気検出論理
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
アクティブ
"L"
"L"
"H"
"H"
"L"
"L"
"H"
"H"
"L"
"L"
"L"
"L"
"H"
"H"
"L"
"H"
"L"
"L"
磁気感度 (BOP)
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
4.5 mT
3.0 mT
3.0 mT
3.0 mT
3.0 mT
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
typ.
5
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
ホールIC
Rev.4.4_00
ピン配置図
1.
SOT-23-3
表6
Top view
1
2
端子番号
1
2
3
端子記号
VSS
VDD
OUT
端子内容
GND端子
電源端子
出力端子
3
図3
2.
SNT-4A
表7
Top view
1
2
4
3
図4
6
端子番号
端子記号
端子内容
電源端子
1
VDD
GND端子
2
VSS
無接続
NC*1
3
出力端子
4
OUT
*1. NCは電気的にオープンを示します。
そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
絶対最大定格
表8
項目
(特記なき場合 : Ta = +25°C)
絶対最大定格
単位
記号
電源電圧
出力電流
VDD
IOUT
Nchオープンドレイン出力品
VOUT
CMOS出力品
SOT-23-3
許容損失
PD
SNT-4A
動作周囲温度
Topr
保存温度
Tstg
*1. 基板実装時
[実装基板]
(1) 基板サイズ : 114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
(2) 名称
: JEDEC STANDARD51-7
出力電圧
VSS − 0.3 ~ VSS + 7.0
±1.0
VSS − 0.3 ~ VSS + 7.0
VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
430*1
*1
300
−40 ~ +85
−40 ~ +125
V
mA
V
V
mW
mW
°C
°C
注意絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、
製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
許容損失 (PD) [mW]
600
SOT-23-3
400
SNT-4A
200
0
図5
0
100
50
周囲温度 (Ta) [°C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
セイコーインスツル株式会社
7
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
ホールIC
Rev.4.4_00
電気的特性
1.
両極検知品
1. 1
S-5712AxDxx
表9
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
項目
電源電圧
消費電流
記号
VDD
IDD
出力電圧
VOUT
リーク電流
ILEAK
アウェイクモード時間
スリープモード時間
駆動周期
tAW
tSL
tCYCLE
1. 2
条件
Min.
Typ.
Max.
単位
測定
回路
−
1.60
−
1.85
2.0
3.50
4.0
V
μA
−
1
−
−
0.4
V
2
−
−
0.4
V
2
VDD −
0.4
−
−
V
3
−
−
1
μA
4
−
−
−
0.10
50.40
50.50
−
−
100.00
ms
ms
ms
−
−
−
平均値
Nchオープン
ドレイン出力品
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
CMOS出力品
出力トランジスタPch,
IOUT = −0.5 mA
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = 3.5 V
−
−
tAW + tSL
S-5712BxDxx
表10
項目
電源電圧
消費電流
出力電圧
記号
VDD
IDD
VOUT
リーク電流
ILEAK
アウェイクモード時間
スリープモード時間
駆動周期
tAW
tSL
tCYCLE
8
条件
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
測定
単位
Min.
Typ.
Max.
回路
−
平均値
Nchオープン
ドレイン出力品
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
CMOS出力品
出力トランジスタPch,
IOUT = −0.5 mA
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = 3.5 V
−
−
tAW + tSL
セイコーインスツル株式会社
1.60
−
1.85
1.0
3.50
2.0
V
μA
−
1
−
−
0.4
V
2
−
−
0.4
V
2
VDD −
0.4
−
−
V
3
−
−
1
μA
4
−
−
−
0.10
204.00
204.10
−
−
400.00
ms
ms
ms
−
−
−
低電圧動作
Rev.4.4_00
1. 3
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
S-5712CxDxx
表11
項目
電源電圧
消費電流
出力電圧
記号
VDD
IDD
VOUT
リーク電流
ILEAK
アウェイクモード時間
スリープモード時間
駆動周期
tAW
tSL
tCYCLE
条件
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
測定
単位
Min.
Typ.
Max.
回路
−
平均値
Nchオープン
ドレイン出力品
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
CMOS出力品
出力トランジスタPch,
IOUT = −0.5 mA
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = 3.5 V
−
−
tAW + tSL
セイコーインスツル株式会社
1.60
−
1.85
12.0
3.50
22.0
V
μA
−
1
−
−
0.4
V
2
−
−
0.4
V
2
VDD −
0.4
−
−
V
3
−
−
1
μA
4
−
−
−
0.10
5.60
5.70
−
−
12.00
ms
ms
ms
−
−
−
9
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
2.
ホールIC
Rev.4.4_00
S極、N極検知品
2. 1
S-5712AxSxx, S-5712AxNxx
表12
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
項目
電源電圧
消費電流
記号
VDD
IDD
出力電圧
VOUT
リーク電流
ILEAK
アウェイクモード時間
スリープモード時間
駆動周期
tAW
tSL
tCYCLE
2. 2
条件
Min.
Typ.
Max.
単位
測定
回路
−
1.60
−
1.85
1.4
3.50
3.0
V
μA
−
1
−
−
0.4
V
2
−
−
0.4
V
2
VDD −
0.4
−
−
V
3
−
−
1
μA
4
−
−
−
0.05
50.80
50.85
−
−
100.00
ms
ms
ms
−
−
−
平均値
Nchオープン
ドレイン出力品
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
CMOS出力品
出力トランジスタPch,
IOUT = −0.5 mA
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = 3.5 V
−
−
tAW + tSL
S-5712CxSxx, S-5712CxNxx
表13
項目
電源電圧
消費電流
出力電圧
記号
VDD
IDD
VOUT
リーク電流
ILEAK
アウェイクモード時間
スリープモード時間
駆動周期
tAW
tSL
tCYCLE
10
条件
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
測定
単位
Min.
Typ.
Max.
回路
−
平均値
Nchオープン
ドレイン出力品
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
出力トランジスタNch,
IOUT = 0.5 mA
CMOS出力品
出力トランジスタPch,
IOUT = −0.5 mA
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = 3.5 V
−
−
tAW + tSL
セイコーインスツル株式会社
1.60
−
1.85
6.0
3.50
11.0
V
μA
−
1
−
−
0.4
V
2
−
−
0.4
V
2
VDD −
0.4
−
−
V
3
−
−
1
μA
4
−
−
−
0.05
6.00
6.05
−
−
12.00
ms
ms
ms
−
−
−
低電圧動作
Rev.4.4_00
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
磁気的特性
1.
両極検知品
1. 1
BOP = 3.0 mT typ.品
表14
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*3
1. 2
記号
S極
N極
S極
N極
S極
N極
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
BHYSS
BHYSN
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
単位
測定回路
Min.
Typ.
Max.
条件
−
−
−
−
BHYSS = BOPS − BRPS
BHYSN = |BOPN − BRPN|
1.4
−4.0
1.1
−3.7
−
−
3.0
−3.0
2.2
−2.2
0.8
0.8
4.0
−1.4
3.7
−1.1
−
−
mT
mT
mT
mT
mT
mT
5
5
5
5
5
5
BOP = 4.5 mT typ.品
表15
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*3
2.
記号
S極
N極
S極
N極
S極
N極
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
BHYSS
BHYSN
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
単位測定回路
Min.
Typ.
Max.
条件
−
−
−
−
BHYSS = BOPS − BRPS
BHYSN = |BOPN − BRPN|
2.5
−6.0
2.0
−5.5
−
−
4.5
−4.5
3.5
−3.5
1.0
1.0
6.0
−2.5
5.5
−2.0
−
−
mT
mT
mT
mT
mT
mT
5
5
5
5
5
5
S極検知品
2. 1
BOP = 3.0 mT typ.品
表16
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*3
2. 2
記号
S極
S極
S極
BOPS
BRPS
BHYSS
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
単位
測定回路
Min.
Typ.
Max.
条件
−
−
BHYSS = BOPS − BRPS
1.4
1.1
−
3.0
2.2
0.8
4.0
3.7
−
mT
mT
mT
5
5
5
BOP = 4.5 mT typ.品
表17
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*3
記号
S極
S極
S極
BOPS
BRPS
BHYSS
条件
−
−
BHYSS = BOPS − BRPS
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
単位
測定回路
Min.
Typ.
Max.
2.5
2.0
−
セイコーインスツル株式会社
4.5
3.5
1.0
6.0
5.5
−
mT
mT
mT
5
5
5
11
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
3.
ホールIC
Rev.4.4_00
N極検知品
3. 1
BOP = 3.0 mT typ.品
表18
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*3
3. 2
記号
N極
N極
N極
BOPN
BRPN
BHYSN
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
単位
測定回路
Min.
Typ.
Max.
条件
−
−
BHYSN = |BOPN − BRPN|
−4.0
−3.7
−
−3.0
−2.2
0.8
−1.4
−1.1
−
mT
mT
mT
5
5
5
BOP = 4.5 mT typ.品
表19
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*3
*1.
*2.
*3.
備考
12
記号
N極
N極
N極
BOPN
BRPN
BHYSN
条件
−
−
BHYSN = |BOPN − BRPN|
(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 1.85 V, VSS = 0 V)
単位
測定回路
Min.
Typ.
Max.
−6.0
−5.5
−
−4.5
−3.5
1.0
−2.5
−2.0
−
mT
mT
mT
5
5
5
BOPN, BOPS : 動作点
磁石 (N極またはS極) からS-5712シリーズが受ける磁束密度を大きくした (磁石を近づけた) とき、出力電圧 (VOUT)
が切り換わる時点の磁束密度の値を指します。
BOPN, BOPSより磁束密度を大きくしても、VOUTは状態を保持します。
BRPN, BRPS : 復帰点
磁石 (N極またはS極) からS-5712シリーズが受ける磁束密度を小さくした (磁石を遠ざけた) とき、出力電圧 (VOUT)
が切り換わる時点の磁束密度の値を指します。
BRPN, BRPSより磁束密度を小さくしても、VOUTは状態を保持します。
BHYSN, BHYSS : ヒステリシス幅
BOPNとBRPN、およびBOPSとBRPSの磁束密度の差をそれぞれ指します。
磁束密度の単位mTは、1 mT = 10 Gauss換算となります。
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
測定回路
A
*1
R
100 kΩ
VDD
S-5712
シリーズ OUT
VSS
*1.
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図6
測定回路1
VDD
S-5712
シリーズ OUT
VSS
図7
A
V
測定回路2
VDD
S-5712
シリーズ OUT
VSS
図8
A
V
測定回路3
セイコーインスツル株式会社
13
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
ホールIC
Rev.4.4_00
VDD
S-5712
シリーズ OUT
A
VSS
V
図9
測定回路4
*1
R
100 kΩ
VDD
S-5712
シリーズ OUT
VSS
*1.
V
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図10
14
測定回路5
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
標準回路
*1
VDD
CIN
0.1 μF
*1.
R
100 kΩ
S-5712
シリーズ OUT
VSS
CMOS出力品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図11
注意
上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、
定数を設定してください。
セイコーインスツル株式会社
15
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
ホールIC
Rev.4.4_00
動作説明
1.
磁束印加方向
S-5712シリーズは、マーキング面に対して垂直方向の磁束密度を検出します。
両極検知品の場合は、マーキング面にS極またはN極を近づけると出力電圧 (VOUT) が反転します。
S極検知品の場合は、マーキング面にS極を近づけるとVOUTが反転します。
N極検知品の場合は、マーキング面にN極を近づけるとVOUTが反転します。
図12、図13に、磁束印加方向を示します。
1. 1
SOT-23-3
1. 2
SNT-4A
N
S
N
S
マーキング面
マーキング面
図12
2.
図13
ホールセンサ位置
図14、図15に、ホールセンサの位置を示します。
ホールセンサの中心は、下図に示すようにパッケージ中央の丸印で示した領域に位置します。
また、パッケージのマーキング面からチップ表面までの距離 (typ.値) も示します。
2. 1
SOT-23-3
2. 2
SNT-4A
Top view
2
Top view
ホールセンサの中心
(φ 0.3 mm内)
1
1
ホールセンサの中心
(φ 0.3 mm内)
4
2
3
3
0.16 mm (typ.)
0.7 mm (typ.)
図14
16
図15
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
3.
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
基本動作
S-5712シリーズは、磁石などから受ける磁束密度 (N極またはS極) の大小により出力電圧 (VOUT) レベルを切り換
えます。
以下に、磁気検出論理がアクティブ "L" の場合の動作を説明します。
3. 1
両極検知品
磁石のS極またはN極がS-5712シリーズのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向の磁束密度が動
作点 (BOPNまたはBOPS) より大きくなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。また、磁石のS極またはN
極がS-5712シリーズのマーキング面から遠ざかり、磁束密度が復帰点 (BRPNまたはBRPS) より小さくなると、
VOUTは "L" から "H" に切り換わります。
図16に、磁束密度とVOUTの関係を示します。
VOUT
BHYSN
BHYSS
H
L
N極
BOPN
BRPN
0
BRPS
BOPS
S極
磁束密度 (B)
図16
3. 2
S極検知品
磁石のS極がS-5712シリーズのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向の磁束密度がBOPSより大き
くなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。また、磁石のS極がS-5712シリーズのマーキング面から遠
ざかり、磁束密度がBRPSより小さくなると、VOUTは "L" から "H" に切り換わります。
図17に、磁束密度とVOUTの関係を示します。
VOUT
BHYSS
H
L
N極
0
BRPS
BOPS
S極
磁束密度 (B)
図17
セイコーインスツル株式会社
17
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
3. 3
ホールIC
Rev.4.4_00
N極検知品
磁石のN極がS-5712シリーズのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向の磁束密度がBOPNより大き
くなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。また、磁石のN極がS-5712シリーズのマーキング面から遠
ざかり、磁束密度がBRPNより小さくなると、VOUTは "L" から "H" に切り換わります。
図18に、磁束密度とVOUTの関係を示します。
VOUT
BHYSN
H
L
N極
BOPN
BRPN
0
S極
磁束密度 (B)
図18
18
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
注意事項
・電源のインピーダンスが高い場合、貫通電流などを原因とした電源電圧降下によって、ICが誤動作する可能性が
あります。電源のインピーダンスが低くなるように十分注意してパターン配線してください。
・電源電圧が急峻に変化すると、ICが誤動作する可能性がありますので注意してください。
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されない
ようにしてください。
・本ICに大きな応力が加わると、磁気的特性が変化することがあります。基板に実装する際の基板の曲がりや歪み、
実装後の取り扱いなどによりICに大きな応力が加わらないように注意してください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当IC
を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
セイコーインスツル株式会社
19
低電圧動作両極 / 片極検知型
S-5712シリーズ
ホールIC
Rev.4.4_00
マーキング仕様
1.
SOT-23-3
Top view
(1) ~ (3)
(4)
1
: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照)
: ロットナンバー
(1) (2) (3) (4)
2
3
製品名と製品略号の対照表
1. 1
Nchオープンドレイン出力品
製品名
S-5712ANDL1-M3T1U
S-5712ANDL2-M3T1U
S-5712ANSL1-M3T1U
S-5712ANSL2-M3T1U
1. 2
製品略号
(2)
A
A
A
A
(3)
B
C
J
K
(1)
X
X
X
X
X
X
X
X
製品略号
(2)
B
B
B
B
B
B
B
B
(3)
B
C
F
G
J
K
R
S
CMOS出力品
製品名
S-5712ACDL1-M3T1U
S-5712ACDL2-M3T1U
S-5712ACDH1-M3T1U
S-5712ACDH2-M3T1U
S-5712ACSL1-M3T1U
S-5712ACSL2-M3T1U
S-5712ACNL1-M3T1U
S-5712ACNL2-M3T1U
20
(1)
X
X
X
X
セイコーインスツル株式会社
低電圧動作
Rev.4.4_00
2.
両極 / 片極検知型ホールIC
S-5712シリーズ
SNT-4A
Top view
(1) ~ (3)
1
: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照)
4
(1) (2) (3)
2
3
製品名と製品略号の対照表
2. 1
Nchオープンドレイン出力品
製品名
S-5712ANDL1-I4T1U
S-5712ANDL2-I4T1U
S-5712ANSL1-I4T1U
S-5712ANSL2-I4T1U
2. 2
(1)
X
X
X
X
製品略号
(2)
A
A
A
A
(3)
B
C
J
K
(1)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
製品略号
(2)
B
B
B
B
B
B
B
B
B
B
D
D
D
D
F
F
F
F
(3)
B
C
F
G
J
K
N
O
R
S
B
C
F
G
B
F
J
R
CMOS出力品
製品名
S-5712ACDL1-I4T1U
S-5712ACDL2-I4T1U
S-5712ACDH1-I4T1U
S-5712ACDH2-I4T1U
S-5712ACSL1-I4T1U
S-5712ACSL2-I4T1U
S-5712ACSH1-I4T1U
S-5712ACSH2-I4T1U
S-5712ACNL1-I4T1U
S-5712ACNL2-I4T1U
S-5712BCDL1-I4T1U
S-5712BCDL2-I4T1U
S-5712BCDH1-I4T1U
S-5712BCDH2-I4T1U
S-5712CCDL1-I4T1U
S-5712CCDH1-I4T1U
S-5712CCSL1-I4T1U
S-5712CCNL1-I4T1U
セイコーインスツル株式会社
21
2.9±0.2
1
2
3
0.16 +0.1
-0.06
0.95±0.1
1.9±0.2
0.4±0.1
No. MP003-C-P-SD-1.0
TITLE
SOT233-C-PKG Dimensions
No.
MP003-C-P-SD-1.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
+0.1
ø1.5 -0
4.0±0.1
2.0±0.1
+0.25
ø1.0 -0
0.23±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
3.2±0.2
1
2
3
Feed direction
No. MP003-C-C-SD-2.0
TITLE
SOT233-C-Carrier Tape
No.
MP003-C-C-SD-2.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
12.5max.
9.2±0.5
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
No. MP003-Z-R-SD-1.0
SOT233-C-Reel
TITLE
MP003-Z-R-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
3,000
1.2±0.04
3
4
+0.05
0.08 -0.02
2
1
0.65
0.48±0.02
0.2±0.05
No. PF004-A-P-SD-4.0
TITLE
SNT-4A-A-PKG Dimensions
PF004-A-P-SD-4.0
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
+0.1
ø1.5 -0
4.0±0.1
2.0±0.05
0.25±0.05
+0.1
5°
1.45±0.1
2
1
3
4
ø0.5 -0
4.0±0.1
0.65±0.05
Feed direction
No. PF004-A-C-SD-1.0
TITLE
SNT-4A-A-Carrier Tape
PF004-A-C-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. PF004-A-R-SD-1.0
SNT-4A-A-Reel
TITLE
PF004-A-R-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
5,000
0.52
2
1.16
0.52
0.35
1.
2.
0.3
1
(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)
(1.10 mm ~ 1.20 mm)
0.03 mm
1. Pay attention to the land pattern width (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.).
2. Do not widen the land pattern to the center of the package (1.10 mm to 1.20 mm).
Caution 1. Do not do silkscreen printing and solder printing under the mold resin of the package.
2. The thickness of the solder resist on the wire pattern under the package should be 0.03 mm
or less from the land pattern surface.
3. Match the mask aperture size and aperture position with the land pattern.
4. Refer to "SNT Package User's Guide" for details.
※1.
1. 䇋⊼ᛣ⛞Ⲭ῵ᓣⱘᆑᑺ(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)Ǆ
2. 䇋䇋࣓৥ᇕ㺙Ё䯈ᠽሩ⛞Ⲭ῵ᓣ (1.10 mm ~ 1.20 mm)Ǆ
※2.
⊼ᛣ1. 䇋࣓೼ᷥ㛖ൟᇕ㺙ⱘϟ䴶ॄࠋϱ㔥ǃ⛞䫵Ǆ
2. ೼ᇕ㺙ϟǃᏗ㒓Ϟⱘ䰏⛞㝰८ᑺ (Ң⛞Ⲭ῵ᓣ㸼䴶䍋) 䇋᥻ࠊ೼0.03 mmҹϟǄ
3. ᥽㝰ⱘᓔষሎᇌ੠ᓔষԡ㕂䇋Ϣ⛞Ⲭ῵ᓣᇍ唤Ǆ
4. 䆺㒚‫ݙ‬ᆍ䇋খ䯙 "SNTᇕ㺙ⱘᑨ⫼ᣛफ"Ǆ
TITLE
SNT-4A-A-Land Recommendation
PF004-A-L-SD-4.0
No.
No. PF004-A-L-SD-4.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
www.sii-ic.com
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基づく日本国政府の輸出許可が必要です。
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車両機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、及び原子力関連機器等、人体に影響を及ぼす機器または装置の部品とし
て使用することはできません。
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誤動作により、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設
計などの安全設計に十分ご留意ください。

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