SiCデバイス/SiC Devices
2
■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
■特長 Features
@Y
高性能チップ適用
· Z'\^@&&
・低損失の V シリーズ IGBT
· _#_^`@&&
SiC
・低損失の SiC-SBD
Y{&"&_#'\^
従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換
Y&
■２個組 1700V クラス Standard 2-pack 1700 volts class
Ic
400A 2MSI400VE-170-50
1700V
V Series, SiC-SBD
M277
Dimension [mm]
型 式
`"$
○
VCES
VGES
Z& Vo&s
1700 ±20
2MSI400VE-170-50
IC
PC
Con.
VCE(s) (VGE=15V) スイッチングタイム Sicin ime
$
o@@
@
IC
$
T$.
T$.
Ams. Ws Z&
Ams.
400 3840
2.00
400
TBD
TBD
TBD
パッケージ 質量
{ Y
\Y
M277
470
○：開発中 Under de"e&omen
■６個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class
Thermistor
N
P
Ic
100A 6MSI100VB-120-50
P
U
V
U
W
M633
V
1200V
V Series, SiC-SBD
W
N
Solder pins
Dimension [mm]
型 式
`"$
○
VCES
VGES
Z& Vo&s
1200 ±20
6MSI100VB-120-50
PC
IC
Con.
VCE(s) (VGE=15V) スイッチングタイム Sicin ime
$
o@@
@
IC
$
T$.
T$.
Ams. Ws Z&
Ams.
100
520
1.75
100
0.39
0.42
0.05
パッケージ 質量
{ Y
\Y
M633
300
○：開発中 Under de"e&omen
注: EconoPACK™はInneon Tecno&oies社の登録商標です。
Noe: EconoPACK™ is reisered rdemr{s o@ Inneon Tecno&oies AG, Germn$.
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 600, 1200V クラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
Thermistor
B
P P)
P
P1
N
N1
R
S
T
U
V
Ic
W
R
M712
S
T
B
U
V
W
N N)
600V
V Series, SiC-SBD
35A
50A 7MSR50VB060-50
75A 7MSR75VB060-50
100A 7MSR100VB060-50
1200V
V Series, SiC-SBD
7MSR35VB120-50
7MSR50VB120-50
Dimension [mm]
型 式
`"$
○
○
○
○
○
7MSR50VB060-50
7MSR75VB060-50
7MSR100VB060-50
7MSR35VB120-50
7MSR50VB120-50
ブレーキ部 Br{e [IGBT+FED] コンバータ部 Con"erer [Diode]
インバータ部 In"erer [IGBT]
PC
VCE(s) VCES
IC
VRRM VRRM
IO
VFM
IFSM
VCES IC
$
$
Con.
Con.
Con.
Z& Ams. Ws Z&
Z&
Z& Z&
Ams.
Ams. Z&
Ams.
600
50
215
1.6
600
50
600
800
50
1.3
210
600
75
300
1.6
600
50
600
800
75
1.25
500
600
100
335
1.6
600
50
600
800
100
1.25
700
1200
35
210
1.85
1200
25
1200 1600
35
1.35
260
1200
50
280
1.85
1200
35
1200 1600
50
1.35
360
○：開発中 Under de"e&omen
注: EconoPIM™はInneon Tecno&oies社の登録商標です。
Noe: EconoPIM™ is reisered rdemr{s o@ Inneon Tecno&oies AG, Germn$.
26
パッケージ 質量
{ Y
\Y
M712
300
M712
300
M712
300
M712
300
M712
300
SiCデバイス/SiC Devices
2
■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD)
■特長 Features
低スイッチング特性
・電源の高周波動作、システムの小型軽量化
#Z~YY&&
低 IR 特性
#'
・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化
高逆サージ耐量
·
\#Y#
@@$
"&&$
■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series
SiC-SBD Series
結線
シングル
VRRM (V)
600
デュアル
1200
600
1200
型 式
`"$
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
FDCP10S60
FDCP20C60
FDCP25S60
FDCA10S60
FDCA20C60
FDCA25S60
FDCY10S60
FDCY20C60
FDCY25S60
FDCY50C60
FDCP18S120
FDCA18S120
FDCY18S120
FDCY36C120
TO-220
TO-220F
TO-247
Io (A)
10
25
18
20
50
36
絶対最大定格
Mximm rin
IO *1
VRRM
Z&
Ams.
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
IFSM *2
Ams.
10
20
25
10
20
25
10
20
25
50
18
18
18
36
50
50
100
50
50
100
50
50
100
100
90
90
90
90
接合温度
Term& rin
Tj (°C)
MAX
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
電気的特性 (T=25°C)
Crcerisics
VFM
IRRM *3
*!Z&
MAX. μA
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.6
10
1.7
10
1.7
10
1.7
10
1.7
10
パッケージ
{
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220F
TO-220F
TO-220F
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
TO-220
TO-220F
TO-247
TO-247
○：開発中 Under de"e&omen
*1 50} 方形波 d$=1/2
*2 正弦波 10ms
*3 VR=VRRM
*1 50} S|re "e d$=1/2
*2 Sine &@ "e, 10ms
*3 VR=VRRM
27
SiC
· #@|$Y}"
低 VF 特性（温度依存性が小さい）
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