[25A2-W-0001a] PDF

総合カタログ
富士電機半導体
FUJI SEMICONDUCTORS
CONTENTS
Page
Features of the IGBT Module......................................................................2
Products Map ................................................................................................3
Standard 1-pack 1200 volts class .............................................................5
Chopper 600, 1200 volts class..................................................................5
Standard 2-pack 600, 1200, 1700 volts class .......................................6
High Speed 1200 volts class .....................................................................8
High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class ...............................9
PrimePACK ™ 1200, 1700 volts class.................................................. 10
6-pack EconoPACK ™ 600, 1200, 1700 volts class .......................... 12
AT-NPC 3 level Modules ......................................................................... 14
Discrete RB-IGBT Reverse Blocking IGBT ........................................... 15
Small PIM/Built-in converter and brake 600, 1200 volts class ......... 16
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM ™ 600, 1200 volts class ........ 17
Small IPM (Intelligent Power Module) 600 volts class ........................ 19
IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class ....................... 20
Discrete IGBTs V series ........................................................................... 24
Features of IGBT IPM for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle ......... 25
Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle .... 25
SiC
IGBT モジュールの特長
製品系列マップ
1 個組 1200V クラス
チョッパー 600V, 1200V クラス
２個組 600V, 1200V, 1700V クラス
高速 IGBT モジュール 1200V クラス
ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300V クラス
PrimePACK ™ 1200V, 1700V クラス
６個組 EconoPACK ™ 600V, 1200V, 1700V クラス
アドバンスド T タイプ NPC 3 レベル回路
ディスクリート RB-IGBT
小容量 PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）600V, 1200V クラス
PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM ™ 600V, 1200V クラス
小容量 IPM（Intelligent Power Module）600V クラス
IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200V クラス
ディスクリート IGBT V シリーズ
EV, HEV 用 IGBT IPM の特長
HEV 用 IGBT モジュールの特長
IGBT
1. パワーデバイス /Power Devices (IGBT)
SiC-SBD 搭載 IGBT ハイブリッドモジュール V シリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series ....................................... 26
SiC ショットキーバリアダイオード
SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD) ........................................................ 27
IC
2. SiC デバイス /SiC Devices
3. 集積回路 /Integrated Circuits
Features of the Super J-MOSTM series ................................................... 41
Features of the SuperFAP-E3, E3S series ............................................... 42
Features of the SuperFAP-G series ........................................................ 42
Super J-MOSTM series ............................................................................... 44
SuperFAP-E3 series ................................................................................... 46
SuperFAP-E3S Low Qg series................................................................... 50
SuperFAP-G series .................................................................................... 52
Trench Power MOSFET............................................................................ 57
Automotive Super J-MOSTM series .......................................................... 58
Automotive Super J-MOSTM Built-in FRED series................................. 58
Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series.............................................. 59
Automotive SuperFAP-E3S Low Qg Built-in FRED series .................... 60
Automotive Trench Power MOSFET....................................................... 60
Automotive Intelligent Power MOSFET .................................................. 61
Automotive IPS series (Intelligent Power Switches) ............................. 61
5. 整流ダイオード /Rectiﬁer Diodes
SBD, LLD の特長
ショットキーバリアダイオード
超低 IR ショットキーバリアダイオード
低 IR ショットキーバリアダイオード
スーパー LLD 2（臨界モード PFC 回路用）
スーパー LLD3
（連続モード PFC 回路用）
低損失超高速ダイオード
低損失超高速低ノイズダイオード
ショットキーバリアダイオード
低損失超高速ダイオード
600V 超高速ダイオード
1200V 低ノイズ高速ダイオード
Features of the SBD, LLD ........................................................................ 62
Schottky-Barrier Diodes (SBD) ................................................................ 64
Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes ..................................................... 66
Low IR Schottky-Barrier Diodes .....................................................................67
Super LLD 2 (Critical mode PFC) ........................................................... 71
Super LLD 3 (Continuous mode PFC).................................................... 72
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) .................................................. 73
Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) .......................................... 74
Schottky-Barrier Diodes (SBD) ................................................................ 75
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) .................................................. 75
Ultra Fast Recovery Diodes ..................................................................... 76
Soft Recovery Fast Recovery Diodes ..................................................... 77
6. 圧力センサ /Pressure Sensors
圧力センサ
外形図
注文単位
型式索引
保守移行機種
廃型機種
お知らせ
Pressure Sensors ....................................................................................... 78
Outline ................................................................................................................................................. 79
Order Quantity .............................................................................................................................. 94
Type Number Index .................................................................................................................. 95
Maintenance products ............................................................................................................ 99
Discontinued products ......................................................................................................... 100
Information ..................................................................................................................................... 102
Diode
Super J-MOSTM シリーズの特長
SuperFAP-E3, E3S シリーズの特長
SuperFAP-G シリーズの特長
Super J-MOSTM シリーズ
SuperFAP-E3 シリーズ
SuperFAP-E3S 低 Qg シリーズ
SuperFAP-G シリーズ
中耐圧トレンチシリーズ
自動車用 Super J-MOSTM シリーズ
自動車用 Super J-MOSTM 高速ダイオード内蔵シリーズ
自動車用 SuperFAP-E3S 低 Qg シリーズ
自動車用 SuperFAP-E3S 低 Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ
自動車用トレンチ MOSFET
自動車用高機能パワー MOSFET
自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ）
Pressure Sensor
4. パワー MOSFET/Power MOSFETs
MOSFET
Features of Power Supply control ICs .................................................... 28
AC/DC Power Supply control ICs .......................................................... 30
High and Low side driver IC (HVIC)........................................................ 39
DC/DC Power Supply control ICs .......................................................... 40
Outline
電源制御用 IC の特長
AC/DC 電源制御用 IC
ハイサイド・ローサイドドライバ IC
DC/DC 電源制御用 IC
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module
■特長 Features
パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！
・高性能、低損失な第六世代 V シリーズ IGBT チップ・FWD
を使用
・Tj max175℃、連続動作保証 150℃
環境に優しいモジュール
・豊富な組立性、ハンダレス組立への対応
・RoHS 対応（一部除外）
A compact design allows for greater power output
· High performance 6th gen. V series IGBT/FWD chipset
· Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C
Environmentally friendly modules
· Easy assemblage, solder free options
· RoHS compliant (Some parts are exceptional.
See Part numbers.)
Turn-on switching characteristics
· Improved noise-loss trade-off
· Reduced turn-on dv/dt, excellent turn-on dic/dt
ターンオン特性
・ノイズ−損失トレードオフの改善
・dv/dt, dic/dt 低減によるノイズ・振動の抑制
Turn-off switching characteristic
· Soft switching behavior, turn-off oscillation free
ターンオフ特性
・ソフトスイッチング特性・ターンオフ振動の抑制
■製品系列 Product lineup
Number of IGBT Switches
Products Category
1
2
1,2
6
Page
Standard 1-pack
Chopper
Standard 2-pack
High Speed Module
High Power Module
PrimePACK™
6-pack
4,12 AT-NPC 3 level
1
Discrete RB-IGBT
7
PIM
6,7
IPM
1
2
6
Discrete IGBT
IPM for EV/HEV
6-pack for EV/HEV
Internal Conﬁguration
IGBT Module
Power
Intelligent Discrete
600V
Standard
IGBT
Integrated Power
Module
Module
Module
5
5
6
7
8
9
10
12
13
14 Reverse-Blocking IGBTs are integrated.
15
16
17
19
20
24
25
25
Max VCE
Rated Current
1200V 1700V 3300V
50A
>50A >150A >300A >600A
>1200A
150A 300A 600A 1200A
注: PrimePACK™はInneon Technologies社の登録商標です。
Note: PrimePACK™ is registered trademark of Inneon Technologies AG, Germany.
■型式の見方 Part numbers
2MBI300VH-120-50 (example)
2
MB
IGBT スイッチ数
IGBT モジュール
Number of IGBT
IGBT Module
Switches
I
300
V
H
120
50
内部構成
Internal
Conﬁguration
Rated Current
定格電流
IGBT デバイス
IGBT Device
Technology
パッケージ
Package Type
最大電圧
Max. VCE
RoHS
compliant
I: Standard Modules × 1
R: Power Integrated
Modules
P: Intelligent Power
Modules
V: V series (6th See the
None, 01 to 49
060: 600V
Generation) Products Map
Non RoHS Compliant
on
the
next
U: U series (5th
50 to 99
120: 1200V
Generation) pages
RoHS Compliant
170: 1700V
330: 3300V
2
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ 製品系列マップ Products Map
O1-pack / 2-pack Products Map
Ic
(A)
600V
1200V
1700V
3300V
VS
VD
VD
3600
VR
VC
VC
2400
1-pack
1MBI Ic
M152
V
M152
M156
UE
1500
VXB
M151
M155
M151
M156
UG
1000
V
900
M272
VXA
800
VD
VE
VN
VJ
VX
VE
VXA
M271
VN M256 VJ
M278 M260
M256 M271
M278
M277
VH
VD
VB
IGBT series
&
Package type
- Vces
VA
34 × 94 mm
VB
45 × 92 mm
VD
62 × 108 mm
VE
80 × 110 mm
VH
62 × 108 mm
VJ, VN, VX
62 × 150 mm
VG, VT
M155
600
450
400
2MBI Ic
VT
VG
VG
62 × 108 mm Standard Pack
2-pack
VXB
M272
1200
- Vces
VC, VR, UG 140 × 130 mm High Power
VD, VS, UE 140 × 190 mm Module
1600
1400
IGBT series
&
Package type
140 × 130 mm
VXA
89 × 172 mm
VXB
89 × 250 mm
Standard Pack
High Power
Module
PrimePACK™
PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商
標です。
PrimePACK™ is registered trademark of Infineon
Technologies AG, Germany
VE
M153
VH
300
M275
VB
M274 M275
225 VA
200
150
100
75 M263
0
VA
M277 M254
M277
VN: M254
VJ: M260
VX: M282
M276
M274
VA M276
M263
M263
600V
1200V
2-pack
1-pack
開発中 Under development
3300V
1700V
2-pack
1-pack
2-pack
1-pack
OPIM & 6-pack Products Map
Ic
(A)
550
600V
1200V
1700V
V
Power Integrated Module
7MBR Ic
V
450
300
225
180
150
VZ
VR
VB
100
VY
VP
VZ
VX
VR
VN
VX
VB
VX
VB
VKA, VKC
33.8 × 62.8 mm
VKB, VKD
56.7 × 62.8 mm
VA, VM, VP, VW, VY
45 × 107.5 mm
VB, VN, VR, VX, VZ
62 ×
IGBT series &
Package type
- Vces
Ic
VA, VW
U4B
VW
VA
VW
VA
122 mm
VB, VX, U4B
V
45 × 107.5 mm
62 ×
122 mm
150 ×
162 mm
VB
75
35
30
25
20
15
10
0
- Vces
6-pack
6MBI
50
IGBT series &
Package type
VKD
VKB
VY
VW
VP
VM
VA
VKD
VKB
VKC
VKA
VA
VKC
VKA
600V
PIM
6-pack
1200V
PIM
6-pack
1700V
6-pack
3
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ 製品系列マップ Products Map
OIntelligent Power Module Products Map
Ic
(A)
400
600V
1200V
6/7MBP Ic IGBT series
VEA
&
Package type
VR□, VS□
300
VDA
VDN
VEA
P631
150
VDA
VFN
100
P631
VBA
75
VBA
VAA
50
P626
P636
VFN
P630
P630
VR□
VS□
35
30
25
20
15
P633
10 P633A
0
VAA
P626
P636
P630
P629
P629
600V
開発中 Under development
4
VDN
P630
1200V
7 in 1 6 in 1
26 ×
43 mm
–
VAA
49.5 ×
70 mm
–
VBA
50.2 ×
87 mm
–
VDA, VDN
200
- Vces
84 × 128.5 mm
VEA
110 ×
142 mm
VFN*
55 ×
90 mm
VR□, VS□, type is Small IPM with High
Voltage Driver-IC.
Thermal impedance of VDN type is lower than
VDA type.
Thermal impedance of VFN type is lower than
VBA type.
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ 1個組 1200Vクラス Standard 1-pack 1200 volts class
1200V
V series
Ic
Aluminium oxide DCB
400A 1MBI400V-120-50
600A 1MBI600V-120-50
900A 1MBI900V-120-50
Aluminium nitride DCB
1MBI400VF-120-50
1MBI600VF-120-50
M153
Dimension [mm]
型式
Device type
VCES
VGES
IC
Cont.
Volts Volts
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1MBI400V-120-50
1MBI600V-120-50
1MBI900V-120-50
1MBI400VF-120-50
1MBI600VF-120-50
PC
Amps. Watts
400 2410
600 3000
900 4280
400 3330
600 4680
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
IC
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
400
0.60
1.10
0.14
1.75
600
0.70
0.90
0.10
1.75
900
0.70
0.85
0.10
1.90
400
0.60
1.10
0.14
1.75
600
0.70
0.90
0.10
1.75
パッケージ質量
Package
Net mass
M153
M153
M153
M153
M153
Grams
380
380
380
380
380
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
■ チョッパー 600V, 1200Vクラス Chopper 600, 1200 volts class
Inverse Diode
FWD
C1
E2
NC
94
G1 E1 E1C2
G2 E2
Ic
50A
75A
100A
150A
600V
U series
1200V
U series
V series
1MBI50U4F-120L-50
1MBI75U4F-120L-50
1MBI100U4F-120L-50
1MBI150VA-120L-50
M262
200A
1MBI200U4H-120L-50
300A 1MBI300U2H-060L-50
Inverse Diode
FWD
C1
E2
NC
G1 E1 E1C2
G2 E2
M259
Dimension [mm]
型式
Device type
●
1MBI300U2H-060L-50
1MBI50U4F-120L-50
1MBI75U4F-120L-50
1MBI100U4F-120L-50
1MBI200U4H-120L-50
1MBI150VA-120L-50
VCES
VGES
Volts Volts
600
±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
IC
Cont.
PC
Amps. Watts
300 1000
50
400
75
400
100
540
200 1040
150
785
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
IC
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
300
0.40
0.48
0.07
2.45
50
0.32
0.41
0.07
2.15
75
0.32
0.41
0.07
2.20
100
0.32
0.41
0.07
2.20
200
0.32
0.41
0.07
2.25
150
0.60
0.60
0.04
1.85
VGES:
ゲート・エミッタ間電圧
IC:
コレクタ電流
M259
M262
M262
M262
M259
M262
Grams
360
180
180
180
360
180
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
●：新製品 New Products
記号 Letter symbols
コレクタ・エミッタ間電圧
VCES:
パッケージ質量
Package
Net mass
Collector-to-emitter rated voltage
(Gate-to-emitter short-circuited)
Gate-to-emitter rated voltage
(Collector-to-emitter short-circuited)
Rated collector current
PC:
VCE (sat):
ton:
toff:
tf:
最大損失
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ターンオン時間
ターンオフ時間
立下り時間
Maximum power dissipation
Collector-to-emitter saturation voltage
Turn-on time
Turn-off time
Fall time
5
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■２個組 600V, 1200V, 1700Vクラス Standard 2-pack 600, 1200, 1700 volts class
Ic
75A
100A
150A
200A
150A
200A
300A
400A
94
M263
92
600V
V series
2MBI100VA-060-50
2MBI150VA-060-50
2MBI200VA-060-50
1200V
V series
2MBI75VA-120-50
2MBI100VA-120-50
2MBI150VA-120-50
1700V
V series
2MBI75VA-170-50
2MBI100VA-170-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200VB-120-50
2MBI300VB-060-50
2MBI400VB-060-50
M274
300A
400A 2MBI400VD-060-50
600A 2MBI600VD-060-50
2MBI300VD-120-50
2MBI400VD-120-50
M275
150A
200A
300A
450A
2MBI200VH-120-50
2MBI300VH-120-50
2MBI450VH-120-50
2MBI150VH-170-50
2MBI200VH-170-50
2MBI300VH-170-50
M276
300A
400A
450A
600A 2MBI600VE-060-50
2MBI300VE-120-50
2MBI300VE-170-50
2MBI400VE-170-50
2MBI450VE-120-50
2MBI600VE-120-50
M277
Dimension [mm]
型式
Device type
●
●
2MBI100VA-060-50
2MBI150VA-060-50
2MBI200VA-060-50
2MBI300VB-060-50
2MBI400VB-060-50
2MBI400VD-060-50
2MBI600VD-060-50
2MBI600VE-060-50
2MBI75VA-120-50
2MBI100VA-120-50
2MBI150VA-120-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200VB-120-50
2MBI300VD-120-50
2MBI400VD-120-50
2MBI200VH-120-50
2MBI300VH-120-50
2MBI450VH-120-50
2MBI300VE-120-50
2MBI450VE-120-50
2MBI600VE-120-50
2MBI75VA-170-50
2MBI100VA-170-50
2MBI150VH-170-50
2MBI200VH-170-50
2MBI300VH-170-50
2MBI300VE-170-50
2MBI400VE-170-50
●：新製品 New Products
6
VCES
VGES
IC
Cont.
PC
Volts
600
600
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps. Watts
100
330
150
480
200
640
300
1360
400
1970
400
1970
600
2940
600
2940
75
390
100
555
150
785
150
1070
200
1500
300
2200
400
3330
200
1110
300
1600
450
2400
300
2200
450
3350
600
4800
75
555
100
665
150
1110
200
1250
300
1805
300
2830
400
3840
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
Typ.
toff
tf
IC
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
1.60
100
0.65
0.60
0.04
1.60
150
0.65
0.60
0.04
1.60
200
0.65
0.60
0.04
1.60
300
0.65
0.60
0.07
1.60
400
0.65
0.60
0.07
1.60
400
0.65
0.60
0.07
1.60
600
0.75
0.75
0.07
1.60
600
0.75
0.75
0.07
1.85
75
0.60
0.60
0.04
1.85
100
0.60
0.60
0.04
1.85
150
0.60
0.60
0.04
1.85
150
0.60
0.80
0.08
1.75
200
0.60
0.80
0.08
1.85
300
0.60
0.80
0.08
1.75
400
0.60
0.80
0.08
1.75
200
0.60
0.80
0.08
1.75
300
0.60
0.80
0.08
1.80
450
0.60
0.80
0.08
1.85
300
0.60
0.80
0.08
1.80
450
0.60
0.80
0.08
1.75
600
0.60
0.80
0.08
2.00
75
1.25
1.30
0.15
2.00
100
1.25
1.30
0.15
2.00
150
0.95
1.05
0.14
2.00
200
1.15
1.05
0.14
2.00
300
1.15
1.05
0.14
2.00
300
1.15
1.05
0.14
2.00
400
1.15
1.05
0.14
パッケージ質量
Package
Net mass
M263
M263
M263
M274
M274
M275
M275
M277
M263
M263
M263
M274
M274
M275
M275
M276
M276
M276
M277
M277
M277
M263
M263
M276
M276
M276
M277
M277
Grams
180
180
180
240
240
370
370
470
180
180
180
240
240
370
370
370
370
370
470
470
470
180
180
370
370
370
470
470
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
With NTC, solder pins
Ic
L`]jeaklgj
1200V
V series
225A 2MBI225VN-120-50
300A 2MBI300VN-120-50
450A 2MBI450VN-120-50
550A
600A 2MBI600VN-120-50
IGBT
■２個組 1200V, 1700Vクラス Standard 2-pack 1200, 1700 volts class
1700V
V series
2MBI300VN-170-50
2MBI450VN-170-50
2MBI550VN-170-50
M254
L`]jeaklgj
225A
300A
450A
550A
600A
2MBI225VX-120-50
2MBI300VX-120-50
2MBI450VX-120-50
225A
300A
450A
550A
600A
2MBI225VJ-120-50
2MBI300VJ-120-50
2MBI450VJ-120-50
2MBI225VX-170-50
2MBI300VX-170-50
2MBI450VX-170-50
2MBI550VX-170-50
2MBI600VX-120-50
M282
With NTC, spring contacts
L`]jeaklgj
2MBI550VJ-170-50
2MBI600VJ-120-50
M260
Dimension [mm]
型式
Device type
○
○
○
○
○
○
○
○
2MBI225VN-120-50
2MBI300VN-120-50
2MBI450VN-120-50
2MBI600VN-120-50
2MBI225VX-120-50
2MBI300VX-120-50
2MBI450VX-120-50
2MBI600VX-120-50
2MBI225VJ-120-50
2MBI300VJ-120-50
2MBI450VJ-120-50
2MBI600VJ-120-50
2MBI300VN-170-50
2MBI450VN-170-50
2MBI550VN-170-50
2MBI225VX-170-50
2MBI300VX-170-50
2MBI450VX-170-50
2MBI550VX-170-50
2MBI550VJ-170-50
○：開発中 Under development
VCES
VGES
IC
Cont.
PC
Volts
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps. Watts
225
1070
300
1595
450
2270
600
3750
225
1070
300
1595
450
2270
600
3750
225
1070
300
1595
450
2270
600
3750
300
1665
450
2500
550
3750
225
1250
300
1665
450
2500
550
3750
550
3750
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
Typ.
toff
tf
IC
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
1.85
225
0.55
1.05
0.11
1.75
300
0.55
1.05
0.11
1.75
450
0.55
1.05
0.11
1.85
600
0.55
1.05
0.11
1.85
225
0.55
1.05
0.11
1.85
300
0.55
1.05
0.11
1.85
450
0.55
1.05
0.11
1.85
600
0.55
1.05
0.11
1.85
225
0.55
1.05
0.11
1.75
300
0.55
1.05
0.11
1.75
450
0.55
1.05
0.11
1.85
600
0.55
1.05
0.11
2.00
300
0.90
1.30
0.10
2.00
450
0.90
1.30
0.10
2.15
550
1.00
1.30
0.10
2.00
225
0.90
1.20
0.10
2.00
300
0.90
1.30
0.10
2.00
450
0.90
1.30
0.10
2.15
550
1.00
1.30
0.10
2.15
550
1.00
1.30
0.10
パッケージ質量
Package
Net mass
M254
M254
M254
M254
M282
M282
M282
M282
M260
M260
M260
M260
M254
M254
M254
M282
M282
M282
M282
M260
Grams
350
350
350
350
350
350
350
350
360
360
360
360
350
350
350
350
350
350
350
360
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
7
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■高速IGBTモジュール 1200Vクラス High Speed 1200 volts class
Chopper
1200V
High Speed IGBT
Ic
200A 1MBI200HH-120L-50
300A 1MBI300HH-120L-50
400A 1MBI400HH-120L-50
Thermistor
M249
100A 2MBI100HB-120-50
2-pack
M233
150A 2MBI150HH-120-50
200A 2MBI200HH-120-50
2-pack
M249
Dimension [mm]
型式
Device type
1MBI200HH-120L-50
1MBI300HH-120L-50
1MBI400HH-120L-50
2MBI100HB-120-50
2MBI150HH-120-50
2MBI200HH-120-50
VCES
VGES
IC
Cont.
PC
Volts
1200
1200
1200
1200
1200
1200
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps.
200
300
400
100
150
200
Watts
1390
2090
2500
1040
1390
1790
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
Typ.
toff
tf
IC
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
3.10
200
0.2
0.3
0.05
3.20
300
0.2
0.3
0.05
3.10
400
0.2
0.4
0.05
3.10
100
0.30
0.05
3.20
150
0.30
0.05
3.10
200
0.30
0.05
パッケージ質量
Package
Net mass
M249
M249
M249
M233
M249
M249
Grams
370
370
370
240
370
370
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
8
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
1-pack
Ic
800A
1000A
1200A
1600A
2400A
1200A
1500A
2400A
3600A
14
130
0
M151, M155
1-pack
190
1200V
V series
Cu-baseplate
1MBI1200VC-120P
1MBI1600VC-120P
1MBI2400VC-120P
IGBT
■ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300Vクラス
High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class
1700V
V series
Cu-baseplate
AISiC-baseplate
1MBI1200VC-170E
1MBI1600VC-170E
1MBI2400VC-170E
3300V
U Series
AISiC-baseplate
1MBI800UG-330
1MBI1000UG-330
1MBI1200VR-170E
1MBI1600VR-170E
1MBI2400VR-170E
1MBI1200UE-330
1MBI1500UE-330
1MBI2400VD-120P
1MBI3600VD-120P
1MBI2400VD-170E
1MBI3600VD-170E
1MBI2400VS-170E
1MBI3600VS-170E
14
0
M152, M156
Dimension [mm]
型式
Device type
VCES
VGES
Volts Volts
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
3300 ±20
3300 ±20
3300 ±20
3300 ±20
1MBI1200VC-120P
1MBI1600VC-120P
1MBI2400VC-120P
1MBI2400VD-120P
1MBI3600VD-120P
1MBI1200VC-170E
1MBI1600VC-170E
1MBI2400VC-170E
1MBI2400VD-170E
1MBI3600VD-170E
1MBI1200VR-170E
1MBI1600VR-170E
1MBI2400VR-170E
1MBI2400VS-170E
1MBI3600VS-170E
1MBI800UG-330
1MBI1000UG-330
1MBI1200UE-330
1MBI1500UE-330
IC
Cont.
PC
Amps.
1200
1600
2400
2400
3600
1200
1600
2400
2400
3600
1200
1600
2400
2400
3600
800
1000
1200
1500
Watts
7890
10340
13630
15780
20540
8820
11700
15000
17640
22380
8570
10710
14010
16120
21120
9600
10400
14700
15600
Note: M151, M152: Cu-baseplate M155, M156: AlSiC-baseplate
2-pack
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
Typ.
IC
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
1200
1.73
1.52
0.15
1.70
1600
2.22
1.47
0.19
1.70
2400
3.15
1.93
0.24
1.70
2400
2.38
1.64
0.21
1.70
3600
2.98
2.15
0.27
1.70
1200
2.18
2.20
0.45
2.00
1600
2.28
2.17
0.40
2.00
2400
2.63
2.41
0.38
2.00
2400
2.30
2.22
0.43
2.00
3600
2.27
2.67
0.31
2.00
1200
1.51
2.20
0.45
2.00
1600
1.83
2.17
0.40
2.00
2400
2.51
2.41
0.38
2.00
2400
2.09
2.22
0.43
2.00
3600
2.70
2.66
0.32
2.00
800
3.40
2.40
0.40
2.28
1000
2.50
2.00
0.50
2.46
1200
3.40
2.40
0.40
2.28
1500
3.10
2.00
0.50
2.46
M151
M151
M151
M152
M152
M151
M151
M151
M152
M152
M155
M155
M155
M156
M156
M155
M155
M156
M156
Grams
1500
1500
1500
2300
2300
1500
1500
1500
2300
2300
900
900
900
1300
1300
900
900
1300
1300
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip Switching time: at Tj=125°C, at Tj=150°C (3300V type only)
1200V
V series
Ic
Cu-baseplate
600A 2MBI600VG-120P
800A 2MBI800VG-120P
1200A 2MBI1200VG-120P
0
14
130
パッケージ質量
Package
Net mass
1700V
V series
Cu-baseplate
AISiC-baseplate
2MBI600VG-170E
2MBI600VT-170E
2MBI800VG-170E
2MBI800VT-170E
2MBI1200VG-170E 2MBI1200VT-170E
3300V
U Series
AISiC-baseplate
M256, M278
Dimension [mm]
型式
Device type
2MBI600VG-120P
2MBI800VG-120P
2MBI1200VG-120P
2MBI600VG-170E
2MBI800VG-170E
2MBI1200VG-170E
2MBI600VT-170E
2MBI800VT-170E
2MBI1200VT-170E
VCES
VGES
IC
Cont.
Volts
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps. Watts
600
3940
800
5170
1200
6810
600
4410
800
5760
1200
7500
600
4280
800
5370
1200
7040
Note: M256: Cu-baseplate M278: AlSiC-baseplate
PC
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
Typ.
ton
IC
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
1.70
600
1.86
1.25
0.12
1.70
800
1.97
1.33
0.15
1.70
1200
2.55
1.67
0.16
2.00
600
2.28
2.07
0.58
2.00
800
2.41
2.13
0.55
2.00
1200
2.76
2.29
0.33
2.00
600
1.51
2.07
0.58
2.00
800
2.00
2.13
0.55
2.00
1200
2.14
2.29
0.33
パッケージ質量
Package
Net mass
M256
M256
M256
M256
M256
M256
M278
M278
M278
Grams
1500
1500
1500
1500
1500
1500
900
900
900
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip Switching time: at Tj=125°C
9
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class
Chopper
Low Side
Thermistor
89
172
High Side
Thermistor
M271
Chopper
1200V
1700V
V series
V series
Soft turn off Low side Soft turn off High side
Low switching loss
Low switching loss
Ic
650A
1MBI650VXA-170EL-50 1MBI650VXA-170EH-50
1MBI650VXA-170EL-54 1MBI650VXA-170EH-54
1MBI1000VXB-170EL-50 1MBI1000VXB-170EH-50
1MBI1000VXB-170EL-54 1MBI1000VXB-170EH-54
1000A
1400A 1MBI1400VXB-120PL-54 1MBI1400VXB-120PH-54
89
250
M272
Dimension [mm]
型式
Device type
VCES
1MBI1400VXB-120PL-54
1MBI1400VXB-120PH-54
1MBI650VXA-170EL-50
1MBI650VXA-170EL-54
1MBI1000VXB-170EL-50
1MBI1000VXB-170EL-54
1MBI650VXA-170EH-50
1MBI650VXA-170EH-54
1MBI1000VXB-170EH-50
1MBI1000VXB-170EH-54
VGES
Volts Volts
1200 ±20
1200 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
IC
Cont.
PC
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Amps.
1400
1400
650
650
1000
1000
650
650
1000
1000
Watts Volts
7650 1.65
7650 1.65
4150 2.00
4150 2.00
6250 2.00
6250 2.00
4150 2.00
4150 2.00
6250 2.00
6250 2.00
Amps.
1400
1400
650
650
1000
1000
650
650
1000
1000
スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
Low Side
Thermistor
89
172
High Side
Thermistor
M272
M272
M271
M271
M272
M272
M271
M271
M272
M272
Grams
1250
1250
850
850
1250
1250
850
850
1250
1250
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
注: PrimePACK™はInneon Technologies社の登録商標です。
-54…Vsat及びVFのランクをラベルに表示
Note: PrimePACK™ is registered trademark of Inneon Technologies AG, Germany.
The products with sufx‘-54’on this page are labeled to specify the rank of Vsat and VF.
Chopper
パッケージ質量
Package Net mass
1200V
V series
Boost (Low side)
Buck (High side)
Ic
Chopper
Chopper
900A 1MBI900VXA-120PD-50 1MBI900VXA-120PC-50
1MBI900VXA-120PD-54 1MBI900VXA-120PC-54
1700V
V series
Boost (Low side)
Buck (High side)
Chopper
Chopper
M271
Dimension [mm]
型式
Device type
1MBI900VXA-120PC-50
1MBI900VXA-120PC-54
1MBI900VXA-120PD-50
1MBI900VXA-120PD-54
VCES
VGES
Volts Volts
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
IC
Cont.
PC
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Amps.
900
900
900
900
Watts Volts
5100 1.65
5100 1.65
5100 1.65
5100 1.65
Amps.
900
900
900
900
スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
1.10
1.20
0.15
1.10
1.20
0.15
1.10
1.20
0.15
1.10
1.20
0.15
注: PrimePACK™はInneon Technologies社の登録商標です。
-54…Vsat及びVFのランクをラベルに表示
逆並列接続ダイオードの電流定格は120Aです。Boost/Buck chopper回路にのみ適用願います。
Note: PrimePACK™ is registered trademark of Inneon Technologies AG, Germany.
The products with sufx‘-54’on this page are labeled to specify the rank of Vsat and VF.
Antiparallel diode current rating is 120A. Application circuit is Boost/Buck chopper only.
10
パッケージ質量
Package Net mass
M271
M271
M271
M271
Grams
850
850
850
850
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
2-pack
Inverter
89
172
1200V
V series
Ic
Low switching loss
Soft turn off
Thermistor 600A 2MBI600VXA-120E-50
2MBI600VXA-120E-54
650A
M271
2-pack
Inverter
89
250
M272
IGBT
■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class
1700V
V series
Low switching loss
Soft turn off
2MBI650VXA-170E-50
2MBI650VXA-170E-54
2MBI650VXA-170EA-50
2MBI650VXA-170EA-54
900A 2MBI900VXA-120E-50 2MBI900VXA-120P-50
2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA-120P-54
2MBI1000VXB-170E-50
1000A
Thermistor
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-50
2MBI1000VXB-170EA-54
1400A 2MBI1400VXB-120E-50 2MBI1400VXB-120P-50 2MBI1400VXB-170E-50 2MBI1400VXB-170P-50
2MBI1400VXB-120E-54 2MBI1400VXB-120P-54 2MBI1400VXB-170E-54 2MBI1400VXB-170P-54
Dimension [mm]
型式
Device type
●
●
●
●
●
●
2MBI600VXA-120E-50
2MBI600VXA-120E-54
2MBI900VXA-120E-50
2MBI900VXA-120E-54
2MBI1400VXB-120E-50
2MBI1400VXB-120E-54
2MBI900VXA-120P-50
2MBI900VXA-120P-54
2MBI1400VXB-120P-50
2MBI1400VXB-120P-54
2MBI650VXA-170E-50
2MBI650VXA-170E-54
2MBI650VXA-170EA-50
2MBI650VXA-170EA-54
2MBI1000VXB-170E-50
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-50
2MBI1000VXB-170EA-54
2MBI1400VXB-170E-50
2MBI1400VXB-170E-54
2MBI1400VXB-170P-50
2MBI1400VXB-170P-54
VCES
VGES
IC
Cont.
PC
Volts
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps. Watts
600
3350
600
3350
900
5100
900
5100
1400
7650
1400
7650
900
5100
900
5100
1400
7650
1400
7650
650
4150
650
4150
650
4150
650
4150
1000
6250
1000
6250
1000
6250
1000
6250
1400
8820
1400
8820
1400
8820
1400
8820
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Volts
1.75
1.75
1.75
1.75
1.75
1.75
1.65
1.65
1.65
1.65
2.00
2.00
2.00
2.00
2.00
2.00
2.00
2.00
2.15
2.15
1.90
1.90
Amps.
600
600
900
900
1400
1400
900
900
1400
1400
650
650
650
650
1000
1000
1000
1000
1400
1400
1400
1400
スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.70
1.60
0.11
1.70
1.60
0.11
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.70
1.60
0.11
1.70
1.60
0.11
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.35
1.80
0.20
1.35
1.80
0.20
パッケージ質量
Package Net mass
M271
M271
M271
M271
M272
M272
M271
M271
M272
M272
M271
M271
M271
M271
M272
M272
M272
M272
M272
M272
M272
M272
Grams
850
850
850
850
1250
1250
850
850
1250
1250
850
850
850
850
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
●：新製品 New Products
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
注: PrimePACK™はInneon Technologies社の登録商標です。
-54…Vsat及びVFのランクをラベルに表示
本ページでEAの付く型式は、ダイオードの負荷が厳しいアプリケーションに対応し、
FWDを最適化したことにより、VFおよび熱抵抗を低減。
Note: PrimePACK™ is registered trademark of Inneon Technologies AG, Germany.
The products with sufx‘-54’
on this page are labeled to specify the rank of Vsat and VF.
The products with‘EA’on this page have optimized FWD for the application causing heavy load through FWD. The optimized FWD reduces VF and thermal resistance.
11
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
■６個組 EconoPACK™ 600V, 1200V, 1700Vクラス 6-pack EconoPACK™ 600, 1200, 1700 volts class
With NTC, solder pins
600V
Ic
V series
50A 6MBI50VA-060-50
75A 6MBI75VA-060-50
100A 6MBI100VA-060-50
1200V
V series
6MBI50VA-120-50
6MBI75VA-120-50
6MBI100VA-120-50
1700V
U series
100A
150A 6MBI150VB-060-50
180A
6MBI100VB-120-50
6MBI150VB-120-50
6MBI180VB-120-50
6MBI180VB-120-55
6MBI100U4B-170-50
6MBI150U4B-170-50
50A 6MBI50VW-060-50
75A 6MBI75VW-060-50
100A 6MBI100VW-060-50
6MBI50VW-120-50
6MBI75VW-120-50
6MBI100VW-120-50
100A
150A 6MBI150VX-060-50
180A
W
6MBI100VX-120-50
6MBI150VX-120-50
6MBI180VX-120-50
6MBI180VX-120-55
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
Typ.
IC
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
1.6
50
0.36
0.52
0.03
1.6
75
0.36
0.52
0.03
1.6
100
0.36
0.52
0.03
1.6
150
0.36
0.52
0.03
1.6
50
0.36
0.52
0.03
1.6
75
0.36
0.52
0.03
1.6
100
0.36
0.52
0.03
1.6
150
0.36
0.52
0.03
1.85
50
0.39
0.53
0.06
1.85
75
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
150
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
1.85
50
0.39
0.53
0.06
1.85
75
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
150
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
2.25
100
0.62
0.55
0.09
2.25
150
0.62
0.55
0.09
Thermistor
N
P
P
U
V
U
W
M636
Solder pins
V
W
N
With NTC, solder pins
Thermistor
N
P
P
U
V
U
W
M633
Thermistor
N
P
P
V
U
U
M647
Press fit pins
N
V
V
W
N
W
W
N
Solder pins
W
V
Thermistor
P
P
U
M648
U
Press fit pins
V
N
Dimension [mm]
型式
Device type
6MBI50VA-060-50
6MBI75VA-060-50
6MBI100VA-060-50
6MBI150VB-060-50
6MBI50VW-060-50
6MBI75VW-060-50
6MBI100VW-060-50
6MBI150VX-060-50
6MBI50VA-120-50
6MBI75VA-120-50
6MBI100VA-120-50
6MBI100VB-120-50
6MBI150VB-120-50
6MBI180VB-120-50
6MBI180VB-120-55
6MBI50VW-120-50
6MBI75VW-120-50
6MBI100VW-120-50
6MBI100VX-120-50
6MBI150VX-120-50
6MBI180VX-120-50
6MBI180VX-120-55
6MBI100U4B-170-50
6MBI150U4B-170-50
VCES
VGES
IC
Cont.
PC
Volts
600
600
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps. Watts
50
200
75
275
100
335
150
485
50
215
75
300
100
335
150
485
50
280
75
385
100
520
100
520
150
770
150
835
150
1075
50
280
75
385
100
520
100
520
150
770
150
835
150
1075
100
520
150
735
注: EconoPACK™はInneon Technologies社の登録商標です。
6MBI180VB-120-55、6MBI180VX-120-55は低熱抵抗パッケージ適用
Note: EconoPACK™ is registered trademarks of Inneon Technologies AG, Germany.
6MBI180VB-120-55, 6MBI180VX-120-55; Premium type (Low Thermal Impedance Version)
12
パッケージ質量
Package
Net mass
M636
M636
M636
M633
M647
M647
M647
M648
M636
M636
M636
M633
M633
M633
M633
M647
M647
M647
M648
M648
M648
M648
M633
M633
Grams
180
180
180
300
200
200
200
300
180
180
180
300
300
300
300
200
200
200
300
300
300
300
300
300
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
With NTC, High power 6-pack
T1
Thermistor
V+
U+
W+
C5
C3
C1
G5
G3
G1
E 5
U1
U2
G6
E 6
E3
V1
V2
G4
E4
U
_
T2
E1
W1
W2
G2
Ic
225A
300A
450A
550A
1200V
V series
6MBI225V-120-50
6MBI300V-120-50
6MBI450V-120-50
6MBI550V-120-50
IGBT
■６個組 EconoPACK™+ 1200V, 1700Vクラス 6-pack EconoPACK™+ 1200, 1700 volts class
1700V
V series
6MBI300V-170-50
6MBI450V-170-50
E2
V
_
_
W
M629
Dimension [mm]
型式
Device type
6MBI225V-120-50
6MBI300V-120-50
6MBI450V-120-50
6MBI550V-120-50
6MBI300V-170-50
6MBI450V-170-50
VCES
VGES
IC
Cont.
PC
Volts
1200
1200
1200
1200
1700
1700
Volts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
Amps.
225
300
450
550
300
450
Watts
1070
1600
2250
2500
1665
2500
VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
IC
Typ.
Typ.
Typ.
Volts
Amps.
225
0.55
1.05
0.11
1.85
300
0.55
1.05
0.11
1.75
450
0.55
1.05
0.11
1.75
600
0.55
1.05
0.11
1.85
300
0.90
1.30
0.10
2.00
450
0.90
1.30
0.10
2.00
注: EconoPACK™+はInneon Technologies社の登録商標です。
Note: EconoPACK™+ is registered trademarks of Inneon Technologies AG, Germany.
パッケージ質量
Package
Net mass
M629
M629
M629
M629
M629
M629
Grams
950
950
950
950
950
950
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
13
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■アドバンスドTタイプNPC３レベル回路 600V, 1200Vクラス
Advanced T-type NPC 3-level Circuits 600, 1200 volts class
■特長 Features
Applicable to T-type NPC 3-level circuit, for highest power
conversion efficiency.
There are 1-arm or 3-arm (3 phase) circuits in one package
and it is easier to makes external wiring of module.
Lower surge voltage by smaller internal package stray
inductance.
Lower power loss can be achieved by using RB-IGBT as for
AC-SW device.
Lowest power loss can be achieved by using 6th Gen. IGBT
and FWD as for Main-SW device.
電力変換効率に優れた T タイプ NPC3 レベル回路に対応
1 アームまたは 3 アーム (3 相分 ) を 1 パッケージに搭載、
またモジュールの外部配線が容易
低パッケージ内部インダクタンスにより低サージ電圧を実
現
AC-SW 部には RB-IGBT を採用、低損失を実現
メイン SW 部には最新第 6 世代 IGBT,FWD を採用し低損失
を実現
1-arm
T3
600V
V series
Ic
300A
T1
600V
1200V
V series
4MBI300VG-120R-50
4MBI300VG-120R1-50
4MBI400VF-120R-50
RB-IGBT
600V
900V
600V
4MBI450VB-120R1-50
4MBI650VB-120R1-50
4MBI900VB-120R1-50
900V
900V
900V
80
11
0
400A 4MBI400VG-060R-50
RB-IGBT
RB-IGBT
M403
T4
T2
1-arm
450A
650A
900A
Under Consideration
RB-IGBT
M404
Dimension [mm]
○
○
○
○
○
型式
Device type
T1, T2
VCES
4MBI400VG-060R-50
4MBI300VG-120R-50
4MBI300VG-120R1-50
4MBI400VF-120R-50
4MBI450VB-120R1-50
4MBI650VB-120R1-50
4MBI900VB-120R1-50
Volts
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
IC
Cont.
Amps.
400
300
300
400
450
650
900
PC
Watts
1135
1250
1250
1835
TBD
TBD
TBD
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Volts
Amps.
400
1.60
300
1.85
300
1.85
400
2.00
450
TBD
650
TBD
900
TBD
○：開発中 Under development
注: 製品名にVFが含まれる型式は低熱抵抗パッケージ適用
Note: VF type is lower thermal resistance version.
14
T3, T4
VCES
Volts
600
600
900
600
900
900
900
IC
Cont.
Amps.
400
300
300
450
450
650
900
PC
Watts
1560
1250
1300
2230
TBD
TBD
TBD
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Volts
Amps.
2.45
400
2.45
300
2.40
300
2.45
400
TBD
450
TBD
650
TBD
900
パッケージ
Package
M403
M403
M403
M403
M404
M404
M404
質量
Net mass
460
460
460
460
TBD
TBD
TBD
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
3-arm
Kgd\]jHafk
H
L+m
L+n
L+m
E
L,m
L+o
L+n
L,m
M
L,n
L+o
L,n
N
L,o
L,o
O
F
600V
V series
Ic
50A
75A
100A
RB-IGBT
1200V
V series
12MBI50VN-120-50
12MBI75VN-120-50
12MBI100VN-120-50
RB-IGBT
600V
600V
600V
12MBI50VX-120-50
12MBI75VX-120-50
12MBI100VX-120-50
600V
600V
600V
M1203
3-arm
50A
75A
100A
Hj]kk>al;gflY[lk
H
L+m
L+n
L+m
E
L,m
L+o
L+n
L,m
M
L,n
L+o
L,n
N
L,o
L,o
O
F
M1202
Dimension [mm]
●
●
●
●
型式
Device type
T1, T2
VCES
12MBI50VN-120-50
12MBI75VN-120-50
12MBI100VN-120-50
12MBI50VX-120-50
12MBI75VX-120-50
12MBI100VX-120-50
Volts
1200
1200
1200
1200
1200
1200
IC
Cont.
Amps.
50
75
100
50
75
100
PC
Watts
230
320
430
230
320
430
T3, T4
VCES
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Volts
Amps.
50
1.85
75
1.85
100
1.75
50
1.85
75
1.85
100
1.75
Volts
600
600
600
600
600
600
IC
Cont.
Amps.
50
75
100
50
75
100
PC
Watts
235
305
400
235
305
400
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Volts
Amps.
2.45
50
2.45
75
2.45
100
2.45
50
2.45
75
2.45
100
パッケージ
Package
M1203
M1203
M1203
M1202
M1202
M1202
質量
Net mass
302
302
302
302
302
302
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
●：新製品 New Products
■ディスクリートRB-IGBT Discrete RB-IGBT
Reverse Blocking IGBT
■特長 Features
富士電機の独自技術により、逆耐圧特性を有する IGBT を
1 チップで実現
3 レベルインバータ（T タイプ）への適用で高効率を実現
鉛フリー
■等価回路 Equivalent circuit
Reverse blocking character is realized for 1 chip by Fuji s
original technology.
High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit.
Lead Free Package
■適用例 Application
!"#$%#"&
コレクタ
Collector
ゲート
Gate
IGBT module or
Two discrete IGBTs
エミッタ
Emitter
Two discrete RB-IGBTs
■特性 Characteristics
型式
Device type
FGW85N60RB
絶対最大定格 Maximum Ratings
IC
ICP
tsc
VCES
Tc=100°C
Volts
Amps.
Amps. μsec.
600
85
170
10
PD
IGBT
Watts
600
VCE(sat)
(VGE=15V)
Typ.
Volts
2.45
Eon
Eoff
(Rg=10Ω)
typ.
mJ
mJ
4.7
2.4
Qg
trr
typ.
nC
300
typ.
n sec
165
パッケージ
Package
質量
Net
mass
Grams
TO-247-P2 6.0
15
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
■小容量PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）600V, 1200Vクラス
Small PIM/Built-in converter and brake 600, 1200 volts class
Thermistor
M726
Thermistor
Thermistor
15A
25A
35A
50A 7MBR50VKB060-50
7MBR15VKB120-50
7MBR25VKB120-50
7MBR35VKB120-50
7MBR10VKC060-50
7MBR15VKC060-50
7MBR20VKC060-50
7MBR30VKC060-50
7MBR10VKC120-50
7MBR15VKC120-50
15A
25A
35A
50A 7MBR50VKD060-50
7MBR15VKD120-50
7MBR25VKD120-50
7MBR35VKD120-50
10A
15A
20A
30A
Solder pins
With NTC, solder pins
Thermistor
M729
1200V
V series
7MBR10VKA120-50
7MBR15VKA120-50
Press fit pins
With NTC, solder pins
M728
600V
V series
7MBR10VKA060-50
7MBR15VKA060-50
7MBR20VKA060-50
7MBR30VKA060-50
Press fit pins
M727
Ic
10A
15A
20A
30A
Solder pins
Dimension [mm]
型式
Device type
7MBR10VKA060-50
7MBR15VKA060-50
7MBR20VKA060-50
7MBR30VKA060-50
7MBR50VKB060-50
7MBR10VKC060-50
7MBR15VKC060-50
7MBR20VKC060-50
7MBR30VKC060-50
7MBR50VKD060-50
7MBR10VKA120-50
7MBR15VKA120-50
7MBR15VKB120-50
7MBR25VKB120-50
7MBR35VKB120-50
7MBR10VKC120-50
7MBR15VKC120-50
7MBR15VKD120-50
7MBR25VKD120-50
7MBR35VKD120-50
インバータ部 Inverter [IGBT]
IC
PC
VCE(sat)
VCES
Cont.
Typ.
Volts
Amps. Watts Volts
600
10
65
1.70
600
15
80
1.70
600
20
90
1.70
600
30
115
1.70
600
50
180
1.60
600
10
65
1.70
600
15
80
1.70
600
20
90
1.70
600
30
115
1.70
600
50
180
1.60
1200
10
110
1.85
1200
15
135
1.90
1200
15
135
1.90
1200
25
180
1.85
1200
35
215
1.85
10
110
1.85
1200
1200
15
135
1.90
1200
15
135
1.90
1200
25
180
1.85
1200
35
215
1.85
ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD] コンバータ部 Converter [Diode]
VCES
IC
VRRM
VRRM
IO
VFM
IFSM
Cont.
Cont.
Typ.
Volts
Volts
Amps. Volts
Amps. Volts
Amps.
600
10
600
800
10
0.95
360
600
15
600
800
15
1.00
360
600
20
600
800
20
1.05
360
600
30
600
800
30
1.15
360
600
50
600
800
50
1.25
580
600
10
600
800
10
0.95
360
600
15
600
800
15
1.00
360
600
20
600
800
20
1.05
360
600
30
600
800
30
1.15
360
600
50
600
800
50
1.25
580
1200
10
1200
1600
10
0.95
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
25
1200
1600
25
1.00
370
1200
35
1200
1600
35
1.05
370
1200
10
1200
1600
10
0.95
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
25
1200
1600
25
1.00
370
1200
35
1200
1600
35
1.05
370
パッケージ質量 Package Net
mass
Grams
M726
25
M726
25
M726
25
M726
25
M727
45
M728
25
M728
25
M728
25
M728
25
M729
45
M726
25
M726
25
M727
45
M727
45
M727
45
M728
25
M728
25
M729
45
M729
45
M729
45
VCE (sat), VFM : at Tj=25℃, Chip
16
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
With NTC, solder pins, PIM
Thermistor
B
P
H)
F)
F
R
P P)
O
M N
S T
R
S
T
M711
U
B
V
W
B
Power Flow
N1
R
S
W
V
U
T
INV
REC
W
R S T
INPUT
M712
U V
OUTPUT
Thermistor
) F)
: H
P
O
F
R
S T
P P)
V
U
R
S
T
M719
U
B
V
W
N1
P1
Power Flow
P
N
R
S
V
U
T
INV
REC
R S T
INPUT
M720
W
U V
OUTPUT
Thermistor
F)
H)
R B
S
T
P
N
F M
P P)
O
R
S
T
M719
N1
B
R
T
P
N
U
V
W
T
M720
V
N N)
R
S
S
U
B
INPUT
P1
35A
50A
75A 7MBR75VB060-50
100A 7MBR100VB060-50
7MBR35VB120-50
7MBR50VB120-50
7MBR75VB120-50
25A
35A
50A
7MBR25VM120-50
7MBR35VM120-50
7MBR50VM120-50
50A
75A
100A
150A
7MBR50VN120-50
7MBR75VN120-50
7MBR100VN120-50
7MBR150VN120-50
25A
35A
50A
75A
100A
50A
75A
100A
150A
7MBR25VP120-50
7MBR35VP120-50
7MBR50VP120-50
N N)
W
B
1200V
V series
7MBR25VA120-50
7MBR35VA120-50
N N)
P
P1
N
600V
Ic
V series
25A
35A
50A 7MBR50VA060-50
IGBT
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 600V, 1200Vクラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
Power Flow
REC
INV
W
OUTPUT U V W
7MBR50VP060-50
7MBR75VP060-50
7MBR100VP060-50
7MBR100VR060-50
7MBR150VR060-50
7MBR50VR120-50
7MBR75VR120-50
7MBR100VR120-50
7MBR150VR120-50
Dimension [mm]
型式
Device type
7MBR50VA060-50
7MBR75VB060-50
7MBR100VB060-50
7MBR50VP060-50
7MBR75VP060-50
7MBR100VP060-50
7MBR100VR060-50
7MBR150VR060-50
7MBR25VA120-50
7MBR35VA120-50
7MBR35VB120-50
7MBR50VB120-50
7MBR75VB120-50
7MBR25VM120-50
7MBR35VM120-50
7MBR50VM120-50
7MBR50VN120-50
7MBR75VN120-50
7MBR100VN120-50
7MBR150VN120-50
7MBR25VP120-50
7MBR35VP120-50
7MBR50VP120-50
7MBR50VR120-50
7MBR75VR120-50
7MBR100VR120-50
7MBR150VR120-50
インバータ部 Inverter [IGBT]
VCES
IC
PC
VCE(sat)
Cont.
Typ.
Volts
Amps. Watts
Volts
600
50
200
1.6
600
75
300
1.6
600
100
335
1.6
600
50
200
1.6
600
75
300
1.6
600
100
430
1.85
600
100
335
1.6
600
150
485
1.6
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD]
VCES
IC
VRRM
Cont.
Volts
Amps. Volts
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
75
600
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
注: EconoPIM™はInneon Technologies社の登録商標です。
Note: EconoPIM™ is registered trademarks of Inneon Technologies AG, Germany.
コンバータ部 Converter [Diode]
VRRM
IO
VFM
IFSM
Cont.
Typ.
Volts
Amps. Volts
Amps.
800
50
1.3
210
800
75
1.25
500
800
100
1.25
700
800
50
1.3
210
800
75
1.25
500
800
100
1.25
700
800
100
1.25
700
800
150
1.25
700
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
パッケージ
Package
M711
M712
M712
M719
M719
M719
M720
M720
M711
M711
M712
M712
M712
M719
M719
M719
M720
M720
M720
M720
M719
M719
M719
M720
M720
M720
M720
質量 Net
mass
Grams
180
300
300
200
200
200
310
310
180
180
300
300
300
200
200
200
310
310
310
310
200
200
200
310
310
310
310
VCE (sat), VFM: at Tj=25℃, Chip
17
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 600V, 1200Vクラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
'*
Thermistor
O
) F)
: H
H
F
L
J K
P P)
N
M
R
M721
H)
:
S
T
U
B
V
W
Power Flow
H
F
K
J
M
L
N
REC
M722
R S T
INPUT
Press fit pins
INV
K
L
H
F
N
M
W
R
M721
F)
:
J
P P)
O
S
T
R
INPUT
S
K
L
H
F
M
N
O
U
B
N N)
Press fit pins
H)
1200V
V series
7MBR25VW120-50
7MBR35VW120-50
7MBR50VW120-50
T
Power Flow
REC
50A
75A
100A
150A
7MBR50VX120-50
7MBR75VX120-50
7MBR100VX120-50
7MBR150VX120-50
25A
35A
50A 7MBR50VY060-50
75A 7MBR75VY060-50
100A 7MBR100VY060-50
7MBR25VY120-50
7MBR35VY120-50
7MBR50VY120-50
50A
75A
100A 7MBR100VZ060-50
150A 7MBR150VZ060-50
7MBR50VZ120-50
7MBR75VZ120-50
7MBR100VZ120-50
7MBR150VZ120-50
U V
OUTPUT
Thermistor
F)
H)
J :
600V
V series
N N)
Press fit pins
O
F)
Ic
25A
35A
50A
INV
V
W
OUTPUT U V W
M722
Press fit pins
Dimension [mm]
型式
Device type
7MBR50VY060-50
7MBR75VY060-50
7MBR100VY060-50
7MBR100VZ060-50
7MBR150VZ060-50
7MBR25VW120-50
7MBR35VW120-50
7MBR50VW120-50
7MBR50VX120-50
7MBR75VX120-50
7MBR100VX120-50
7MBR150VX120-50
7MBR25VY120-50
7MBR35VY120-50
7MBR50VY120-50
7MBR50VZ120-50
7MBR75VZ120-50
7MBR100VZ120-50
7MBR150VZ120-50
インバータ部 Inverter [IGBT]
IC
PC
VCE(sat)
VCES
Cont.
Typ.
Volts
Amps. Watts
Volts
600
50
215
1.6
600
75
300
1.6
600
100
430
1.85
600
100
335
1.6
600
150
485
1.6
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD]
VCES
IC
VRRM
Cont.
Volts
Amps. Volts
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
75
600
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
注: EconoPIM™はInneon Technologies社の登録商標です。
Note: EconoPIM™ is registered trademarks of Inneon Technologies AG, Germany.
18
コンバータ部 Converter [Diode]
VRRM
IO
VFM
IFSM
Cont.
Typ.
Volts
Amps. Volts
Amps.
800
50
1.3
210
800
75
1.25
500
800
100
1.25
700
800
100
1.25
700
800
150
1.25
700
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
1600
25
1.42
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
パッケージ
Package
M721
M721
M721
M722
M722
M721
M721
M721
M722
M722
M722
M722
M721
M721
M721
M722
M722
M722
M722
質量 Net
mass
Grams
200
200
200
310
310
200
200
200
310
310
310
310
200
200
200
310
310
310
310
VCE (sat), VFM: at Tj=25℃, Chip
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■小容量IPM（Intelligent Power Module）600Vクラス
Small IPM (Intelligent Power Module) 600 volts class
Built-in protection functions
P-side fault status output (Alarm)
N-side fault status output (Alarm)
Under voltage protection (self shutdown)
Over current protection (External current detection and shutdown)
Overheating protection (self shutdown)
Temperature sensor output (Vtemp, out)
Small IPM with High Voltage Driver-IC
without Brake-Chopper
P633
P633A
Ic
15A
15A
15A
20A
30A
15A
15A
15A
20A
30A
600V
V series
6MBP15VRA060-50
6MBP15VRD060-50
6MBP15VSG060-50
6MBP20VSA060-50
6MBP30VSA060-50
6MBP15VRB060-50
6MBP15VRC060-50
6MBP15VSH060-50
6MBP20VSC060-50
6MBP30VSC060-50
Dimension [mm]
型式
Device type
●
●
●
●
●
●
●
6MBP15VRA060-50
6MBP15VRD060-50
6MBP15VSG060-50
6MBP20VSA060-50
6MBP30VSA060-50
6MBP15VRB060-50
6MBP15VRC060-50
6MBP15VSH060-50
6MBP20VSC060-50
6MBP30VSC060-50
インバータ部 Inverter 制御部 Control
VCE(sat) VCCL Boot- Input signal
VCES IC
Cont.
VCCH strap
Acive logic
VB(*) Diode and Voltage
Typ.
Typ.
level
Volts Amps. Volts Volts
600 15
1.80
15
Built-in High(3.3/5V)
600 15
1.55
15
Built-in High(3.3/5V)
600 15
1.50
15
Built-in High(3.3/5V)
600 20
1.44
15
Built-in High(3.3/5V)
600 30
1.44
15
Built-in High(3.3/5V)
600 15
1.80
15
Built-in High(3.3/5V)
600 15
1.80
15
Built-in High(3.3/5V)
600 15
1.50
15
Built-in High(3.3/5V)
600 20
1.44
15
Built-in High(3.3/5V)
600 30
1.44
15
Built-in High(3.3/5V)
●：新製品 New Products
※1 外部電流検出方式
※1 External current ditection
保護機能 Protection function
UV
OC Vtemp TOH
VCCL
※1 ※2 ※2
VCCH
VB(*)
P&N-side N-side N-side
P&N-side N-side N-side
P&N-side N-side N-side
P&N-side N-side N-side
P&N-side N-side N-side
P&N-side N-side
N-side(125±10℃ )
P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ )
P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ )
P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ )
P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ )
Alarm出力
VFO fault output
N-side(UV,OC)
N-side(UV,OC)
N-side(UV,OC)
N-side(UV,OC)
N-side(UV,OC)
N-side(UV,OC,TOH)
N-side(UV,OC,TOH)
N-side(UV,OC,TOH)
N-side(UV,OC,TOH)
N-side(UV,OC,TOH)
パッケージ質量
Package Net
mass
P633
P633
P633A
P633A
P633A
P633
P633
P633A
P633A
P633A
Grams
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
※2 LVIC内での温度検出
※2 Temperature detection in LVIC
●ブロック図 Block Diagram
High side bias voltage for IGBT driving
High side bias voltage for IGBT driving
VB(U)
VB(V)
VB(U)
VB(W)
VccH power supply
High side
PWM
signal input
IN(HU)
IN(HV)
IN(HW)
GND
VB(V)
High-side Drv.
High-side Drv.
High-side Drv.
High side
PWM
signal input
P
IN(HU)
IN(HV)
IN(HW)
GND
High-side Drv.
High-side Drv.
N(W)
N(V)
N(U)
GND
VccL power supply
Low-side Drv.
6MBP□VRA060-50, 6MBP□VRC060-50
6MBP□VRD060-50, 6MBP□VS◇060-50
(All parts except 6MBP15VRB060-50)
OC sensing
voltage input
High-side Drv.
P
U
V
W
Low side IN(LU)
PWM IN(LV)
signal input IN(LW)
Fault output
Vtemp output
VB(W)
VccH power supply
U
V
W
N(W)
N(V)
N(U)
GND
VccL power supply
Low side IN(LU)
PWM IN(LV)
signal input IN(LW)
Fault output
Low-side Drv.
OC sensing
voltage input
6MBP15VRB060-50
19
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200Vクラス
IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class
Built-in protection functions
P-side fault status output (Alarm)
N-side fault status output (Alarm)
Under voltage protection (self shutdown)
Over current protection (self shutdown)
Overheating protection (self shutdown)
Temperature sensor output (Vtemp, out)
Without Brake-Chopper
49.5
Ic
10A
15A
20A
25A
30A
50A
25A
35A
50A
75A
70
P629
Without Brake-Chopper
87
50.2
600V
V series
1200V
V series
6MBP10VAA120-50
6MBP15VAA120-50
6MBP20VAA060-50
6MBP25VAA120-50
6MBP30VAA060-50
6MBP50VAA060-50
6MBP50VBA060-50
6MBP75VBA060-50
6MBP25VBA120-50
6MBP35VBA120-50
6MBP50VBA120-50
P626
Without Brake-Chopper
With Brake-Chopper
90
55
P636
25A
35A
50A 6MBP50VFN060-50
75A 6MBP75VFN060-50
100A 6MBP100VFN060-50
6MBP25VFN120-50
6MBP35VFN120-50
6MBP50VFN120-50
25A
35A
50A 7MBP50VFN060-50
75A 7MBP75VFN060-50
100A 7MBP100VFN060-50
7MBP25VFN120-50
7MBP35VFN120-50
7MBP50VFN120-50
Dimension [mm]
型式
Device type
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
6MBP20VAA060-50
6MBP30VAA060-50
6MBP50VAA060-50
6MBP50VBA060-50
6MBP75VBA060-50
6MBP50VFN060-50
6MBP75VFN060-50
6MBP100VFN060-50
7MBP50VFN060-50
7MBP75VFN060-50
7MBP100VFN060-50
6MBP10VAA120-50
6MBP15VAA120-50
6MBP25VAA120-50
6MBP25VBA120-50
6MBP35VBA120-50
6MBP50VBA120-50
6MBP25VFN120-50
6MBP35VFN120-50
6MBP50VFN120-50
7MBP25VFN120-50
7MBP35VFN120-50
7MBP50VFN120-50
インバータ部
VCES IC
Cont.
Volts Amps.
600 20
600 30
600 50
600 50
600 75
600 50
600 75
600 100
600 50
600 75
600 100
1200 10
1200 15
1200 25
1200 25
1200 35
1200 50
1200 25
1200 35
1200 50
1200 25
1200 35
1200 50
○：開発中 Under development
20
Inverter
VCE(sat)
Typ.
Volts
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
ブレーキ部 Brake
VCES IC
Cont.
Volts Amps.
600
30
600
50
600
50
1200 15
1200 25
1200 25
制御部 Control
パッケージ
TjOH Alarm
Package
VCC
IOC[INV] VUV
Typ. Min.
Min. OC(typ.) UV(typ.) TjOH(typ.)
Volts Amps. Volts
℃
ms
ms
ms
15
30
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
45
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
100
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
200
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
100
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
200
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
15
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
23
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
53
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
TBD 11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
TBD 11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
TBD 11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
TBD 11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
TBD 11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
TBD 11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
質量 Net
mass
Grams
80
80
80
100
100
190
190
190
190
190
190
80
80
80
100
100
100
190
190
190
190
190
190
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200Vクラス
IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class
Built-in protection functions
P-side fault status output (Alarm)
N-side fault status output (Alarm)
Under voltage protection (self shutdown)
Over current protection (self shutdown)
Overheating protection (self shutdown)
Temperature sensor output (Vtemp, out)
Without Brake-Chopper
600V
Ic
V series
25A
35A
50A 6MBP50VDA060-50
75A
100A
150A
200A
With Brake-Chopper
25A
35A
50A
84
128.5
P630
75A
100A
150A
200A
Without Brake-Chopper
100A
150A
200A
300A
400A
With Brake-Chopper
142
110
P631
1200V
V series
6MBP25VDA120-50
6MBP35VDA120-50
6MBP50VDA120-50
6MBP50VDN120-50
6MBP75VDA060-50
6MBP75VDA120-50
6MBP75VDN120-50
6MBP100VDA060-50 6MBP100VDA120-50
6MBP100VDN060-50 6MBP100VDN120-50
6MBP150VDA060-50
6MBP150VDN060-50
6MBP200VDA060-50
6MBP200VDN060-50
7MBP25VDA120-50
7MBP35VDA120-50
7MBP50VDA060-50
7MBP50VDA120-50
7MBP50VDN120-50
7MBP75VDA060-50
7MBP75VDA120-50
7MBP75VDN120-50
7MBP100VDA060-50 7MBP100VDA120-50
7MBP100VDN060-50 7MBP100VDN120-50
7MBP150VDA060-50
7MBP150VDN060-50
7MBP200VDA060-50
7MBP200VDN060-50
6MBP100VEA120-50
6MBP150VEA120-50
6MBP200VEA060-50 6MBP200VEA120-50
6MBP300VEA060-50
6MBP400VEA060-50
100A
150A
200A 7MBP200VEA060-50
300A 7MBP300VEA060-50
400A 7MBP400VEA060-50
7MBP100VEA120-50
7MBP150VEA120-50
7MBP200VEA120-50
Dimension [mm]
21
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
型式
Device type
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
6MBP50VDA060-50
6MBP75VDA060-50
6MBP100VDA060-50
6MBP100VDN060-50
6MBP150VDA060-50
6MBP150VDN060-50
6MBP200VDA060-50
6MBP200VDN060-50
7MBP50VDA060-50
7MBP75VDA060-50
7MBP100VDA060-50
7MBP100VDN060-50
7MBP150VDA060-50
7MBP150VDN060-50
7MBP200VDA060-50
7MBP200VDN060-50
6MBP200VEA060-50
6MBP300VEA060-50
6MBP400VEA060-50
7MBP200VEA060-50
7MBP300VEA060-50
7MBP400VEA060-50
6MBP25VDA120-50
6MBP35VDA120-50
6MBP50VDA120-50
6MBP50VDN120-50
6MBP75VDA120-50
6MBP75VDN120-50
6MBP100VDA120-50
6MBP100VDN120-50
7MBP25VDA120-50
7MBP35VDA120-50
7MBP50VDA120-50
7MBP50VDN120-50
7MBP75VDA120-50
7MBP75VDN120-50
7MBP100VDA120-50
7MBP100VDN120-50
6MBP100VEA120-50
6MBP150VEA120-50
6MBP200VEA120-50
7MBP100VEA120-50
7MBP150VEA120-50
7MBP200VEA120-50
インバータ部
VCES IC
Cont.
Volts Amps.
600 50
600 75
600 100
600 100
600 150
600 150
600 200
600 200
600 50
600 75
600 100
600 100
600 150
600 150
600 200
600 200
600 200
600 300
600 400
600 200
600 300
600 400
1200 25
1200 35
1200 50
1200 50
1200 75
1200 75
1200 100
1200 100
1200 25
1200 35
1200 50
1200 50
1200 75
1200 75
1200 100
1200 100
1200 100
1200 150
1200 200
1200 100
1200 150
1200 200
Inverter ブレーキ部 Brake
VCE(sat) VCES IC
Typ.
Cont.
Volts Volts Amps.
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
600
30
1.4
600
50
1.4
600
50
1.4
600
50
1.4
600
75
1.4
600
75
1.4
600
100
1.4
600
100
1.25
1.25
1.25
1.25
600
100
1.25
600
150
1.25
600
200
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1200
15
1.7
1200
15
1.7
1200
25
1.7
1200
25
1.7
1200
35
1.7
1200
35
1.7
1200
50
1.7
1200
50
1.7
1.7
1.7
1.7
1200
50
1.7
1200
75
1.7
1200
100
制御部 Control
パッケージ
TjOH Alarm
Package
VCC
IOC[INV] VUV
Typ. Min.
Min. OC(typ.) UV(typ.) TjOH(typ.)
Volts Amps. Volts
℃
ms
ms
ms
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
450
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
600
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
450
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
600
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
53
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
53
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
○：開発中 Under development
注：本ページでVDNの付く型式は高放熱特性。
Note：The products with“VDN”on this page have high heat dissipation characteristics.
22
質量 Net
mass
Grams
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
950
950
950
950
950
950
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
950
950
950
950
950
950
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
9dYjegmlhmlM
H
KmhhdqngdlY_] N[[M
Ka_fYdafhml NafM
?F<M
KmhhdqngdlY_] N ;;D
NafP
Ka_fYdafhml
NafQ
^gjdgoka\]
NafR
9dYjegmlhml9DE
N[[N
NafN
?F<N
Hj]
<jan]j
N[[O
NafO
?F<O
Hj]
<jan]j
H
Hj]
<jan]j
N[[M
NafM
?F<M
M
N
O
Hj]%<jan]j
J 9DE
KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
L j% k]fkgj
AC% k]fkgj
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J 9DE
9dYjegmlhmlM
N[[M
NafM
?F<M
KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
J 9DE
NafP
J 9DE
Hj]
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Hj]
<jan]j
9dYjegmlhmlN
N[[N
NafN
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NafQ
J 9DE
N[[O
NafO
?F<O
Hj]
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NafR
H
N[[M
NafM
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KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
J 9DE
NafP
Hj]
<jan]j
Hj]
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M
N
O
Hj]
<jan]j
:
KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
Ka_fYdafhmlNaf:
J 9DE
Hj]
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Hj]
<jan]j
NafQ
N[[O
NafO
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NafR
Hj]
<jan]j
M
N
O
Hj]
<jan]j
H
N[[M
NafM
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KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
J 9DE
NafP
Hj]
<jan]j
Hj]
<jan]j
N[[N
NafN
?F<N
NafQ
J 9DE
9dYjegmlhmlO
Hj]
<jan]j
Hj]
<jan]j
NafP
Hj]
<jan]j
J 9DE
N[[N
NafN
?F<N
Hj]
<jan]j
NafQ
Hj]
<jan]j
KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
N[[O
NafO
?F<O
NafR
9dYjegmlhmlN
J 9DE
J 9DE
Hj]
<jan]j
N[[M
NafM
?F<M
Hj]
<jan]j
NafP
Hj]
<jan]j
9dYjegmlhmlO
J 9DE
N[[O
NafO
?F<O
Hj]
<jan]j
NafR
Hj]
<jan]j
M
N
O
9dYjegmlhmlO
J 9DE
N[[N
NafN
?F<N
Hj]
<jan]j
NafQ
Hj]
<jan]j
J 9DE
N[[O
NafO
?F<O
Hj]
<jan]j
NafR
Hj]
<jan]j
M
N
O
F
?F<
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
9dYjegmlhmlM
J 9DE
H
Hj]
<jan]j
M
N
O
Hj]
<jan]j
:
KmhhdqngdlY_]N ;;D
9dYjegmlhml9DE
Ka_fYdafhmlNaf:
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
6MBP□VEA060-50
6MBP□VEA120-50
Hj]
<jan]j
9dYjegmlhmlN
7MBP□VDA060-50、7MBP□VDN060-50
7MBP□VDA120-50、7MBP□VDN120-50
F
?F<
Hj]
<jan]j
F
6MBP□VDA060-50、6MBP□VDN060-50
6MBP□VDA120-50、6MBP□VDN120-50
9dYjegmlhmlN
NafR
M
N
O
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
:
Ka_fYdafhmlNaf:
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
J 9DE
N[[M
NafM
?F<M
H
F
?F<
9dYjegmlhmlM
J 9DE
9dYjegmlhmlM
J 9DE
Hj]
<jan]j
Hj]
<jan]j
Hj]
<jan]j
?F<
9dYjegmlhmlO
Hj]
<jan]j
NafQ
N[[O
NafO
?F<O
7MBP□VFN060-50
7MBP□VFN120-50
J 9DE
N[[N
NafN
?F<N
Hj]
<jan]j
J 9DE
F
6MBP□VFN060-50
6MBP□VFN120-50
9dYjegmlhmlN
N[[N
NafN
?F<N
9dYjegmlhmlO
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
H
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
J 9DE
Hj]
<jan]j
9dYjegmlhmlM
J 9DE
F
?F<
9dYjegmlhmlM
Hj]
<jan]j
J 9DE
6MBP□VBA060-50
6MBP□VBA120-50
9dYjegmlhmlO
Hj]
<jan]j
NafP
9dYjegmlhmlN
?F<
F
6MBP□VAA060-50
6MBP□VAA120-50
H
J 9DE
IGBT
●ブロック図 Block Diagram
J 9DE
Hj]
<jan]j
J 9DE
N[[M
NafM
?F<M
Hj]
<jan]j
NafP
Hj]
<jan]j
9dYjegmlhmlN
J 9DE
N[[N
NafN
?F<N
Hj]
<jan]j
NafQ
Hj]
<jan]j
9dYjegmlhmlO
J 9DE
N[[O
NafO
?F<O
Hj]
<jan]j
NafR
Hj]
<jan]j
M
N
O
F
?F<
L j% k]fkgj AC% k]fkgj
7MBP□VEA060-50
7MBP□VEA120-50
23
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ ディスクリートIGBT Vシリーズ 600V, 1200Vクラス
Discrete IGBTs V series 600V, 1200V class
IGBT in eld-stop technology and trench-gate structure with Ultra fast FWD
600Vクラス 600 volts class
型式
Device type
●
●
絶対最大定格 Maximum Ratings
IC
ICP
PD
VCES
IGBT
Tc=100°C
Volts
Amps.
Amps.
Watts
230
600
30
60
230
600
35
105
230
600
35
105
230
600
35
105
360
600
50
150
360
600
50
150
360
600
50
150
360
600
50
100
500
600
75
225
500
600
75
225
FGW30N60VD
FGW35N60H
FGW35N60HD
FGW35N60HC
FGW50N60H
FGW50N60HD
FGW50N60HC
FGW50N60VD
FGW75N60H
FGW75N60HD
VCE(sat)
(VGE=15V)
Typ.
Volts
1.6
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.6
1.5
1.5
Eon
Eoff
(Rg=10Ω)
typ.
mJ
mJ
1.2
0.7
0.9
0.85
0.9
0.85
0.95
0.85
1.4
1.7
1.4
1.7
1.5
1.7
2.4
1.4
3.0
4.2
3.0
4.2
VCE(sat)
(VGE=15V)
Typ.
Volts
1.8
1.8
1.85
1.85
1.8
1.8
1.8
1.8
1.85
Eon
Eoff
(Rg=10Ω)
typ.
mJ
mJ
0.6
0.8
0.6
0.8
1.1
0.8
2.2
1.4
1.6
1.5
1.6
1.5
2.8
1.8
2.8
1.8
4.3
2.2
Qg
VF
typ.
nC
225
210
210
210
305
305
305
360
460
460
typ.
Volts
1.5
2.0
2.35
2.0
2.3
1.5
2.0
Qg
VF
typ.
nC
140
140
150
235
230
230
300
300
320
typ.
Volts
2.2
1.7
1.7
2.2
2.2
1.7
パッケージ
Package
Qrr
IF
Amps.
25
15
35
25
50
35
35
typ.
0.7
0.06
0.13
0.08
0.07
0.75
0.12
0.13
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
質量
Net
mass
Grams
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
●：新製品 New Products
1200Vクラス 1200 volts class
型式
Device type
絶対最大定格 Maximum Ratings
IC
ICP
PD
VCES
IGBT
Tc=100°C
Volts
Amps.
Amps.
Watts
155
1200
15
45
155
1200
15
45
155
1200
15
30
260
1200
25
50
260
1200
30
90
260
1200
30
90
340
1200
40
120
340
1200
40
120
340
1200
40
80
FGW15N120H
FGW15N120HD
FGW15N120VD
FGW25N120VD
FGW30N120H
FGW30N120HD
FGW40N120H
FGW40N120HD
FGW40N120VD
パッケージ
Package
Qrr
IF
Amps.
12
15
25
20
30
30
typ.
0.6
0.85
1.2
0.95
1.35
1.45
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
TO-247-P2
質量
Net
mass
Grams
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
■ 型式の見方 Part numbers
FGW35N60HD (example)
F
G
W
35
N
60
HD
社名
機種コード
Device code
パッケージコード
Package type
定格電流
Current
極性
Polarity
定格電圧
Voltage
シリーズ
Series
Company
Fuji
G
IGBT
W
TO-247
（b）ダイオードなし
without Diode
コレクタ
Collector
ゲート
Gate
24
コレクタ
Collector
ゲート
Gate
エミッタ
Emitter
N
N-ch
60
600V
H
120
1200V
HC
High Speed V w/o FWD
High Speed V with FWD
■ 等価回路 Equivalent circuit
（a）ダイオード内蔵
with Diode
×1
エミッタ
Emitter
HD
VD
V series with FWD
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ EV, HEV用IGBT IPMの特長 Features of IGBT IPM for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle
■特長 Features
ドライブ回路、保護機能内蔵
・光絶縁
（信号入力、IGBT チップ温度モニター、異常検出時アラー
ム出力）
・短絡保護、過熱保護、制御電圧低下保護
・鉛フリー
Including circuit board whitch has IGBT drive and protection
fanction
・Optical isolated
(signal input, IGBT’s temperature monitor, alarm output)
・Detection and protection
(short-circuit, over-temperature, under-voltage)
・Lead Free Package
■ 特性 Characteristics
型式
Device type
2MBP600UN-120V
(Tj=25°C)
VCES
Volts
1200
IC(Cont)
Amps.
600
VCE(sat)
Typ. Volts
2.00
パッケージ
Package
P401
VF
Typ. Volts
2.20
質量
Net mass Grams
680g
■ EV, HEV用IGBTモジュールの特長
Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle
■特長 Features
第 6 世代“V シリーズ”650V-IGBT
直接水冷銅フィンベース
高パワー密度および小型パッケージ
RoHS 対応
6th Generation “V-series“ 650V-IGBT
Direct liquid Cooling Fin-base with copper
High power density and small package size
RoHS compliant
P
9 C
3 G
1 G
5 G
6 E
7 T1
V
U
W
8 T2
11 G
13 G
15 G
10 E
12 E
14 E
NTC
4 E
2 E
N
■ 特性 Characteristics
○
○
型式
Device type
6MBI400VW-065V
6MBI600VW-065V
VCES
Volts
650
650
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
IC(Cont)
Amps.
200
300
IC(Peak)
Amps.
400
600
VCE(sat)
Typ. Volts
2.00（IC=400A）
2.00（IC=600A）
VF
Typ. Volts
1.70（IF=400A）
1.70（IF=600A）
パッケージ
Package
M651
M652
質量
Net mass Grams
660g
900g
○：開発中 Under development
25
SiCデバイス/SiC Devices
2
■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
■特長 Features
@Y
高性能チップ適用
· Z'\^@&&
・低損失の V シリーズ IGBT
· _#_^`@&&
SiC
・低損失の SiC-SBD
Y{&"&_#'\^
従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換
Y&
■２個組 1700V クラス Standard 2-pack 1700 volts class
Ic
400A 2MSI400VE-170-50
1700V
V Series, SiC-SBD
M277
Dimension [mm]
型式
`"$
○
VCES
VGES
Z& Vo&s
1700 ±20
2MSI400VE-170-50
IC
PC
Con.
VCE(s) (VGE=15V) スイッチングタイム Sicin ime
$
o@@
@
IC
$
T$.
T$.
Ams. Ws Z&
Ams.
400 3840
2.00
400
TBD
TBD
TBD
パッケージ質量
{ Y
\Y
M277
470
○：開発中 Under de"e&omen
■６個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class
Thermistor
N
P
Ic
100A 6MSI100VB-120-50
P
U
V
U
W
M633
V
1200V
V Series, SiC-SBD
W
N
Solder pins
Dimension [mm]
型式
`"$
○
VCES
VGES
Z& Vo&s
1200 ±20
6MSI100VB-120-50
PC
IC
Con.
VCE(s) (VGE=15V) スイッチングタイム Sicin ime
$
o@@
@
IC
$
T$.
T$.
Ams. Ws Z&
Ams.
100
520
1.75
100
0.39
0.42
0.05
パッケージ質量
{ Y
\Y
M633
300
○：開発中 Under de"e&omen
注: EconoPACK™はInneon Tecno&oies社の登録商標です。
Noe: EconoPACK™ is reisered rdemr{s o@ Inneon Tecno&oies AG, Germn$.
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 600, 1200V クラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
Thermistor
B
P P)
P
P1
N
N1
R
S
T
U
V
Ic
W
R
M712
S
T
B
U
V
W
N N)
600V
V Series, SiC-SBD
35A
50A 7MSR50VB060-50
75A 7MSR75VB060-50
100A 7MSR100VB060-50
1200V
V Series, SiC-SBD
7MSR35VB120-50
7MSR50VB120-50
Dimension [mm]
型式
`"$
○
○
○
○
○
7MSR50VB060-50
7MSR75VB060-50
7MSR100VB060-50
7MSR35VB120-50
7MSR50VB120-50
ブレーキ部 Br{e [IGBT+FED] コンバータ部 Con"erer [Diode]
インバータ部 In"erer [IGBT]
PC
VCE(s) VCES
IC
VRRM VRRM
IO
VFM
IFSM
VCES IC
$
$
Con.
Con.
Con.
Z& Ams. Ws Z&
Z&
Z& Z&
Ams.
Ams. Z&
Ams.
600
50
215
1.6
600
50
600
800
50
1.3
210
600
75
300
1.6
600
50
600
800
75
1.25
500
600
100
335
1.6
600
50
600
800
100
1.25
700
1200
35
210
1.85
1200
25
1200 1600
35
1.35
260
1200
50
280
1.85
1200
35
1200 1600
50
1.35
360
○：開発中 Under de"e&omen
注: EconoPIM™はInneon Tecno&oies社の登録商標です。
Noe: EconoPIM™ is reisered rdemr{s o@ Inneon Tecno&oies AG, Germn$.
26
パッケージ質量
{ Y
\Y
M712
300
M712
300
M712
300
M712
300
M712
300
SiCデバイス/SiC Devices
2
■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD)
■特長 Features
低スイッチング特性
・電源の高周波動作、システムの小型軽量化
#Z~YY&&
低 IR 特性
#'
・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化
高逆サージ耐量
· \#Y#
@@$
"&&$
■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series
SiC-SBD Series
結線
シングル
VRRM (V)
600
デュアル
1200
600
1200
型式
`"$
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
FDCP10S60
FDCP20C60
FDCP25S60
FDCA10S60
FDCA20C60
FDCA25S60
FDCY10S60
FDCY20C60
FDCY25S60
FDCY50C60
FDCP18S120
FDCA18S120
FDCY18S120
FDCY36C120
TO-220
TO-220F
TO-247
Io (A)
10
25
18
20
50
36
絶対最大定格
Mximm rin
IO *1
VRRM
Z&
Ams.
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
IFSM *2
Ams.
10
20
25
10
20
25
10
20
25
50
18
18
18
36
50
50
100
50
50
100
50
50
100
100
90
90
90
90
接合温度
Term& rin
Tj (°C)
MAX
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
電気的特性 (T=25°C)
Crcerisics
VFM
IRRM *3
*!Z&
MAX. μA
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.6
10
1.7
10
1.7
10
1.7
10
1.7
10
パッケージ
{
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220F
TO-220F
TO-220F
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
TO-220
TO-220F
TO-247
TO-247
○：開発中 Under de"e&omen
*1 50} 方形波 d$=1/2
*2 正弦波 10ms
*3 VR=VRRM
*1 50} S|re "e d$=1/2
*2 Sine &@ "e, 10ms
*3 VR=VRRM
27
SiC
· #@|$Y}"
低 VF 特性（温度依存性が小さい）
3
集積回路/Integrated Circuits
■ 電源制御用 IC の特長 Features of Power Supply control ICs
低待機電力対応PWM制御IC Green Mode PWM-ICs（PWMIC)
■特長 Features
500V / 750V 耐圧起動回路内蔵
軽負荷時スイッチング周波数低減各種保護機能（過電圧 / ブラウンアウト /2 段階過電力）
周波数拡散機能による低 EMI ノイズ
Built-in 500/750V withstand voltage start up circuit
Reduct switching frequency at light load
Protect functions (Over voltage/Brown out/2 stage Over power)
IC
Low EMI noise
低待機電力対応擬似共振制御IC Green Mode Quasi-resonant ICs（QRIC)
■特長 Features
500V 耐圧起動回路内蔵
低待機電力対応（間欠動作 / 周波数低減）
各種保護機能（過電圧 / 過負荷など）
Built-in 500V withstand voltage start up circuit
Green mode functions (Intermittent Switching/Linearly reduced switching frequency)
Protect functions (Over voltage/Over load etc.)
力率改善制御IC Power Factor Correction ICs（PFCIC)
■特長 Features
幅広い電力範囲（75W ∼ 1kW）
力率 0.99 以上
各種保護機能（FB ピンオープンショート / 過電圧など）
Wide electric power range(From 75W to 1kW)
Power factor ≧ 0.99
Protect functions (FB Pin open short/Over voltage etc.)
電流共振IC Current Resonant ICs（LLCIC)
■特長 Features
ワールドワイド入力にて、1 コンバータによる回路構成が可能
ハイサイド駆動回路内蔵
共振はずれ防止機能
各種保護機能（過電流 / 過電圧 / 過負荷 / 過熱 / ブラウンアウト）
低待機電力対応（間欠動作）
Realize 1 convertor circuit structure at world wide input power
Built-in High side driver
Priventing capacitive region operation
Protect functions (Over current/Over voltage/Over load/Over heat/Brown out)
Green mode function (Intermittent switching)
28
集積回路/Integrated Circuits
3
ハイサイド・ローサイドドライバIC High and Low side driver IC (HVIC)
■特長
■ Features
High negative transient voltage on VS terminal
Wide range supply voltage up to 30V (FA5650/5651)
3.3V logic compatible
Built-in under voltage lockout
Allowable offset supply voltage transient dVs/dt up to 50kV/us
High speed response: Turn on/off delay time 125ns (Typ)
(FA5650/5651/5751)
IC
VS 端子の高負電圧耐量
30V までの広範囲電源電圧（FA5650/5651）
3.3V 論理入力に対応
電源電圧低下保護を内蔵
dVs/dt 耐量 50kV/us の高ノイズ耐量
高速応答：入出力遅延時間 125ns（Typ）
（FA5650/5651/5751）
■型式の見方 Part numbers
FA8A00N (example)
F
社名
Company Symbol
F
Fuji
A
制御方式
Control System
A
Analog
8
製品シリーズ
Series
1
CRMPFC
6
LLC
8
PWM
A
世代
Generation
A
1G
B
2G
C
3G
…
…
55
製品シリーズ
Series
3X
AC/DC
5X
AC/DC
7X
DC/DC
13X
AC/DC
90
系列番号
Number
二桁の整数
Two-digit
integer
00
系列番号
Number
二桁の整数
Two-digit
integer
N
パッケージコード
Package code
N
SOP
P
DIP
FA5590N (example)
F
社名
Company Symbol
F
Fuji
A
制御方式
Control System
A
Analog
N
パッケージコード
Package code
N
SOP
P
DIP
29
3
集積回路/Integrated Circuits
■ AC/DC 電源制御用 IC
AC/DC Power Supply control ICs
低待機電力対応PWM制御IC（電流モード） Green mode PWM-ICs (Current mode)
ブラウン
型式
デューティ入力電圧
動作周波数電流検出過負荷保護
Input voltage Frequency Current Over load
アウト機能 Type Name Duty
sense
protection
Brown out
function
FA5628N
85%
11 - 24V
65kHz
FA5627N
内蔵
Within
FA8A00N
FA8A40N
65kHz
100kHz
83%
65kHz
IC
FA8A27N
FA5528N
FA5527N
FA5526N
FA5538N
FA5537N
FA5536N
FA5637N
FA5639N
FA5680N
80%
10 - 26V
11 - 24V
10 - 24V
85%
11 - 24V
非内蔵
Without
65kHz
FA8A60N
65kHz
FA8A64N
100kHz
FA8A61N
FA8A65N
FA8A70N 83%
FA8A74N
FA8A71N
FA8A75N
65kHz
100kHz
65kHz
100kHz
65kHz
100kHz
10 - 24V
65kHz
●：新製品 New Products ○：開発中 Under development
PKG: 全て8pin All 8pin
リニア周波数低減
内蔵
+ 間欠動作
Built-in
Linearly reduced
（500V） switching requency
and Intermittent
内蔵
Built-in
ラッチ
Latch
内蔵
Built-in
リニア周波数低減
自動復帰（500V） Linearly reduced
Autoswitching frequency
Recovery
プラス
Positive
自動復帰
Auto-Recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
X-Cap
放電機能
X-Cap
discharge
function
リニア周波数低減
内蔵
Built-in
Linearly reduced
（750V） switching frequency
自動復帰
Auto-Recovery 2段階
ラッチ
タイマーラッチ 2Stage
Latch
Timer-latch (OPP ratio
遅延
（Delay）
: 1:1.4)
70ms
タイマーラッチ 2段階
Timer-latch 2Stage
遅延
（Delay）
: (OPP ratio
860ms
1:1.8)
タイマーラッチ
Timer-latch
1段階
1Stage
自動復帰
マイナス Auto-Recovery
Negative
ラッチ
Latch
タイマーラッチ
Timer-latch
FA5681N
FA8A12N
30
プラス
Positive
10 - 28V
60kHz
100kHz
130kHz
60kHz
100kHz
130kHz
65kHz
100kHz
過電圧保護起動回路低待機電力機能
Green mode
Over
Start up
function
voltage
circuit
protection
自動復帰
マイナス Auto-Recovery 1段階
Negative タイマーラッチ 1Stage
Timer-latch
12 - 24V
FA8A01N
過電力保護
Over
power
protection
内蔵
Built-in
(750V)
リニア周波数低減
+ 間欠動作
Linearly reduced
switching requency
and Intermittent
自動復帰
AutoRecovery
タイマーラッチ
Timer-latch
プラス
Positive
自動復帰
Auto-Recovery
1段階
1Stage
タイマーラッチ
Timer-latch
2段階
自動復帰
Auto-Recovery 2Stage
ラッチ
Latch
リニア周波数低減
内蔵
+ 間欠動作
Built-in
Linearly reduced
（500V） switching requency
and Intermittent
内蔵
Built-in
集積回路/Integrated Circuits
3
低待機電力対応PWM-IC系列（ブラウンアウトあり） Green mode PWM-ICs with Brown Out function
低待機電力PWM IC
Green Mode PWM IC
内蔵
Within
ブラウンアウト機能
Brown Out function
プラス検出
Positive
マイナス検出
Negative
過電力保護
Over power protection
1段階
1 Stage
2段階
2 Stage
OPP ratio 1:1.4
65kHz
65kHz
動作周波数
Frequency
過負荷保護
Over load protecition
2段階
2 Stage
OPP ratio 1:1.8
100kHz
65kHz
自動復帰
Auto-recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
70ms
70ms
70ms
70ms
70ms
860ms
内蔵
Within
内蔵
Within
内蔵
Within
内蔵
Within
FA8A00N
FA8A01N
FA8A40N
FA8A27N
OLP遅延時間
OLP Delay time
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
型式
Product type
FA5628N
FA5627N
IC
電流検出
Current senes
低待機電力対応PWM-IC系列（ブラウンアウトなし） Green mode PWM-ICs without Brown Out function
低待機電力PWM IC
Green Mode PWM IC
ブラウンアウト機能
Brown Out function
非内蔵
Without
過電力保護
Over power protection
1段階
1 Stage
電流検出
Current senes
マイナス検出
Negative
プラス検出
Positive
リニア周波数低減+間欠動作リニア周波数低減
軽負荷時動作
Green mode function Linearly reduced frequency Linearly reduced
and Intermittent
frequency
リニア周波数低減
Linearly reduced
frequency
過負荷保護
Over load protecition
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰タイマーラッチタイマーラッチ
Timer-latch
Auto-recovery Timer-latch
動作周波数
Frequency
65kHz
65kHz
2段階
2 Stage
65kHz 100kHz
プラス検出
Positive
リニア周波数低減+間欠動作
Linearly reduced frequency
and Intermittent
自動復帰
Auto-recovery
60kHz 100kHz 130kHz 65kHz
タイマーラッチ
Timer-latch
100kHz
型式
Product type
FA5680N
FA5681N
自動復帰
Auto-recovery
65kHz
内蔵
Within
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
リニア周波数低減+間欠動作
Linearly reduced frequency
and Intermittent
100kHz
内蔵
Within
65kHz
内蔵
Within
内蔵
Within
内蔵
Within
FA5637N FA5639N FA5528N FA5527N FA5526N FA8A60N FA8A70N FA8A64N FA8A74N FA8A61N FA8A71N FA8A65N FA8A75N FA8A12N
低待機電力対応PWM-IC代表型式ブロック図 Block diagram of Green mode（main model）
FA8A00N（With-in Brown out)
FA8A61N（Without Brown out)
Start_up Block
Start_up Block
vcc
VH
uvloh
Start up
current
on
VCC UVLO comp.
X-CAP
Discharge
startup
uvlo
reset
bo
BO_Timer
OVP_VCC
Soft
Start
OSC
vcc
VH
reset
ovp
reset
Dmax
VCC OVP
R
FB
fb
reset
ctrl
T1
Reset SCP
T2
Over load
S
RSFF
OLP reset
Q
Vcssl
R
GND
FB
reset
Latch_Timer
Latch
Reset
Set
Reset
Start Up
Management
latch
bo
uvlo
monitor
ctrl
OUT
R
OLP Block
OLP comp.
OLP Timer
T1
Reset
reset
POM comp.
T2
Over load
latch
reset
S
OLP reset
RSFF
pwm_on
Q
GND
R
olp
lat_set
power_off
clk
POM Timer
5uA
LAT
on
Driver
RSFF
POM
Control
Q
OCP comp.
CS
state set
olp_short
clk
vcc
clk
power_off
ctrl
VDD3
ovp
1 shot
S
fb
VCC
Latch comp.
PWM
OSC
Vss
FB OFF
comp.
reg
LAT
PWM
comp.
Vfbd
olp_short
SCP comp.
Latch Block
Latch
1 time clamp
VCC dchg
latch
Dmax
Dmax
VDD5
su_on
OLP_Timer
Soft
Start
jitter
fb
lat_set
pwm_on
Slope
CS
OLP Block
OLP_CS
VDD3（3.15V）
PWM OSC Block
CS
state set
Q
ss
FB_OFF
comp.
Timer
OSC
reset
Line
Correction
OUT
CS
reg
ovp
power_off
reset
clk
VH voltage
detect
ON
RSFF
30V
Vss
DBL Driver
S
PWM
comp.
Slope
reset
Reg3
uvlo
latch
1 shot
PWM
OSC
Vref
Gen.
vdd_uvlo
clk
fb
VDD5（5V）
Reg5
Latch
1 time clamp
VCC dchg
Dmax
Line_
Correction
VCC
pwm_on
VCC UVLO comp.
ss
clk
OCP comp.
VH voltage
detect
Start up
current
on
startup
latch
Hys. comp.
VCC
35V
reset
Discharge
_Timer
clk
Brown IN/OUT Block
clk
3V
reg (Internal power supply)
REF.
/ Reg.
lat_ovp
su_on
reset
latch
clk
ovp
startup
Latch comp.
Latch Timer
Latch
Reset
Set
Reset
Start Up
Management
latch
vcc
on
monitor
ctrl
startup
OHP
reset
31
3
集積回路/Integrated Circuits
汎用PWM制御IC General PWM-ICs
低待機
電力機能
Green mode
function
型式
Type
Name
制御方式デューティ入力電圧
電流検出
Control
Duty
Input voltage Current
mode
sense
FA3641P/N
70%
10 - 28V
FA3647P/N
IC
内蔵
Within
（リニア
周波数低減）
(Linearly
reduced
switching
frequency
FA5604N
FA5605N
プラス
Positive
マイナス
Negative
タイマーラッチ
Timer-latch
マイナス
Negative
自動復帰
Auto-Recovery
ヒカップ動作 / 停止
期間比率
1：7
ラッチ
自動復帰
Latch
Auto-Recovery
ヒカップ動作 / 停止
期間比率
1：15
自動復帰
Auto-Recovery
ヒカップ動作 / 停止
期間比率
1：7
46%
電圧
モード
Voltage
mode
10 - 30V
70%
FA5606N
FA13842P/N
FA13843P/N
FA13844P/N
FA13845P/N
電流
モード
Current
mode
FA5504P/N
過負荷保護
過電圧保護 UVLO
Over load protection Over
Undervoltage
voltage
protection lockout
96%
‒
10 - 25V
‒
48%
17.5V ON
9.7V OFF
軽負荷時周波数低減
開始 / 復帰 FB 電圧
1.8V/1.95V
17.5V ON
9.7V OFF
軽負荷時周波数低減
開始 / 復帰 FB 電圧
1.55V/1.65V
16.5V ON
9.0V OFF
プラス
Positive
エラーアンプ内蔵
With ER amp
46%
FA5510P/N
非内蔵
Without
FA5511P/N
FA5514P/N
FA5515P/N
70%
電圧
モード
Voltage
mode
46%
ラッチ
Latch
マイナス
Negative
70%
FA5607N
PKG: 全て8pin All 8pin
動作周波数：外部調整 Frequency: Adjustable
32
タイマーラッチ
Timer-latch
10 - 28V
10 - 30V
備考
Remarks
自動復帰
Auto-Recovery
ヒカップ動作 / 停止
期間比率
1：7
17.5V ON
9.7V OFF
集積回路/Integrated Circuits
3
汎用PWM制御IC系列 General PWM-ICs
汎用PWMIC
General PWM IC
内蔵
Within
低待機電力機能
Green mode function
動作モード
Control mode
ボルテージモード
Voltage mode
デューティー
Duty
46%
電流検出
Current Sense
マイナス検出
Negative
プラス検出
Positive
マイナス検出
Negative
自動復帰
Auto-recovery
過負荷ヒカップ動作比率
OLP HICCUP RATE
型式
Product type
自動復帰
Auto-recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
IC
過負荷保護
Over load protecition
70%
1:7
FA5604N
FA3647P/N
FA3641P/N
1:15
1:7
FA5605N
FA5606N
汎用PWMIC
General PWM IC
低待機電力機能
Green mode function
非内蔵
Without
動作モード
Control mode
ボルテージモード
Voltage mode
デューティー
Duty
電流検出
Current Sense
その他
Other
型式
Product type
46%
プラス検出
Positive
70%
マイナス検出
Negative
プラス検出
Positive
エラーアンプ内臓
With ER amp
FA5504P/S
FA5510P/N
カレントモード
Current mode
FA5514P/N
FA5511P/N
マイナス検出
Negative
過負荷保護
(OLP)
タイマーラッチ
Timer-latch
過負荷保護
(OLP)
自動復帰
Auto-recovery
FA5515P/N
FA5607N
96%
48%
プラス検出
Positive
プラス検出
Positive
UVLO
16.5V ON
9.0V OFF
UVLO
16.5V ON
9.0V OFF
UVLO
9.6V ON
9.0V OFF
UVLO
9.6V ON
9.0V OFF
FA13842P/N FA13843P/N FA13844P/N FA13845P/N
汎用PWM-IC代表型式ブロック図 Block diagram of General PWM-ICs（main model）
FA5604N
VCC(6)
80㱅
OSC & counter
(For Hiccup)
CS(8)
ON/OFF
3.6V
Latch
5V
S
7.3V
10k㱅
5V Reg.
17.5V/9.7V
Internal
supply
Q
37.5V
UVLO
5V Reg.
Check
0.75V/0.60V
15.5V
FA13842P/N
R QB
S
UVLO
FB(2)
PWM
Q
R QB
1M㱅
10pF
S
Voltage Controlled
Oscillator
ONE
SHOT
EN
OUTPUT
OUT(5)
Q
R QB
Dmax= 46%
3.5/3.3V
Output current
limit function
VF(7)
Overload
Sensing
RT(1)
䋭0.17V
GND(4)
IS(3)
33
3
集積回路/Integrated Circuits
低待機電力対応擬似共振制御IC（電流モード） Green mode Quasi-resonant ICs（Current mode）
型式
Type
Name
入力電圧
最大周波数
Input voltage Maximum
frequency
過負荷保護
Over load
protection
FA5570N
自動復帰
Auto-Recovery
10 - 28V
120kHz
FA5573N
FA5574N
IC
FA5577N
備考
Remarks
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-Recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-Recovery
18V ON
8V OFF
ZCD
リニア周波数低減
Linearly reduced
switching
frequency
VCC
内蔵
Built-in
（500V）
FA5641N
FA5642N
11 - 26V
FA5643N
オン−オフ幅検出による
ボトムスキップ数制御
Bottom skip control by
on-oﬀ width detection
FA5648N
自動復帰
Auto-Recovery
最小周波数制限機能
Min. frequency
limitation
10V ON
8V OFF
ZCD
タイマーラッチ
Timer-latch
PKG: 全て8pin All 8pin
14V ON
8V OFF
自動復帰
Auto-Recovery
FA5644N
過電圧保護
Over voltage protection
ラッチ
Latch
間欠動作
Intermittent
Switching
FA5640N
34
UVLO
Undervoltage
lockout
–
FA5571N
FA5572N
過電圧検出起動回路低待機電力機能
Over
Start up Green mode
voltage
circuit
function
sense
間欠動作
Intermittent
Switching
14V ON
8V OFF
最小周波数制限
Min. frequency
limitation
IS 端子ラッチ停止
Latch stop function
(IS pin)
高周波動作向け
For High SW
frequency
集積回路/Integrated Circuits
3
低待機電力対応擬似共振制御IC系列 Green mode Quasi-resonant ICs
疑似共振制御IC
Quasi-resonant IC
オン・オフ幅検出によるボトムスキップ数制御
Control of bottom skips by on-off width detection
周波数
Frequency
最大周波数: 120kHz
Max. frequency: 120kHz
間欠動作
Intermittent
軽負荷時動作
Green mode function
過負荷保護
Over load protecition
自動復帰
Auto-recovery
低電圧誤動作防止
UVLO
14.0V ON
8.0V OFF
間欠動作
Intermittent
タイマーラッチ
Timer-latch
10.0V ON
8.0V OFF
14.0V ON
8.0V OFF
周波数低減
Reduced ferquency
自動復帰
Auto-recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-recovery
タイマーラッチ
Timer-latch
18.0V ON
8.0V OFF
18.0V ON
8.0V OFF
18.0V ON
8.0V OFF
18.0V ON
8.0V OFF
その他
Other
IS端子ラッチ
Latch stop function
of IS pin
型式
Product type FA5640N
FA5641N
FA5643N
高周波動作
High Sw
frequency
FA5648N
IC
最小周波数制限
Min. frequency limitation
過電圧検出：ZCD 過電圧検出：ZCD 過電圧検出：ZCD 過電圧検出：VCC 過電圧検出：ZCD
OV sense: ZCD OV sense: ZCD OV sense: ZCD OV sense: VCC OV sense: ZCD
FA5642N
FA5644N
FA5570N
FA5571N
FA5572N
FA5573N
FA5577N
FA5574N
低待機電力対応擬似共振IC代表型式ブロック図 Block diagram of Quasi-resonant ICs（main model）
FA5570N
FA5640N
㻹㻫
ZCD
㻽㻦㻧
Valley
detection
5V
Start up
management
Logic
10.5V/9V
1 shot
(380ns)
Time out
(14μs)
CLR
VH
Start up
Current
㻥㼒㼗㼗㼒㼐
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻽㻦㻧
㻚㻑㻘㻹
5V
30k
Q
㻗㻑㻛㻹
1/4:FA5671
のみ
㻩㻥
Timer
190ms
Timer
(57μs)
IS
1520
ms
Latch
OCP2
Reset
VinH
㻲㼙㼈㼕㼏㼒㼄㼇
GND
FA5671
のみ:機能あり
28V
㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㼈㼑㼅
㻖㻑㻘㻒㻖㻑㻖㻹
㻲㻹㻳
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻷㼌㼐㼈㼕
㻕㻓㻓㼐㼖
㻔㻙㻓㻓㼐㼖
㻲㻹㻳㻔
㻙㻹
㻹㼗㼋㻬㻶㻃㼄㼗㻃㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㻓㻑㻔㻘㻹
VinH
㻓㻑㻔㻓㻹
㻓㻑㻘㻹
㻓㻑㻗㻘㻹
㻽㻦㻧
㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㻓㻑㻘㻘㻹
㻹㼗㼋㻬㻶
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻲㻸㻷
㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻋㻗㻑㻘䃒㼖㻌
㻔㻒㻙
㻶㼒㼉㼗㻃㼖㼗㼄㼕㼗
㻋㻔㼐㼖㻌
OVP1
5570
/5671
:機能なし
㼈㼑㼅
㻴
VinH
㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃
㼆㼒㼐㼓㼄㼕㼄㼗㼒㼕
VCC
2V
3.5/3.3V
㻶
㻵㻕
㻵㻔
㻬㻶
4.5us:FA5571
A
5570
/5671
:ZCD OVP
2.3us
(
)機能なし
150k
Timer
(2.3μs)
㻰㼄㼛㻑㻃㻷㼒㼑
㻋㻕㻗䃒㼖㻌
㻹㼗㼋㻩㻥㻓㻓㻑㻗㻘㻹
㻓㻑㻖㻘㻹
㻔㻓䃒㻤
OVP
㻵㼈㼖㼈㼗
㻎
R
1/2
㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏
㼖㼘㼓㼓㼏㼜
VinH
㻐㻧㼌㼖㼄㼅㼏㼈
OUT
ZCD
Overload
Resistance ratio
MP1 on/off
91.3%/100%
84.1%/100%
24k
Driver
Disable
S
㻗㻑㻛㻹㻃㻵㼈㼊㻑
MP1
18V/8V
Soft start
(2.6ms)
1V
0.5V:FA5671
のみ
㻔㻗㻹㻒㻛㻹
㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕㻃
㻋㻕䃒㼖㻌
㻗㻑㻛㻹
㻹㻦㻦
㻸㻹㻯㻲
UVLO
Internal
supply
FB
mode select
signal
㻵㼈㼖㼗㼄㼕㼗㻃㻷㼌㼐㼈㼕
㻕㻘䃒㼖
5V Reg.
㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓
㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗
㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓
㼐㼄㼑㼄㼊㼈㼐㼈㼑㼗
㻔㻔㻹㻒㻜㻹
VinH
170kHz:5571
A/5671
Current
comparator
㻬㼑㼓㼘㼗㻃
㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻳㼘㼏㼖㼈㻃㼚㼌㼇㼗㼋㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
Max. fsw
Blanking
(120kHz)
0.4V
set
㼈㼑㼅
VCC
Reset
IS
㻔㻃㼖㼋㼒㼗
㻋㻕㻜㻓㼑㼖㻌
㻥㼒㼗㼗㼒㼐㻃㻶㼎㼌㼓㻃
㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏
㻯㼄㼗㼆㼋
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻲㻯㻳
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻵㼈㼖㼈㼗
㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻙㻓䃒㼖
㻪㻱㻧
35
3
集積回路/Integrated Circuits
力率改善制御IC Power factor correction ICs
制御方式型式
Control Type
mode
Name
入力電圧最大電流検出 UVLO
Input voltage デューティ Current
Undervoltage
Duty sense
lockout
FA5590N
9.6V ON
9.0V OFF
FA5591N
13.0V ON
9.0V OFF
FA5695N
13.0V ON
9.0V OFF
FA5696N
IC
臨界モード
10 - 26V
CRM
–
FA5601N
連続モード
FA5612N
CCM
94%
10 - 26V
FA5613N
17.3V ON
8.8V OFF
9.6V ON
マイナス 9.0V OFF
Negative 13.0V ON
9.0V OFF
●：新製品 New Products ○：開発中 Under development
PKG: FA5502のみ16pin 他は全て8pin FA5502 is 16pin, others are 8pin
36
ゼロ電流
検出
Zero Current
Detection
FB オープン過電圧保護
ショート保護 Over
FB open voltage protection
short
protection
外部調整
Adjustable
電流検出
Current
sence
備考
Remarks
外部選択
Choice
65/60kHz/jitter
(50-70kHz)
パルス幅制御電圧制限
＋電圧制限
2 重 OVP
Voltage-Limit by Pulse Dual OVP
width and Voltage-Limit
内蔵
Built-in
固定
220kHz
パルス幅制御電圧制限
Voltage-Limit by Pulse
width
パルス幅制御電圧制限
＋電圧制限
2 重 OVP
Voltage-Limit by Pulse Dual OVP
width and Voltage-Limit
外部調整
Adjustable
固定
マイナス 16.5V ON 外部調整
Negative 8.9V OFF Adjustable
FA5502P/M 10 - 28V
最大
周波数
Maximum
frequency
パルス幅制御電圧制限
Voltage-Limit by Pulse
width
9.6V ON
マイナス
9.0V OFF
Negative
9.6V ON
8.8V OFF
12.4V ON 自励方式
8.8V OFF Self-oscillation
9.6V ON
8.8V OFF
12.4V ON
8.8V OFF
13.0V ON
9.0V OFF
プラス
Positive
動作
周波数
Frequency
補助巻線
Auxiliarywinding
150kHz
–
パルス幅制御電圧制限
Voltage-Limit by Pulse
過負荷保護
width
Over load
protection
–
電圧制限
Voltage-Limit
–
–
内蔵
Built-in
パルス幅制御電圧制限
Voltage-Limit by Pulse
width
集積回路/Integrated Circuits
3
力率改善制御IC系列 Power factor correction ICs
力率改善制御IC
PFC IC
動作モード
Mode
臨界モード
CRM Mode
最大動作周波数
Maximam frequency
外部調整
Adjustable
固定
Fixed
プラス
Positive
マイナス
Negative
低電圧誤動作防止 13.0V ON
UVLO
9.0V OFF
過電圧保護
Over voltage proteciton
シングル
Single
9.6V ON
9.0V OFF
シングル
Single
プラス
Positive
13.0V ON
9.0V OFF
デュアル
Dual
シングル
Single
17.3V ON
8.8V OFF
デュアル
Dual
型式
Product type
FA5601N
9.6V ON
8.8V OFF
シングル
Single
シングル
Single
マイナス
Negative
12.4V ON
8.8V OFF
デュアル
Dual
シングル
Single
9.6V ON
9.0V OFF
FA5696N
FA5590N
FA5591N
FA5695N
FA1A21N
13.0V ON
9.0V OFF
発振周波数
外部選択
60/65kHz/jitter
(50-70kHz) Choice
FA1A31N
FA1A00N FA1A11N
FA1A10N
16.5V ON
8.9V OFF
デュアル
Dual
ゼロ電流
検出端子
with ZCD
sense pin
ゼロ電流
検出端子
with ZCD
sense pin
その他
Other
マイナス
Negative
FA1A01N
FA5612N
発振周波数
外部調整
15-150kHz
Adjustable
FA5613N
IC
電流検出
Current sense
連続モード
CCM Mode
FA5502P/M
力率改善制御IC代表型式ブロック図 Block diagram of Power factor correction ICs（main model）
FA5590N/FA5591N
FA5613N
VCC
RT
3
８
UV
Freq
Reduce
RAMP
OSC
THD
Optimize
2.5V
+
-
Erramp
VDET
Driver
７
S
Q
F.F.
２
0.4V/0.35V
Overshoot
Reduce
2.71V/2.61V
+
Short
Comp
SP
2
SOVP
OCP
Comp
６
GND
PROT
FB
G
- 4mV
Filter
40ns
UV
SP
5
ICMP
7
OUT
6
GND
G
Gate
Driver
OSC
+
ᣉᩋᶭ⬗
Dinamic O.V.P.
O.V.P.
12k
Restart
Comp
State
Set
ERR. AMP
1
2.5M
ZCD
Comp
PWM COMP
0.5V
2.5V
IS
+
-
+
-
CUR. AMP
OVP
Comp
+
-
Bypass Diode
Short Prot
SP
VD
Multiplier
Delay
CS ５
G
VCMP
2.71V/2.61V
- 0.6V
3
R
TIMER
S
SOVP
Comp
VIN
Detector
OUT
+
-
SP
UVLO
+
Internal Bias : 5V
2.7V
Q
R
OVP
COMP
+
VREF
FB
PROT
１
SP
SOVP
FB
UVLO
UVLO
12.4V/8.8V
PWM
Comp
0.3V
8
28V
+
Dynamic
OVP
+
2.63V
VCC
28V
UVLO
Comp
REF
5.0V
4
Static O.V.P.
5.0V
VD
28k
O.C.P
IL
Detector
- 12mV
４
OVP
37
集積回路/Integrated Circuits
3
電流共振IC Current Resonant ICs
型式
Type
Name
制御方式
Control
mode
入力電圧 UVLO
Input voltage Undervoltage
lockout
FA5760N
電圧モード
Voltage mode
動作
周波数
Frequency
最大
周波数
Maximum
frequency
12.0V ON
8.9V OFF
10 - 24V
電流検出
Current
sense
プラス
Positive
自励方式
Self-oscillation
タイマーラッチ内蔵 Built-in
Timer-latch
（500V）
350kHz
タイマーラッチ
Timer-latch
●：新製品 New Products
PKG: 全て16pin All 16pin
IC
電流共振IC Current Resonant ICs
電流共振IC
Current Resonant IC
電流検出
Current sense
プラス検出
Positive
内蔵
Within
過負荷保護
Over load protecition
内蔵（調整可能）
Within（Adjustable）
自動復帰
Auto-Recovery
周波数
Frequency
型式
Product type
200kHz
350kHz
FA5760N
FA6A00N
350kHz
FA6A10N
電流共振IC型式ブロック図 Block diagram of Current Resonant ICs
FA5760N
FA6A00N
㻥㼏㼒㼆㼎㻃㻧㼌㼄㼊㼕㼄㼐
㻳㻪㻶
㻹㻦㻦
㻵㻨㻩
㻹㻫
㻹㻥
+
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗
㻭㻩㻨㻷
㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓㻃
㼆㼒㼐㼓
㻹㻶㻷㻲㻱㻒
㻹㻶㻷㻲㻩㻩
㻹㻦㻦㼂㻸㻹㻯㻲
㻹㻫㻲㻹㻳
㻶㼗㼒㼓㻃㼖㼚㼌㼗㼆㼋㼌㼑㼊
-
㻹㼗㼋㼂㼋㼙
-
㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓
㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻥㻲㼆㼒㼐㼓
+
㻫㼌㼊㼋㻐㼖㼌㼇㼈㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻦㼋㼄㼕㼊㼈㻃
㼇㼈㼏㼄㼜
㻥㻬㻤㻶㻫
㻸㻹
㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻔㻓㻓㻹㼄㼆
㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆
㻯㼈㼙㼈㼏㻐㻶㼋㼌㼉㼗
㻥㻬㻤㻶㻯
㻵㻨㻪㼂㻸㻹㻯㻲
㻬㼑㼓㼘㼗㻃
㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻵㼈㼊㻑㻃㻘㻹
㻥㻲
㻥㻲㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻋㻚㻓㼐㼖㻌
㻹㼗㼋㼂㼅㼒
㻹㻦㻦㻲㻱㻒
㻹㻦㻦㻲㻩㻩
㻲㻶㻦
㻵
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻶㼌㼊㼑㼄㼏㻒㻱㼒㼌㼖㼈
㻶㼈㼓㼄㼕㼄㼗㼌㼒㼑
㻫㻲
㻕㻓㻓㼑㼖
㻨㼇㼊㼈
㻹㻶
㼕㼈㼖㼈㼗
㻹㻦㻲
㼒㼑㼂㼗㼕㼊
㻷㻩㻩
㻵
-
㻘㻹
㻴
㻷㼌㼐㼌㼑㼊㻃
㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗
+
㻩㻥
㻹㻦㻦
㻳㼘㼏㼖㼈
㻪㼈㼑㼈㼕㼄㼗㼒㼕
㻴㻥
㻷
㻹㻲㻯㻳
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻯㻲
+
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗
㻲㻦㻳
㻹㻩㻥㻲㻱㻒
㻹㻩㻥㻲㻩㻩
㼗㼇㻯㻤㻵
㻔㻓㻓㼘㼖
+
-
㻹㻲㻦㻳㻒
㻹㻲㻦㻰
+
㻲㻯㻳
㻚㻘㼐㼖㻒㻖㻓㻓㼐㼖
㻤㼕㼐㻐㼖㼋㼒㼕㼗㻃㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻷
㻹㻦㻶㻲㻱㻒
㻹㻦㻶㻲㻩㻩
㻘㻹
㻴
㻵
㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻫㻒
㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻯㻦㻶㻦㻯㻳
㻷㻶㻧
-
+
㻦㻶
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗
㻹㻦㻦
㻥㻶㻷
-
㻹㼍㻲㻫
㻵
-
+
㻹㼗㼋㼂㼒㼋㼓
-
㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
+
+
㻘㻹
㻹㻹㻺㻳
㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
-
㻲㻹㻳
㼓㼏㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻹㻦㻦
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰
㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻰
㻬㼆㼋㼊㼂㼆㼖
㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌
-
㻹㻹㻺㻰
+ 㼓㼏㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰
㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻰
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳
㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻳
㻹㻬㻶㻃㼏㼈㼙㼈㼏㻃
㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗
+
㻘㻹
㻘㻹
㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗
㻬㻶
㻹㻷㻫㻯㻤㻷
㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗
㻹㻺
㻖㻓㻓㼘㼖㻃
㼗㼌㼐㼈㼕
㻯㻤㻷㻦㻫
㻵
㻸㻹㻯㻲
㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
+
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳
㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻳
+
+
㻹㻦㻦㻫
-
㻬㼇㼌㼖㼂㼆㼖
㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌
㻹㻥㻫
㻒㻹㻥㻯㻃
38
㻴
㻷
㻦㻶㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻪㻱㻧
㻷㻵㻰
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-Recovery
ブラウンアウト
機能
Brown out
function
内蔵（固定）
Within (Fixed)
自動復帰
AutoRecovery
ブラウンアウト機能
Brown out function
起動回路
Start up
circuit
200kHz
12.0V ON
9.0V OFF
14 - 27V
過負荷保護過電圧保護
Over load Over
protection voltage
protection
FA6A11N
内蔵
（調整可能）
Within
(adjustable)
集積回路/Integrated Circuits
3
■ ハイサイド・ローサイドドライバ IC High and Low side driver ICs (HVIC)
回路方式
Circuit
type
型式
Type name
FA5650N
FA5651N
ハーフ
FA5751N
ブリッジ
Half-bridge
830V
30V
624V
最大動作
周波数
Maximum
input
frequency
Logic"1" 2.1V
125ns
Logic"0" 1.1V
-1.4A/1.8A
-0.2A/0.35A 500kHz
High side
IHO: -0.62A/1.00A
Low side
ILO: -0.56A/0.91A
24V
電気的特性 Electrical characteristics
論理入力入出力遅延電源電圧
入力系統数
Number
電圧
時間
低下保護
Logic"1" / "0" Turn-on
VCC and VBS of Input
terminal
Input voltage and turn-off supply
level (typ.) propagation under-voltage
delay (typ.) threshold (typ.)
125ns
Logic"1" 2.1V
Logic"0" 1.3V 130ns
パッケージ
Package
SOP-8
positive
going
8.9V
negative
going
8.2V
SOP-16
2
SOP-8
IC
FA5752N
絶対最大定格 Absolute maximum ratings
ハイサイド
入力電圧
出力電流
Output
Maximum
対地電圧
supply voltage current
High side
source / sink
supply
voltage
■端子配置 Pin Layout
FA5651N
FA5650N
FA5751/52N
1
HIN
(NC) 16
1 HIN
VB 8
1
VCC
VB 8
2
LIN
VB 15
2 LIN
HO 7
2
HIN
HO 7
3
(NC)
HO 14
3 GND
VS 6
3
LIN
VS 6
4
(NC)
VS 13
4 LO
VCC 5
4
LO
GND 5
5
(NC)
(NC) 12
6
GND
(NC) 11
7
LO
(NC) 10
8
VCC
(NC)
9
■ブロック図（代表型式） Block diagram (main model)
■標準応用回路 Typical application circuit
HV
FA5650N
Level-Shift
VB(8)
UV Delay=1.5us
detect
R
Driver
Signal/Noise
Separator
Input voltage
detect circuit
HIN(1)
HO(7)
DSP
etc.
1 HIN
VB 8
2 LIN
HO 7
3 GND
4 LO
VS 6
VCC 5
VCC
To
LOAD
VS(6)
Pulse
genatator
VREG
(5.0V)
VCC(5)
Input voltage
detect circuit
LIN(2)
Timing
adjustment
UV
detect
Delay=3us
R
Driver
LO(4)
GND(3)
39
集積回路/Integrated Circuits
3
■ DC/DC 電源制御用 IC
DC/DC Power Supply control ICs
DC/DC制御IC DC/DC Power Supply control ICs
型式
Type
Name
制御方式
出力数入力電圧
動作周波数
Control mode
Output Input voltage Frequency
channel
昇圧ﾌﾗｲﾊﾞｯｸ降圧反転
Boost Fly back Buck Inverting
FA7700V
IC
FA7701V
基準電圧動作周囲温度出力電流
Reference Operating
Output
Voltage
Ambient
Current
Temperature
出力段パッケージ
MOSFET Package
Output
MOSFET
1
2.5 - 18V
50k - 1MHz
0.88V
-30 − +85℃
−
−
TSSOP-8
1
2.5 - 18V
50k - 1MHz
0.88V
-30 − +85℃
−
−
TSSOP-8
2
2.5 - 28V
50k - 1MHz
1.0V
-30 − +85℃
−
−
TSSOP-16
SOP-16
2
2.5 - 18V
50k - 1MHz
1.0V
-30 − +85℃
−
−
TSSOP-16
1.0V
FA7703V
FA7704V
FA3687V
2
2.5 - 18V
300k - 1.5MHz
-40 − +85℃
−
−
TSSOP-16
FA7711V
3
4.5 - 28V
200k - 800kHz Adjustable -20 − +85℃
−
−
TSSOP-24
1
9 - 45V
FA7764AN/P
30k - 400kHz
-20 − +85℃
1.0V
内蔵
SOP-8E
Built-In
1.5A
DC/DC制御IC系列（MOSFET外付け） DC/DC Power Supply control ICs (without MOSFET)
DCDCコンバータ
出力段MOSFET
Out put MOSFET
外付け
Without
出力数
Out put channel
1 ch
2 ch
Vcc:
2.5 to 18V
Vcc
内蔵
Within
Vcc:
2.5 to 28V
Vcc:
2.5 to 18V
3 ch
1ch Pch内蔵
Vcc:
4.5 to 28V
Vcc:
9 to 45V
制御方式
Control mode
昇圧/Boost
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
型式
Product type
FA7700V
FA7701V
FA7703V
FA7704V
FA3687V
FA7711V
FA7764AN/P
DC/DC制御IC代表型式ブロック図 Block diagram of DC/DC Power Supply control ICs（main model）
FA7711V
FA7764AN/P
④ 㻃 VREF
⑱ VCC
⑯ 㻃CS3 ⑭㻃CS2 ⑪ CS1
Reference
voltge
Soft
start
UVLO
!$
'()
&
!"##
,'
,&-.
(
'
PVCC
② RT
Oscillator
⑥ IN1+
䟽
⑦ IN1-
䟿
⑰ 㻃PVCC
Er. Amp.1
IN2+
⑳ IN2-
P ch
drive
䟿
PGND
䟽
Er. Amp.2
Comp.2
PVCC
䟿
䟿
N/P ch
drive
䟽
PGND
IN3+
䟽
23
IN3-
䟿
22
FB3
Er. Amp.3
Comp.3
+(,+
,+(&+(
⑬㻃 OUT2
⑤ 㻃SEL2
N/P ch
drive
䟿
PGND
① 㻃CP
*
③ 㻃SEL3
⑨ 㻃GND
+
&
(
⑮㻃 OUT3
䐟㻃㻳㻪㻱㻧
PGND
㻷㼌㼐㼈㼕
㼏㼄㼗㼆㼋
%!
PVCC
䟽
FB voltage
dtection
40
⑫㻃 OUT1
⑲ FB2
24
'
&'
$%*
䟽
⑧ FB1
21
Comp.1
%!
-++
-(
!
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ Super J-MOSTMシリーズの特長 Features of the Super J-MOSTM series
■コンセプト Concept
スーパージャンクション技術により、従来のパワー MOSFET に比べ、素
子耐圧とオン抵抗（Ron・A) のトレードオフを大幅に改善し、ターンオフ
損失とターンオフ dV/dt とのトレードオフ特性を従来のパワー MOSFET
と同等レベルにする事で、低損失と低ノイズ特性を両立し電源の高効率化、
小型化をサポートします。
Superjunction technology has much improved trade-off charactarisity
between On-resistance and Breakdown voltage.
Super J-MOS has the same turn-off loss and turn-off dv/dt capabilities at
conventional MOSFET.
As a result, It contributs to high efficiency and miniaturization of
power supply.
Source
Gate
n+ p+ n+
■用途 Applications
サーバ、PC、太陽光、UPS、液晶テレビ、照明、標準電源などの PFC 回路・
PWM コンバータ
~ * " @ _" _& _ `#Z Standard power supply
TM
is registered trademarks of Fuji Electric.
p
n+ p+ n+
n
p
n
n+
n+
Drain
Drain
MOSFET
㻤㼕㼈㼄㻐㼖㼓㼈㼆㼌㼉㼌㼆㻃㼒㼑㻐㼕㼈㼖㼌㼖㼗㼄㼑㼆㼈㻃㻾䂿㼐㼐㻕㼀
Low RDS (on) 75% lower than our conventional MOSFET
Coping with both low turn-off loss and low noise
Guaranteed avalanche robustness
Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)
Due to low RDS (on), Selectable smaller package
Z#%Z#
Super J-MOS
n
n
低オン抵抗 RonA を従来比（Super FAP-E ）約 75% 低減
低ターンオフ損失と低ノイズを両立
アバランシェ耐量保証
ゲート閾値電圧 3.0±0.5V 保証
低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能
ex）600V/0.28Ω/TO-3P → 600V/0.28Ω/TO-220
は、富士電機の登録商標です。
Gate
n+ p+ n+
p
3
TM
Source
n+ p+ n+
p
■特長 Features
Super J-MOS
Super J-MOSTM
Conventional MOSFET
㻔㻓
㻔㻓
㻜
㻛
㻚
㻙
T
FE
OS
al M
n
tio
en
nv
Co
r)
ga
tna
ha
B
.
t
i
im 1 M
n l D'9
S
ico
Sil f. ISP
(re
㻘
㻗
㻖
㻕
TM
Super J-MOS
㻔㻔
㻗㻘㻓
㻘㻓㻓
㻘㻘㻓
㻙㻓㻓
㻙㻘㻓
㻥㻹㻧㻶㻶㻃㻾㻹㼀
㻚㻓㻓
㻚㻘㻓
41
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3, E3Sシリーズの特長 Features of the SuperFAP-E3, E3S series
■コンセプト Concept
㐧二世㈹擬
を兩立し、
トします。
面接合技により、
“低損失、低ノイズ特性”と“ い易さ”
源セットの設計から制品までのトータル性能向上をサポー
#&&$
low loss/noise and usability.
And this technology lets us achive high performance for power supply's
circuit desine.
■特長 Features
使いやすさ
Easy to Design
Easy to use
低損失・低ノイズ
Lower Emission
(power loss, EMI noise)
Ecology
エコロジー
rF
AP
-E
3
Coping with both low loss and low noise
Low RDS(on)
High controlability of gate recistance during switching
Low VGS ringing waveform during switching
Narrow band of the gate threshold voltage(3.0±0.5V)
High avalanche durability
pe
E3コンセプト概念図
Concept
Su
MOSFET
低損失特性と低ノイズ特性の両立
低オン抵抗特性
スイッチング時 dv/dt のゲート抵抗制御性が良い
スイッチング時の VGS のリンギングが小さい
ゲートしきい値電圧幅 ±0.5V
高アバランシェ耐量
■ SuperFAP-Gシリーズの特長 Features of the SuperFAP-G series
擬平面接合技術により、低 Qgd によるスイッチング損失と低オン抵抗特性を実現しました。
#&&$"&`_&&&
■特長 Features
ターンオフ損失の低減従来比で約 75％低減
低ゲートチャージ従来比で約 60％低減
高アバランシェ耐量
低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能
ex）500V/0.4Ω/TO-3P → 500V/0.38Ω/TO-220
42
Low turn off loss 75% lower than our conventional type
Low Gate charge 60% lower than our conventional type
High avalanche durability
Due to low RDS(on), Selectable smaller package
Z #%Z%#
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■系列マップ Series map
10.0
1.0
0.1
MOSFET
Rds (on) max ()
SuperFAPG シリーズ
SuperFAPE3 シリーズ
Super J-MOS シリーズ
0.0
100V
200V
300V
400V
500V
600V
700V
800V
900V
VDSS (V)
■型式の見方 art numbers
FMV20N60S1 (example)
F
M
機種コード
社名
Company Symbol
Device code
Fuji
M
MOSFET
20
パッケージコード
Package code
A
TO-220F
B
D2-pack
C
T-pack (S)
H
TO-3P
I
T-pack (L)
P
TO-220
R
TO-3PF
V TO-220F (SLS)
W
TO-247
定格電流
Current
×1
TM
は、富士電機の登録商標です。
TM
is registered trademarks of Fuji Electric.
Super J-MOS
Super J-MOS
V
N
極性
Polarity
N
N-ch
60
S1
定格電圧
Voltage
×1/10
製品シリーズ
Series
S1
Super J-MOS
S1FD Super J-MOS (FRED)
S1A Super J-MOS for Automotive
S1FDA Super J-MOS (FRED) for Automotive
E
SuperFAP-E3
ES
SuperFAP-E3S
G
SuperFAP-G
GF
SuperFAP-G (FRED)
T2
Trench
R
3G-Trench
43
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
TM
■ Super J-MOS
TM
シリーズ Super J-MOS
series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
Super J-MOSTM series
Vds (V)
600

0.58
0.47
0.38
0.28
0.19
0.16
0.125
0.99
0.07
0.04
Id (A)
6.5
8
10
13
20
22
30
35
47
68
TO-220
TO-220F (SLS)
#%
# #
`#{
MOSFET
■ 600Vクラス 600V class
型式
Device type
●
●
○
●
●
○
●
●
○
●
●
○
●
●
●
●
○
○
○
○
○
○
●
●
●
●
○
○
○
○
●
●
●
FMP07N60S1
FMV07N60S1
FMB07N60S1
FMP08N60S1
FMV08N60S1
FMB08N60S1
FMP10N60S1
FMV10N60S1
FMB10N60S1
FMP13N60S1
FMV13N60S1
FMB13N60S1
FMP20N60S1
FMV20N60S1
FMH20N60S1
FMW20N60S1
FMB20N60S1
FMP22N60S1
FMV22N60S1
FMH22N60S1
FMW22N60S1
FMB22N60S1
FMP30N60S1
FMV30N60S1
FMH30N60S1
FMW30N60S1
FMB30N60S1
FMV35N60S1
FMH35N60S1
FMW35N60S1
FMH47N60S1
FMW47N60S1
FMW79N60S1
VDSS
ID
Volts
Amps.
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
ID (pulse)
6.5
6.5
6.5
8
8
8
10
10
10
13
13
13
20
20
20
20
20
22
22
22
22
22
30
30
30
30
30
35
35
35
47
47
68
Amps.
19.5
19.5
19.5
24
24
24
30
30
30
39
39
39
60
60
60
60
60
66
66
66
66
66
90
90
90
90
90
105
105
105
141
141
204
●：新製品 New roducts ○：開発中 nder development
RDS (on)
Max.
Ohms (Ω)
0.58
0.58
0.58
0.47
0.47
0.47
0.38
0.38
0.38
0.28
0.28
0.28
0.19
0.19
0.19
0.19
0.19
0.160
0.160
0.160
0.160
0.160
0.125
0.125
0.125
0.125
0.125
0.099
0.099
0.099
0.07
0.07
0.04
D
VGS
VGS (th)
Volts
Volts
60
21
(60)
70
25
(70)
90
32
(90)
120
43
(120)
150
60
130
130
(150)
(195)
(73)
(170)
(170)
(195)
250
90
220
220
(250)
(110)
(270)
(270)
390
390
545
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
4±1.0
Qg
typ.
nC
21
21
21
25
25
25
28
28
28
35
35
35
48
48
48
48
48
(57)
(57)
(57)
(57)
(57)
73
73
73
73
73
(87)
(87)
(87)
125
125
203
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#%
# #
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#%
# #
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#%
# #
`#{
TO-220F(SLS)
#%
# #
#%
# #
# #
質量 Net mass
Grams
2.0
2.0
(1.6)
2.0
2.0
(1.6)
2.0
2.0
(1.6)
2.0
2.0
(1.6)
2.0
2.0
5.0
6.0
(1.6)
2.0
2.0
5.0
6.0
(1.6)
2.0
2.0
5.0
6.0
(1.6)
2.0
5.0
6.0
5.0
6.0
6.0
TM
Super J-MOS は、富士電機の登録商標です。
TM
Super J-MOS is registered trademarks of Fuji Electric.
TM
Super J-MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
TM
The Super J-MOS |&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
44
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
TM
■ Super J-MOS シリーズ高速ダイオード内蔵シリーズ
TM
Super J-MOS Built-in FRED series 600V class
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
Super J-MOSTM Built-in
FRED series 600V class
Vds (V)
600

0.2
0.17
0.132
0.105
0.074
0.042
Id (A)
20
22
30
35
47
68
TO-220
TO-220F (SLS)
#%
# #
`#{
型式
Device type
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
FMP20N60S1FD
FMV20N60S1FD
FMH20N60S1FD
FMW20N60S1FD
FMB20N60S1FD
FMP22N60S1FD
FMV22N60S1FD
FMH22N60S1FD
FMW22N60S1FD
FMB22N60S1FD
FMP30N60S1FD
FMV30N60S1FD
FMH30N60S1FD
FMW30N60S1FD
FMB30N60S1FD
FMV35N60S1FD
FMH35N60S1FD
FMW35N60S1FD
FMH47N60S1FD
FMW47N60S1FD
FMW79N60S1FD
VDSS
ID
Volts
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
Amps.
20
20
20
20
20
22
22
22
22
22
30
30
30
30
30
35
35
35
47
47
68
○：開発中 nder development
ID (pulse) RDS (on)
D
Max.
Amps.
Ohms (Ω) 60
0.20
150
60
0.20
60
60
0.20
130
60
0.20
130
60
0.20
(150)
66
(0.170)
(195)
66
(0.170)
(73)
66
(0.170)
(170)
66
(0.170)
(170)
66
(0.170)
(195)
90
0.132
250
90
0.132
90
90
0.132
220
90
0.132
220
90
0.132
(250)
105
(0.105)
(110)
105
(0.105)
(270)
105
(0.105)
(270)
141
0.074
390
141
0.074
390
204
0.042
545
VGS
VGS (th)
Volts
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
Volts
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
4.0±1.0
Qg
typ.
nC
52
52
52
52
52
(60)
(60)
(60)
(60)
(60)
73
73
73
73
73
(91)
(91)
(91)
127
127
209
Trr
typ.
パッケージ
{
ns
150
150
150
150
150
(165)
(165)
(165)
(165)
(165)
180
180
180
180
180
(185)
(185)
(185)
210
210
230
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#%
# #
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#%
# #
`#{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#%
# #
`#{
TO-220F(SLS)
#%
# #
#%
# #
# #
質量 Net mass
Grams
2.0
2.0
5.0
6.0
(1.6)
2.0
2.0
5.0
6.0
(1.6)
2.0
2.0
5.0
6.0
(1.6)
2.0
5.0
6.0
5.0
6.0
6.0
TM
Super J-MOS は、富士電機の登録商標です。
TM
Super J-MOS is registered trademarks of Fuji Electric.
TM
Super J-MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
TM
The Super J-MOS |&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
45
MOSFET
■ 600Vクラス 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise
_~!#¡3 series
Vds
(V)
500
MOSFET
600
650
700
800
900
46
Ron

1.5
0.85
0.79
0.52
0.38
0.31
0.245
0.19
2.3
1.3
1.2
0.79
0.75
0.58
0.47
0.365
0.28
1.47
0.97
1.5
1.2
0.85
0.59
2
1.6
1.1
0.78
2.5
2
1.4
1
Id
(A)
5
6.5
7.5
12
16
20
23
28
3
6
6
10
11
13
16
19
23
7
9
7
9
11
15
6
8
10
13
6
7
9
11
TO-220
TO-220 (SLS)
#%
#%~
#{
#{_
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
型式
Device type
FMP05N50E
FMV05N50E
FMI05N50E
FMC05N50E
FMP07N50E
FMV07N50E
FMI07N50E
FMC07N50E
FMP08N50E
FMV08N50E
FMP12N50E
FMV12N50E
FMI12N50E
FMC12N50E
FMP16N50E
FMV16N50E
FMI16N50E
FMC16N50E
FMH16N50E
FMP20N50E
FMV20N50E
FMI20N50E
FMC20N50E
FMH20N50E
FMV23N50E
FMH23N50E
FMR23N50E
FMH28N50E
FMR28N50E
＊1
RDS (on): VGS=10V,
＊2
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
Amps.
5
5
5
5
6.5
6.5
6.5
6.5
7.5
7.5
12
12
12
12
16
16
16
16
16
20
20
20
20
20
23
23
23
28
28
Amps.
20
20
20
20
26
26
26
26
30
30
48
48
48
48
64
64
64
64
64
80
80
80
80
80
92
92
92
112
112
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
1.5
1.5
1.5
1.5
0.85
0.85
0.85
0.85
0.79
0.79
0.52
0.52
0.52
0.52
0.38
0.38
0.38
0.38
0.38
0.31
0.31
0.31
0.31
0.31
0.245
0.245
0.245
0.19
0.19
D
＊2
60
21
60
60
90
32
90
90
105
37
165
60
165
165
225
80
225
225
195
270
95
270
270
235
130
315
150
400
200
VGS
VGS (th)
Volts
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
Volts
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
Qg
Typ.
nC
21
21
21
21
32
32
32
32
35
35
60
60
60
60
60
60
60
60
60
77
77
77
77
77
93
93
93
130
130
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
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TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
TO-220F(SLS)
#%
#%~
#%
#%~
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Grams
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
5.1
2.0
1.7
1.6
1.6
5.1
1.7
5.1
6.0
5.1
6.0
D: TC=25°C
記号 Letter symbols
VDSS: ドレイン・ソース電圧
ドレイン電流
ID :
ID(pulse): パルスドレイン電流
RDS(on): ドレイン・ソースオン抵抗
Drain-source voltage
Continuous drain current
&
Drain-source on-state resistance
Maximum power dissipation
許容損失電力
D :
VGS: ゲート・ソース電圧 Gate-source voltage
VGS(th): ゲートしきい値電圧 Gate threshold voltage
Qg:
トータルゲートチャージ量 Total gate charge
SuperFAP-E3 シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
_~!#¡3|&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
47
MOSFET
■ 500V クラス 500V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
■ 600 − 800V クラス 600 - 800V class
MOSFET
型式
Device type
FMP03N60E
FMV03N60E
FMI03N60E
FMC03N60E
FMP05N60E
FMV05N60E
FMI05N60E
FMC05N60E
FMP06N60E
FMV06N60E
FMP10N60E
FMV10N60E
FMI10N60E
FMC10N60E
FMP11N60E
FMV11N60E
FMI11N60E
FMC11N60E
FMP13N60E
FMV13N60E
FMI13N60E
FMC13N60E
FMP16N60E
FMV16N60E
FMI16N60E
FMC16N60E
FMV19N60E
FMH19N60E
FMR19N60E
FMH23N60E
FMR23N60E
FMV07N65E
FMV09N65E
FMV07N70E
FMH07N70E
FMV09N70E
FMH09N70E
FMV11N70E
FMH11N70E
FMV15N70E
FMV06N80E
FMH06N80E
FMI06N80E
FMC06N80E
FMV08N80E
FMH08N80E
FMI08N80E
FMC08N80E
FMV10N80E
FMH10N80E
FMV13N80E
FMH13N80E
＊1
48
RDS (on): VGS=10V,
＊2
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
650
650
700
700
700
700
700
700
700
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
Amps.
3
3
3
3
5.5
5.5
5.5
5.5
6
6
10
10
10
10
11
11
11
11
13
13
13
13
16
16
16
16
19
19
19
23
23
7
9
7
7
9
9
11
11
15
6
6
6
6
8
8
8
8
10
10
13
13
Amps.
12
12
12
12
22
22
22
22
24
24
40
40
40
40
44
44
44
44
52
52
52
52
64
64
64
64
76
76
76
92
92
28
36
28
28
36
36
44
44
60
24
24
24
24
32
32
32
32
40
40
52
52
D: TC=25°C
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
2.3
2.3
2.3
2.3
1.3
1.3
1.3
1.3
1.2
1.2
0.79
0.79
0.79
0.79
0.75
0.75
0.75
0.75
0.58
0.58
0.58
0.58
0.47
0.47
0.47
0.47
0.365
0.365
0.365
0.28
0.28
1.47
0.97
1.5
1.5
1.2
1.2
0.85
0.85
0.59
2.0
2.0
2.0
2.0
1.6
1.6
1.6
1.6
1.1
1.1
0.78
0.78
D
＊2
60
21
60
60
90
32
90
90
105
37
165
60
165
165
180
65
180
180
225
80
225
225
270
95
270
270
130
315
150
400
200
37
60
48
115
60
145
85
205
120
48
115
135
135
60
145
165
165
85
205
120
285
VGS
VGS (th)
Volts
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
Volts
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
3±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
Qg
Typ.
nC
21.5
21.5
21.5
21.5
33
33
33
33
35
35
47
47
47
47
48.5
48.5
48.5
48.5
60
60
60
60
76
76
76
76
105
105
105
130
130
35
47
32
32
38
38
50
50
66
32
32
32
32
38
38
38
38
50
50
66
66
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220F(SLS)
#%
#%~
#%
#%~
TO-220F(SLS)
TO-220F(SLS)
TO-220F(SLS)
#%
TO-220F(SLS)
#%
TO-220F(SLS)
#%
TO-220F(SLS)
TO-220F(SLS)
#%
#{
#{_
TO-220F(SLS)
#%
#{
#{_
TO-220F(SLS)
#%
TO-220F(SLS)
#%
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
1.7
5.1
6.0
5.1
6.0
1.7
1.7
1.7
5.1
1.7
5.1
1.7
5.1
1.7
1.7
5.1
1.6
1.6
1.7
5.1
1.6
1.6
1.7
5.1
1.7
5.1
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-E3 シリーズ SuperFAP-E3 series
■ 900V クラス 900V class
FMH06N90E
FMV06N90E
FMI06N90E
FMC06N90E
FMH07N90E
FMV07N90E
FMI07N90E
FMC07N90E
FMH09N90E
FMV09N90E
FMR09N90E
FMH11N90E
FMV11N90E
FMR11N90E
＊1
RDS (on): VGS=10V,
＊2
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
Amps.
6
6
6
6
7
7
7
7
9
9
9
11
11
11
Amps.
24
24
24
24
28
28
28
28
36
36
36
44
44
44
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
2.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
2.0
2.0
1.4
1.4
1.4
1.0
1.0
1.0
D
＊2
115
48
135
135
145
60
165
165
205
85
100
285
120
135
VGS
VGS (th)
Volts
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
Volts
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
4±0.5
Qg
Typ.
nC
33
33
33
33
39
39
39
39
50
50
50
60
60
60
パッケージ
{
#%
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
TO-220F(SLS)
#%~
#%
TO-220F(SLS)
#%~
質量 Net mass
Grams
5.1
1.7
1.6
1.6
5.1
1.7
1.6
1.6
5.1
1.7
6.0
5.1
1.7
6.0
D: TC=25°C
MOSFET
型式
Device type
49
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
_~!#¡ 3S
Low Qg series
MOSFET
Vds Ron
(V)
500 0.5
0.38
0.31
0.27
0.245
0.19
600 1.2
0.75
0.58
0.47
0.4
0.365
0.28
Id
(A)
12
16
20
21
23
28
6
12
13
16
17
19
23
TO-220
TO-220 (SLS)
#%
#%~
#{
#{_
~
■ 500V クラス 500V class
型式
Device type
FMP12N50ES
FMV12N50ES
FMI12N50ES
FMC12N50ES
FML12N50ES
FMP16N50ES
FMV16N50ES
FMI16N50ES
FMC16N50ES
FMH16N50ES
FML16N50ES
FMP20N50ES
FMV20N50ES
FMI20N50ES
FMC20N50ES
FMH20N50ES
FML20N50ES
FMV21N50ES
FMR21N50ES
FMH21N50ES
FMV23N50ES
FMR23N50ES
FMH23N50ES
FMR28N50ES
FMH28N50ES
＊1
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
Amps.
12
12
12
12
12
16
16
16
16
16
16
20
20
20
20
20
20
21
21
21
23
23
23
28
28
Amps.
48
48
48
48
48
64
64
64
64
64
64
80
80
80
80
80
80
84
84
84
92
92
92
112
112
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.38
0.38
0.38
0.38
0.38
0.38
0.31
0.31
0.31
0.31
0.31
0.31
0.27
0.27
0.27
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0.245
0.245
0.19
0.19
D
＊2
180
65
180
180
180
225
80
225
225
195
225
270
95
270
270
235
270
120
135
285
130
150
315
200
400
VGS
Volts
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
VGS (th)
Volts
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
Qg
Typ.
nC
41
41
41
41
41
52
52
52
52
52
52
57
57
57
57
57
57
67
67
67
74
74
74
92
92
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
~
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
~
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
~
TO-220F(SLS)
#%~
#%
TO-220F(SLS)
#%~
#%
#%~
#%
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
1.6
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
5.1
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
5.1
1.6
1.7
6.0
5.1
1.7
6.0
5.1
6.0
5.1
RDS (on): VGS=10V, ＊2 D: TC=25°C
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
_~!#¡3S|&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
50
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series
型式
Device type
FMP06N60ES
FMV06N60ES
FMI06N60ES
FMC06N60ES
FMP12N60ES
FMV12N60ES
FMI12N60ES
FMC12N60ES
FML12N60ES
FMP13N60ES
FMI13N60ES
FMC13N60ES
FMH13N60ES
FML13N60ES
FMP16N60ES
FMV16N60ES
FMI16N60ES
FMC16N60ES
FMH16N60ES
FML16N60ES
FMV17N60ES
FMR17N60ES
FMH17N60ES
FMV19N60ES
FMR19N60ES
FMH19N60ES
FMR23N60ES
FMH23N60ES
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
Amps.
6
6
6
6
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
16
16
16
16
16
16
17
17
17
19
19
19
23
23
Amps.
24
24
24
24
48
48
48
48
48
48
48
48
48
48
64
64
64
64
64
64
68
68
68
76
76
76
92
92
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
1.2
1.2
1.2
1.2
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.58
0.58
0.58
0.58
1.58
0.47
0.47
0.47
0.47
0.47
0.47
0.4
0.4
0.4
0.365
0.365
0.365
0.28
0.28
D
＊2
105
37
105
105
180
65
180
180
180
225
225
225
195
225
270
95
270
270
235
270
120
135
285
130
150
315
200
400
VGS
Volts
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
VGS (th)
Volts
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
3.7±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
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4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
Qg
Typ.
nC
31
31
31
31
37
37
37
37
37
48
48
48
48
48
56
56
56
56
56
56
68
68
68
74
74
74
92
92
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
~
TO-220AB
#{
#{_
#%
~
TO-220AB
TO-220F(SLS)
#{
#{_
#%
~
TO-220F(SLS)
#%~
#%
TO-220F(SLS)
#%~
#%
#%~
#%
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
1.6
2.0
1.6
1.6
5.1
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
5.1
1.6
1.7
6.0
5.1
1.7
6.0
5.1
6.0
5.1
＊1
RDS (on): VGS=10V, ＊2 D: TC=25°C
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
_~!#¡3S|&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
51
MOSFET
■ 600V クラス 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge
_~!#\
series
Vds
(V)
100
120
150
200
MOSFET
250
280
300
450
500
600
700
900
52
Ron

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0.03
0.105
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0.1
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1.2
1
0.75
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8
6.4
4.3
2.5
Id
(A)
29
67
23
23
33
57
100
18
45
14
24
37
59
56
15
32
3
4
10
17
4
9
11
14
16
19
25
51
3
8
9
12
13
16
21
17
2.2
2.6
3.7
6.0
TO-220
TO-220F
TO-220 (SLS)
#%~
TO-247
#{
#{_
~
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
型式
Device type
2SK3598-01
2SK3599-01MR
2SK3600-01L, S
2SK3920-01
2SK3886-01MR
2SK3921-01L, S
2SK3922-01
2SK3602-01
2SK3603-01MR
2SK3604-01L, S
2SK3648-01
2SK3649-01MR
2SK3650-01L, S
2SK3474-01
2SK3537-01MR
2SK3590-01
2SK3591-01MR
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2SK3606-01
2SK3607-01MR
2SK3608-01L, S
2SK3609-01
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2SK3596-01L, S
2SK3597-01
2SK3610-01
2SK3611-01MR
2SK3612-01L, S
FMV24N25G
2SK3554-01
2SK3555-01MR
2SK3556-01L, S
2SK3535-01
2SK3651-01R
2SK3778-01
2SK3779-01R
＊1
RDS (on): VGS=10V,
＊2
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
100
100
100
120
120
120
120
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
Amps.
29
29
29
67
67
67
67
23
23
23
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33
33
33
33
57
57
57
57
100
18
18
18
18
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45
45
45
14
14
14
24
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37
37
37
37
59
59
Amps.
116
116
116
268
268
268
268
92
92
92
132
132
132
132
132
228
228
228
228
400
72
72
72
72
180
180
180
180
56
56
56
96
148
148
148
148
148
236
236
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.062
0.062
0.062
0.03
0.03
0.03
0.03
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0.105
0.105
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0.07
0.07
0.07
0.07
0.041
0.041
0.041
0.041
0.016
0.17
0.17
0.17
0.17
0.066
0.066
0.066
0.066
0.26
0.26
0.26
0.13
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.053
0.053
D
＊2
105
37
105
270
95
270
270
105
37
105
150
53
150
150
53
270
95
270
270
600
105
37
105
105
270
95
270
270
105
37
105
65
270
95
270
270
115
410
210
VGS
Volts
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±20
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
VGS (th)
Qg
Typ.
Volts
nC
3 to 5
22
3 to 5
22
3 to 5
22
3 to 5
52
3 to 5
52
3 to 5
52
3 to 5
52
3 to 5
21
3 to 5
21
3 to 5
21
3 to 5
34
3 to 5
34
3 to 5
34
3 to 5
34
1 to 2.5 46
3 to 5
52
3 to 5
52
3 to 5
52
3 to 5
52
3 to 5
140
3 to 5
21
3 to 5
21
3 to 5
21
3 to 5
21
3 to 5
51
3 to 5
51
3 to 5
51
3 to 5
51
21
3 to 5
21
3 to 5
21
3 to 5
3 to 5
36
44
3 to 5
44
3 to 5
44
3 to 5
44
3 to 5
44
3 to 5
80
3 to 5
80
3 to 5
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-220F
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-247
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220F(SLS)
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
#%~
TO-247
#%~
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
0.8
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
0.8
1.7
2.0
1.7
1.6
0.8
4.9
2.0
1.7
1.6
0.8
2.0
1.7
1.6
0.8
2.0
1.7
1.6
1.7
2.0
1.7
1.6
0.8
6.0
4.9
6.0
D: TC=25°C
SuperFAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
_~!#\|&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
53
MOSFET
■ 100 − 250V クラス 100 - 250V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
■ 300 − 500V クラス 300 - 500V class
MOSFET
型式
Device type
VDSS
ID
ID (pulse)
2SK3580-01MR
2SK3772-01
2SK3773-01MR
2SK3774-01L, S
2SK3775-01
2SK3725-01
2SK3726-01MR
2SK3916-01
2SK3917-01MR
2SK3514-01
2SK3515-01MR
2SK3516-01L, S
2SK3692-01
2SK3693-01MR
2SK3694-01L, S
2SK4040-01
Volts
300
300
300
300
300
450
450
450
450
450
450
450
450
450
450
450
Amps.
15
32
32
32
32
3
3
4.3
4.3
10
10
10
17
17
17
17
Amps.
60
128
128
128
128
12
12
17.2
17.2
40
40
40
68
68
68
68
2SK3985-01
2SK3986-01MR
2SK3987-01L, S
2SK3519-01
2SK3520-01MR
2SK4004-01MR
2SK3521-01L, S
2SK3931-01
2SK3932-01MR
2SK3933-01L, S
2SK3468-01
2SK3469-01MR
2SK3512-01L, S
2SK3504-01
2SK3505-01MR
2SK3581-01L, S
2SK3682-01
2SK3683-01MR
2SK3684-01L, S
2SK3685-01
FML19N50G
2SK3522-01
2SK3523-01R
2SK3680-01
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
3.6
3.6
3.6
9
9
9
9
11
11
11
14
14
14
16
16
16
19
19
19
19
19
25
25
51
14.4
14.4
14.4
36
36
36
36
44
44
44
56
56
56
64
64
64
76
76
76
76
76
100
100
208
＊1
54
RDS (on): VGS=10V,
＊2
D: TC=25°C
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.28
0.13
0.13
0.13
0.13
2.5
2.5
1.6
1.6
0.65
0.65
0.65
0.38
0.38
0.38
0.38
2.3
2.3
2.3
0.85
0.85
0.85
0.85
0.70
0.70
0.70
0.52
0.52
0.52
0.46
0.46
0.46
0.38
0.38
0.38
0.38
0.38
0.26
0.26
0.11
＊2
VGS
VGS (th)
48
270
95
270
270
50
17
21
21
135
48
135
225
80
225
225
Volts
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
Volts
3.5 to 4.5
3 to 5
60
21
60
135
48
48
135
165
60
165
195
70
195
225
80
225
270
95
270
235
270
335
160
600
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
3 to 5
3 to 5
3 to 5
D
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
Qg
Typ.
nC
23
44.5
44.5
44.5
44.5
10.5
10.5
13
13
22
22
22
33
33
33
33
13
13
13
20
3 to 5
20
3 to 5
2.5 to 3.5 24
20
3 to 5
25
3 to 5
25
3 to 5
25
3 to 5
30
3 to 5
30
3 to 5
30
3 to 5
33
3 to 5
33
3 to 5
33
3 to 5
32
3 to 5
32
3 to 5
32
3 to 5
32
3 to 5
3 to 5
32
54
3 to 5
54
3 to 5
118
3 to 5
パッケージ
{
TO-220F
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-220AB
TO-220F
TO-220AB
TO-220F
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
~
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-247
~
TO-247
#%~
TO-247
質量 Net mass
Grams
1.7
2.0
1.7
1.6
0.8
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
0.8
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
4.9
0.8
4.9
6.0
4.9
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
型式
Device type
2SK3988-01
2SK3989-01MR
2SK3990-01L, S
2SK3524-01
2SK3525-01MR
2SK3526-01L, S
2SK3887-01
2SK3888-01MR
2SK3889-01L, S
2SK3501-01
2SK3502-01MR
2SK3513-01L, S
2SK3450-01
2SK3451-01MR
2SK3753-01R
2SK3686-01
2SK3687-01MR
2SK3688-01L, S
2SK3689-01
2SK3527-01
2SK3528-01R
2SK3681-01
2SK3891-01R
2SK3727-01
2SK3728-01MR
2SK3981-01
2SK3982-01MR
2SK3983-01L, S
2SK3698-01
2SK3699-01MR
2SK3676-01L, S
＊1
RDS (on): VGS=10V,
＊2
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
900
900
900
900
900
900
900
900
Amps.
3
3
3
8
8
8
9
9
9
12
12
12
13
13
13
16
16
16
16
21
21
43
17
2.2
2.2
2.6
2.6
2.6
3.7
3.7
6
Amps.
12
12
12
32
32
32
36
36
36
48
48
48
52
52
52
64
64
64
64
84
84
172
68
8.8
8.8
10.4
10.4
10.4
14.8
14.8
24
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
3.3
3.3
3.3
1.2
1.2
1.2
1.0
1.0
1.0
0.75
0.75
0.75
0.65
0.65
0.65
0.57
0.57
0.57
0.57
0.37
0.37
0.16
0.6
8.0
8.0
6.4
6.4
6.4
4.3
4.3
2.5
D
＊2
60
21
60
135
48
135
165
60
165
195
70
195
225
80
95
270
97
270
235
335
160
600
170
75
26
90
32
90
120
43
195
VGS
VGS (th)
Volts
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
±30
Volts
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3.5 to 4.5
3.5 to 4.5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3.5 to 4.5
3.5 to 4.5
3 to 5
Qg
Typ.
nC
13
13
13
20
20
20
25
25
25
30
30
30
34
34
34
33
33
33
33
54
54
118
46
8.3
8
13
13
13
13
13
21.5
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
#%~
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-247
TO-247
#%~
TO-247
#%~
TO-220AB
TO-220F
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-220AB
TO-220F
T-pack
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
6.0
2.0
1.7
1.6
4.9
4.9
6.0
4.9
6.0
2.0
1.7
2.0
1.7
1.6
2.0
1.7
1.6
D: TC=25°C
55
MOSFET
■ 600 − 900V クラス 600 - 900V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ高速ダイオード内蔵シリーズ
SuperFAP-G Built-in FRED series
_~!#\^&#~¡`
Vds (V)
500
600

0.55
0.8
0.17
TO-220
TO-220F
Id (A)
13
11
42
TO-247
#{
#{_
■ 500 − 600V クラス 500 - 600V class
MOSFET
型式
Device type
2SK3695-01
2SK3696-01MR
2SK3928-01
2SK3929-01MR
2SK3930-01L, S
2SK3697-01
＊1
56
RDS (on): VGS=10V,
＊2
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
500
500
600
600
600
600
Amps.
13
13
11
11
11
42
Amps.
52
52
44
44
44
168
D: TC=25°C
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.55
0.55
0.8
0.8
0.8
0.17
D
＊2
195
70
195
70
195
600
VGS
VGS (th)
Volts
±30
±30
±30
±30
±30
±30
Volts
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
3 to 5
Qg
Typ.
nC
28
28
30
30
30
105
パッケージ
{
TO-220AB
TO-220F
TO-220AB
TO-220F
T-pack
TO-247
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
2.0
1.7
1.6
4.9
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ 中耐圧トレンチシリーズ Trench Power MOSFET
低オン抵抗、高ゲート耐圧 Low-on resistance and high gate capability
*_~¡
Vds
(V)
60
75
100
150
200
Ron

0.0065
0.0065
0.0079
0.0085
0.0067
0.0067
0.0128
0.0245
0.0470
TO-220
Id
(A)
70
80
100
70
70
80
100
80
65
49
TO-220F
#%
TO-247
#{_
D2-pack
#{
型式
Device type
●
●
2SK4068-01
2SK3273-01MR
2SK3270-01
2SK3272-01L, S
2SK3272-01SJ
2SK4047-01S
2SK3271-01
2SK3730-01MR
2SK3804-01S
FMC80N10R6
FMY100N10R6
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
40
60
60
60
60
60
60
75
75
100
100
Amps.
70
70
80
80
80
80
100
70
70
80
100
Amps.
280
280
320
320
320
320
400
280
280
320
400
●：新製品 New roducts ＊1
RDS (on): VGS=10V,
＊2
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.006
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0079
0.0085
0.0067
0.0067
D
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.0128
0.0128
0.0128
0.0128
0.0245
0.0245
0.0245
0.0245
0.047
0.047
0.047
0.047
D
＊2
115
70
135
135
135
195
155
70
162
180
280
VGS
Volts
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
±20
±20
+30/-20
+30/-20
VGS (th)
typ.
Volts
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
パッケージ
{
質量 Net mass
Grams
TO-247
4.9
TO-220F
1.7
TO-220AB
2.0
T-pack (L, S) 1.6
D2-pack
1.6
T-pack (S)
1.6
#%
5.5
TO-220F
1.7
T-pack
1.6
#{_
1.6
TO-247
6.3
VGS (th)
typ.
Volts
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
2 to 4
パッケージ
{
D: TC=25°C
■ 100 − 200V クラス 100 - 200V class
型式
Device type
FMP80N10T2
FMA80N10T2
FMI80N10T2
FMC80N10T2
FMP65N15T2
FMA65N15T2
FMI65N15T2
FMC65N15T2
FMP49N20T2
FMA49N20T2
FMI49N20T2
FMC49N20T2
＊1
RDS (on): VGS=10V,
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
100
100
100
100
150
150
150
150
200
200
200
200
Amps.
80
80
80
80
65
65
65
65
49
49
49
49
Amps.
320
320
320
320
260
260
260
260
196
196
196
196
＊2
＊2
270
95
270
270
270
95
270
270
270
95
270
270
VGS
Volts
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
TO-220AB
TO-220F
T-pack(L)
T-pack(S)
TO-220AB
TO-220F
T-pack(L)
T-pack(S)
TO-220AB
TO-220F
T-pack(L)
T-pack(S)
質量 Net mass
Grams
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
2.0
1.7
1.6
1.6
D: TC=25°C
中耐圧トレンチシリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問
い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
*_~¡|&$&"&@&Y
'@$@|Y|&&$|Y@Y&Y&|Y&~¡&
`@|Y|&&$|Y
57
MOSFET
■ 60 − 100V クラス 60 - 100V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用Super J-MOSTM シリーズ Automotive Super J-MOSTM series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
Automotive Super
J-MOSTM
Vds
(V)
600
Ron

0.145
0.082
0.07
0.071
0.062
0.046
0.04
TO-247
#{_
Id
(A)
29
46
47
52
53
67
68
■ 600V クラス 600V class
MOSFET
型式
Device type
FMY47N60S1A
FMY53N60S1A
FMY68N60S1A
●
●
●
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
600
600
600
Amps.
47
53
68
Amps.
141
159
204
RDS (on)
Max.
Ohms (Ω)
0.07
0.062
0.04
D
VGS
390
480
545
Volts
30
30
30
VGS (th)
typ.
Volts
3.0±0.5
3.0±0.5
3.0±0.5
TM
●：新製品 New roducts
Super J-MOS
自動車用Super J-MOSシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
Super J-MOS
TM
パッケージ
{
Qg
Typ.
nC
125
164
203
TO-247
TO-247
TO-247
質量 Net mass
Grams
6.4
6.4
6.4
は、富士電機の登録商標です。
is registered trademarks of Fuji Electric.
TM
Automotive Super J-MOS @|&$&"&@&Y&@Y!¡#
`@|Y|&&$|Y
■ 自動車用Super J-MOSTM 高速ダイオード内蔵シリーズ Automotive Super J-MOSTM Built-in FRED series
■ 600V クラス 600V class
型式
Device type
○
○
○
○
○
FMC29N60S1FDA
FMY29N60S1FDA
FMY46N60S1FDA
FMY52N60S1FDA
FMY67N60S1FDA
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
600
600
600
600
600
Amps.
29
29
46
52
67
Amps.
87
87
138
156
201
○：開発中 nder development ＊1 RDS (on): VGS=10V,
＊2
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.145
0.145
0.082
0.071
0.046
D ＊2
VGS
220
220
390
480
545
Volts
30
30
30
30
30
VGS (th)
typ.
Volts
4.0±1
4.0±1
4.0±1
4.0±1
4.0±1
Qg
Typ.
nC
73
73
125
164
203
trr
Typ.
nsec
170
170
210
280
280
パッケージ質量 {
Net mass
Grams
#{
1.6
TO-247
6.4
TO-247
6.4
TO-247
6.4
TO-247
6.4
D: TC=25°C
TM
自動車用Automotive Super J-MOS Built-in FRED シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
TM
The Automotive Automotive Super J-MOS ^&#~¡`@|&$&"&@&Y&@Y!¡#
`@|Y|&&$|Y
58
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
Vds
(V)
40
60
75
100
150
200
300
600
Ron

0.006
0.0065
0.0065
0.0079
0.0085
0.0067
0.0128
0.0067
0.0245
0.047
0.085
0.072
0.053
0.045
0.29
0.28
0.21
0.20
0.17
0.16
TO-220
Id
(A)
70
70
80
TO-220F
TO-247
#{
#{_
D2-pack
100
70
70
80
80
100
65
49
47
50
67
72
22
24
30
31
35
36
#%
MOSFET
*_~¡
■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class
型式
Device type
●
●
●
●
●
FMY50N30ES
FMY72N30ES
FMY24N60ES
FMY31N60ES
FMY36N60ES
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
300
300
600
600
600
Amps.
50
72
24
31
36
Amps.
200
288
96
124
144
●：新製品 New roducts ＊1 RDS (on): VGS=10V,
＊2
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.072
0.045
0.280
0.200
0.160
D ＊2
VGS
400
570
400
495
570
Volts
+30/-30
+30/-30
+30/-30
+30/-30
+30/-30
VGS (th)
typ.
Volts
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
4.2±0.5
Qg
Typ.
nC
97
155
95
125
155
パッケージ
{
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
質量 Net mass
Grams
6.4
6.4
6.4
6.4
6.4
D: TC=25°C
3S
自動車用_~!#¡ 低Qgシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
3S
!Y"_~!#¡ @|&$&"&@&Y&@Y!¡#
`@|Y|&&$|Y
59
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ
Automotive SuperFAP-E3S Low Qg Built-in FRED series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class
型式
Device type
●
●
●
●
●
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
300
300
600
600
600
Amps.
47
67
22
30
35
Amps.
188
268
88
120
140
FMY47N30ESF
FMY67N30ESF
FMY22N60ESF
FMY30N60ESF
FMY35N60ESF
RDS (on)
Max. ＊
Ohms (Ω)
0.085
0.053
0.290
0.210
0.170
D
VGS
400
570
400
495
570
Volts
+30/-30
+30/-30
+30/-30
+30/-30
+30/-30
VGS (th)
typ.
Volts
4.2±1.0
4.2±1.0
4.2±1.0
4.2±1.0
4.2±1.0
Qg
Typ.
nC
96
155
95
125
155
パッケージ質量 {
Net mass
Grams
TO-247
6.4
TO-247
6.4
TO-247
6.4
TO-247
6.4
TO-247
6.4
trr
Typ.
nsec
130
150
150
160
160
●：新製品 New roducts ＊ RDS (on): VGS=10V
自動車用_~!#¡3S 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
3S
!Y"_~!#¡ ^&#~¡`@|&$&"&@&Y&@Y!¡#
`@|Y|&&$|Y
■ 自動車用トレンチMOSFET Automotive Trench Power MOSFET
MOSFET
■ 40 − 100V クラス 40 - 100V class
型式
Device type
●
●
●
2SK4068-01
2SK3273-01MR
2SK3270-01
2SK3272-01L, S
2SK3272-01SJ
2SK4047-01S
FMY100N06T ※1
2SK3271-01
2SK3730-01MR
2SK3804-01S
FMC80N10R6
FMY100N10R6
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
40
60
60
60
60
60
60
60
75
75
100
100
Amps.
70
70
80
80
80
80
100
100
70
70
80
100
Amps.
280
280
320
320
320
320
400
400
280
280
320
400
RDS (on)
Max. ＊
Ohms (Ω)
0.006
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0065
0.0079
0.0085
0.0067
0.0067
D
115
70
135
135
135
195
135
155
70
135
324
280
VGS
Volts
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
+30/-20
±20
±20
+30/-20
+30/-20
●：新製品 New roducts ＊ RDS (on): VGS=10V
※1 FMY100N06Tは一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
~*¢|&$&"&@&Y&@Y!¡#
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
`@|Y|&&$|Y
60
VGS (th)
typ.
Volts
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
パッケージ
{
TO-247
TO-220F
TO-220AB
T-pack
D2-pack
T-pack
TO-247
#%
TO-220F
T-pack
#{
TO-247
質量 Net mass
Grams
4.9
1.7
2.0
1.6
1.6
1.6
6.3
5.5
1.7
1.6
1.6
6.3
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用高機能パワーMOSFET Automotive Intelligent Power MOSFET
型式
Device type
F5018
F5019
F5020
F5033
F5041
F5042
F5043
F5048
F5055
＊1
RDS (on): VGS=5V
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
40
40
40
40
40
40
40
80
40
Amps.
8
12
3
1
1
8
12
15
5.9
Amps.
27
-
＊2
RDS (on)
Max. ＊1
Ohms (Ω)
0.14
0.14
0.40
0.60
0.60
0.14
0.14
0.125
0.14
D
VGS
15
30
10
1.5
1.5
15
30
43
7.8
Volts
-
VGS (th)
typ.
Volts
-
パッケージ
{
K-pack
T-pack
K-pack
_#＊2
_#＊2
K-pack
T-pack
T-pack
__#＊2
質量 Net mass
Grams
0.6
1.6
0.6
0.2
0.2
0.6
1.6
1.6
0.3
2ch入り Contains 2 channels
■ 自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ）Automotive IPS series ( Intelligent Power Switches )
型式
Device type
F5044H
F5045P
F5062H
F5063L
＊1
VDSS
ID
ID (pulse)
Volts
50
50
35
40
Amps.
2.5
1
50
1.9
Amps.
-
RDS (on): VCC=12V ＊2
RDS (on): VIN=5V ＊3
RDS (on)
Max.
Ohms (Ω)
0.12＊1
0.60＊1
0.008＊1
0.14＊2
D
1.5
1.5
114
1.75
VGS
Volts
-
VGS (th)
typ.
Volts
-
パッケージ
{
_#
_#
_#
_#＊3
質量 Net mass
Grams
0.2
0.2
0.4
0.2
2ch入り Contains 2 channels
61
MOSFET
自己保護機能・診断機能内蔵 Self protection and safety check
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD
超低IR-SBD (Schottky-Barrier Diode)
Ultra Low-IR SBD
■特長 Features
接合部溫度（Tj）
℃保證
・従来品に對し髙溫動做可能
従来品に對し VF は仝等で、IR を 1/10 以下に低
・熱暴走のリスクを低。髙溫時の髙信賴性を確保
従来品に對し VF は 10% 低し、IR も 1/10 以下に低
・LLD からの換え、に低い耐壓の SBD を擇可能
LLD (Low Loss Diode)
Guaranteed Tj=175°C
· It can operate at a high pemparature.
VF is same level and IR is tens of one lower than existing
type.
· It reduce thermal runaway risk.
And provide high reliability at a high pemparature.
VF is 10% lower and IR is tens of one lower than existing
type.
· It make us possible to replace from LLD
Or select more lower voltage SBD
Super LLD series for PFC circuit
Diode
■特長 Features
Super LLD-3（電流連続モード PFC 用）
従来品に対し VF-trr トレードオフラインを改善
従来品に対し高速化と低 VF 化を実現。
MOSFET とダイオードの温度低減、低損失化が可能。
Super LLD-3 for CCM-PFC
'Y"Z~#@@YY&
&}&&Z~Y
model.
And reduced temparature and power loss of MOSFET
and Diode.
Super LLD-2（臨界モード PFC 用）
低 VF 特性による低損失化
ソフトリカバリーによる低ノイズ化
Super LLD-2 for DCM-PFC
!"&&$&Z~
!"&$@"$
■型式の見方 Part numbers
FDRW50C60L (example)
F
DR
社名
機種コード
Company code
Device code
Fuji
DR
FWD
62
W
パッケージコード
Package code
P
TO-220
W
TO-247
50
定格電流
Current
×1
C
S
C
極性
Polarity
Single
Cathode
Common
60
定格電圧
Voltage
60
600V
120
1200V
L
製品シリーズ
Series
Ultra Fast
L
Recovery
Sort/Fast
J
Recovery
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■型式の見方 Part numbers
YA875C10R (example)
YA
パッケージコード
Package code
KP
K-Pack (L)
KS K-Pack (S)
MS
TFP
PA
TO-3P
PG
TO-3PF
PH
TO-247
TP
T-Pack (L)
TS
T-Pack (S)
YA
TO-220
YG
TO-220F
87
シリーズ
Series
8x
SBD
9x
LLD
1
2
3
4
5
6
8
9
0
5
C
10
R
定格電流
Current
5A
10A
15A
15A
20A
30A
30A
40A
40A
極性
Polarity
S
Single
Cathode
C
Common
定格電圧
Voltage
20V
30V
40V
60V
LLD
80V
90V
100V
120V
150V
200V
付加コード
Additional code
R or RR
02
03
04
06
08
SBD
09
10
12
15
20
2
3
4
6
8
10
12
15
200V
300V
400V
600V
800V
1000V
1200V
1500V
■型式の見方 Part numbers
ESAD92M02R (example)
D
92
定格電流
Current
ERA ≦1A
ERB ≦2A
リード
ERC ≦3A
ERD ERC ≦5A
ESAB 5A-10A
TOPKG
ESAC 10A-20A
ESAD 20A-30A
シリーズ
Series
8x
SBD
9x
LLD
M
パッケージコード
Package code
無し
フィン
004
M フルモールド SBD 006
009
02
R
電圧定格
Voltage
40V
LLD
60V
90V
付加コード
Additional code
R or RR
02
03
200V
300V
Diode
ESA
チップ構成
Chip
ESA
ツインチップ
ER シングルチップ
63
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD)
#~
Schottky-Barrier Diodes(SBD)
結線
VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA)
シングル
40
5
0.55
5
45
60
デュアル
20
30
40
60
90
100
10
5
15
7
5
5
10
20
30
5
10
15
20
30
5
5
10
20
30
0.60
0.59
0.63
0.39
0.47
0.55
0.55
0.6
0.53
0.58
0.58
0.58
0.58
0.58
0.9
0.8
0.8
0.8
0.8
2
5
20
10
5
5
5
15
8
5
5
5
15
3
5
0.7
1.2
2.5
20
#%
#%~
#{
#{_
¥#{
¥#{_
TFP
Diode
シングル #{
型式
Device type
KS826S04
YG811S04R
YG812S04R
YG811S06R
YG804S06R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
40
5.0 (Tc=110℃)
40
5.0 (Tc=122℃)
45
10 (Tc=124℃)
60
5.0 (Tc=127℃)
60
15 (Tc=99℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
80
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
80
# ¤
120
# ¤
( ) 条件
( ) Conditions
＊1}方形波
＊1}Square
＊2
＊2
duty=1/2
＊3 V =V
正弦波 10ms.
R
RRM
記号 Letter symbols
VRRM ピーク繰返し逆電圧
VRSM ピーク非繰返し逆電圧
平均出力電流
IO
サージ電流
IFSM
接合温度
Tj
周囲温度
Ta
ケース温度
Tc
64
電気的特性(Ta=25℃)
パッケージ
Characteristics
Package
VFM
IRRM＊3 #
Max. Volts
Max.mA ℃/W
0.55 (IF=5.0A)
5
10
¥#{_
5
5.0 #~
0.55 (IF=5.0A)
2
2.5 #~
0.6 (IF=10A)
5
5.0 #~
0.59 (IF=5.0A)
20
2.2 #~
0.63 (IF=15A)
wave duty=1/2
Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
Repetitive peak reverse voltage
#"{""&
Average output current
Surge current
Junction temperature
Ambient temperature
Case temperature
Tstg
VFM
IRRM
trr
R#
Tl
IF(AV)
保存温度
順電圧
逆電流
逆回復時間
熱抵抗 ( 接合ケース間 )
リード温度
平均順電流
Storage temperature
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Thermal resistance (Junction to case)
Lead temperature
Average forward current
質量
Net
mass
Grams
0.6
1.7
1.7
1.7
1.7
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
5
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD)
デュアル #{
KP883C02
KS883C02
KS823C03
KS823C04
YG801C04R
YG802C04R
YG805C04R
YG838C04R
MS838C04
YG801C06R
YG802C06R
YG803C06R
YG805C06R
MS808C06
KS823C09
YG801C10R
YG802C10R
YG805C10R
YG808C10R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
20
7.0 (Tc=89℃)
20
7.0 (Tc=89℃)
30
5.0 (Tc=117℃)
40
5.0 (Tc=107℃)
40
5.0 (Tc=125℃)
40
10 (Tc=110℃)
40
20 (Tc=100℃)
40
30 (Tc=85℃)
40
30 (Tc=111℃)
60
5.0 (Tc=125℃)
60
10 (Tc=118℃)
60
15 (Tc=94℃)
60
20 (Tc=108℃)
60
30 (Tc=118℃)
90
5.0 (Tc=100℃)
100
5.0 (Tc=117℃)
100
10 (Tc=102℃)
100
20 (Tc=91℃)
100
30 (Tc=80℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊3
正弦波 10ms. １チップあたり
１チップあたり
＊4 V =V
R
RRM １チップあたり
＊2
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
60
# ¤
60
# ¤
60
# ¤
60
# ¤
100
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
180
# ¤
180
# ¤
60
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
80
# ¤
150
# ¤
60
# ¤
60
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
180
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.39 (IF=2.5A)
10
10
0.39 (IF=2.5A)
5
0.47 (IF=2.5A)
5
0.55 (IF=2.5A)
5
0.55 (IF=2.0A)
5
0.55 (IF=4.0A)
15
0.6 (IF=10A)
8
0.53 (IF=12.5A)
8
0.53 (IF=12.5A)
5
0.58 (IF=2.0A)
5
0.58 (IF=4.0A)
5
0.58 (IF=6.0A)
15
0.58 (IF=8.0A)
3
0.58 (IF=12.5A)
5
0.9 (IF=2.5A)
0.7
0.8 (IF=1.5A)
1.2
0.8 (IF=3.0A)
2.5
0.8 (IF=5.0A)
20
0.8 (IF=10A)
パッケージ
Package
#
℃/W
10.0
10.0
10.0
10.0
5.0
3.5
2.5
2.0
1.2
5.0
3.5
3.0
2.5
1.2
10.0
5.0
3.5
2.5
2.0
¥#{
¥#{_
¥#{_
¥#{_
#~
#~
#~
#~
TFP
#~
#~
#~
#~
TFP
¥#{_
#~
#~
#~
#~
質量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
0.6
0.6
1.7
1.7
1.7
1.7
0.8
1.7
1.7
1.7
1.7
0.8
0.6
1.7
1.7
1.7
1.7
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊3 per element
Sine wave, 10ms per element
VR=VRRM per element
Diode
型式
Device type
65
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes
Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes
結線
デュアル
VRRM (V)
100
120
150
200
Io (A)
10
20
30
10
20
30
10
20
30
10
20
30
VF (V)
0.82
0.86
0.86
0.84
0.88
0.88
0.86
0.89
0.89
0.89
0.93
0.93
#
#~
IR (mA)
0.015
0.02
0.03
0.015
0.02
0.03
0.015
0.02
0.03
0.015
0.02
0.03
デュアル #{
Diode
型式
Device type
YG872C10R
YA872C10R
YG875C10R
YA875C10R
YG878C10R
YA878C10R
YG872C12R
YA872C12R
YG875C12R
YA875C12R
YG878C12R
YA878C12R
YG872C15R
YA872C15R
YG875C15R
YA875C15R
YG878C15R
YA878C15R
YG872C20R
YA872C20R
YG875C20R
YA875C20R
YG878C20R
YA878C20R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
100
10 (Tc=146℃)
100
10 (Tc=158℃)
100
20 (Tc=131℃)
100
20 (Tc=144℃)
100
30 (Tc=122℃)
100
30 (Tc=142℃)
120
10 (Tc=143℃)
120
10 (Tc=158℃)
120
20 (Tc=127℃)
120
20 (Tc=144℃)
120
30 (Tc=116℃)
120
30 (Tc=141℃)
150
10 (Tc=144℃)
150
10 (Tc=157℃)
150
20 (Tc=130℃)
150
20 (Tc=143℃)
150
30 (Tc=120℃)
150
30 (Tc=140℃)
200
10 (Tc=143℃)
200
10 (Tc=157℃)
200
20 (Tc=127℃)
200
20 (Tc=141℃)
200
30 (Tc=116℃)
200
30 (Tc=138℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. １チップあたり
＊3 I =0.5Io １チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM １チップあたり
66
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
パッケージ
Characteristics
Package
IRRM＊4 #
VFM＊3
Max.mA ℃/W
Max. Volts
0.82
3.5
#~
0.015
0.82
0.015
2.0
#!^
0.86
0.020
2.5
#~
0.86
0.020
1.75 #!^
0.86
0.030
2.0
#~
0.86
0.030
1.25 #!^
0.84
0.015
3.5
#~
0.84
0.015
2.0
#!^
0.88
0.020
2.5
#~
0.88
0.020
1.75 #!^
0.88
0.030
2.0
#~
0.88
0.030
1.25 #!^
0.86
0.015
3.5
#~
0.86
0.015
2.0
#!^
0.89
0.020
2.5
#~
0.89
0.020
1.75 #!^
0.89
0.030
2.0
#~
0.89
0.030
1.25 #!^
0.89
0.015
3.5
#~
0.89
0.015
2.0
#!^
0.93
0.020
2.5
#~
0.93
0.020
1.75 #!^
0.93
0.030
2.0
#~
0.93
0.030
1.25 #!^
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊3 I =0.5Io per element
Sine wave, 10ms per element
F
VR=VRRM per element
質量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
1.7
2.0
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
5
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
#
#~
結線
VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA)
シングル 120
5
0.88
0.15
デュアル
150
45
60
80
100
120
150
5
20
30
10
20
30
40
10
20
30
40
10
20
30
40
10
20
30
30
40
10
20
30
40
0.9
0.63
0.63
0.68
0.74
0.74
0.7
0.76
0.76
0.76
0.71
0.86
0.86
0.86
0.82
0.88
0.88
0.88
1.01
0.95
0.9
0.9
0.9
0.97
0.15
0.175
0.2
0.15
0.175
0.2
0.2
0.15
0.175
0.2
0.2
0.15
0.175
0.2
0.2
0.15
0.15
0.2
0.2
0.2
0.15
0.15
0.2
0.2
#%
#%~
#
#{
#{_
TFP
Diode
Low IR Schottky-Barrier Diodes
シングル #{
型式
Device type
YG861S12R
YG861S15R
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 I =Io
F
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
120
5 (Tc=104℃)
150
5 (Tc=94℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
75
# ¤
75
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
パッケージ
Characteristics
Package
IRRM＊4 #
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA ℃/W
0.88
0.15
5.0
#~
0.90
0.15
5.0
#~
質量
Net
mass
Grams
1.7
1.7
( ) Conditions
＊1}Square
＊4
VR=VRRM
＊2
wave duty=1/2
Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io
＊4
VR=VRRM
67
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
デュアル #{
Diode
型式
Device type
YG865C04R
YA865C04R
TS865C04R
MS865C04
YG868C04R
YA868C04R
TS868C04R
MS868C04
YG862C06R
YA862C06R
TS862C06R
YG865C06R
YA865C06R
TS865C06R
YG868C06R
YA868C06R
TS868C06R
YG869C06R
YA869C06R
TP869C06R
YG862C08R
YA862C08R
TS862C08R
MS862C08
YG865C08R
YA865C08R
TS865C08R
MS865C08
YG868C08R
YA868C08R
TS868C08R
YG869C08R
YA869C08R
TP869C08R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
45
20 (Tc=115℃)
45
20 (Tc=126℃)
45
20 (Tc=126℃)
45
20 (Tc=125℃)
45
30 (Tc=105℃)
45
30 (Tc=122℃)
45
30 (Tc=122℃)
45
30 (Tc=122℃)
60
10 (Tc=124℃)
60
10 (Tc=136℃)
60
10 (Tc=136℃)
60
20 (Tc=109℃)
60
20 (Tc=122℃)
60
20 (Tc=122℃)
60
30 (Tc=101℃)
60
30 (Tc=119℃)
60
30 (Tc=119℃)
60
40 (Tc=105℃)
60
40 (Tc=114℃)
60
40 (Tc=114℃)
80
10 (Tc=109℃)
80
10 (Tc=126℃)
80
10 (Tc=126℃)
80
10 (Tc=115℃)
80
20 (Tc=89℃)
80
20 (Tc=107℃)
80
20 (Tc=107℃)
80
20 (Tc=108℃)
80
30 (Tc=72℃)
80
30 (Tc=105℃)
80
30 (Tc=105℃)
80
40 (Tc=86℃)
80
40 (Tc=98℃)
80
40 (Tc=98℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
68
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.63
0.175
0.63
0.175
0.63
0.175
0.63
0.175
0.63
0.20
0.63
0.20
0.63
0.20
0.63
0.20
0.68
0.15
0.68
0.15
0.68
0.15
0.74
0.175
0.74
0.175
0.74
0.175
0.74
0.20
0.74
0.20
0.74
0.20
0.70
0.20
0.70
0.20
0.70
0.20
0.76
0.15
0.76
0.15
0.76
0.15
0.76
0.15
0.76
0.175
0.76
0.175
0.76
0.175
0.76
0.175
0.76
0.20
0.76
0.20
0.76
0.20
0.71
0.20
0.71
0.20
0.71
0.20
パッケージ
Package
#
℃/W
2.5
1.75
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.25
3.5
2.0
2.0
2.5
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.2
1.0
1.0
3.5
2.0
2.0
3.0
2.5
1.75
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.2
1.0
1.0
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
VR=VRRM per element
質量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
5
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
型式
Device type
YG862C10R
YA862C10R
TS862C10R
YG865C10R
YA865C10R
TS865C10R
MS865C10
YG868C10R
YA868C10R
TS868C10R
TP868C10R
MS868C10
PA868C10R
YG869C10R
YA869C10R
TP869C10R
YG862C12R
YA862C12R
TP862C12R
TS862C12R
YG865C12R
YA865C12R
PH865C12
TP865C12R
TS865C12R
MS865C12
YG868C12R
YA868C12R
PH868C12
TS868C12R
MS868C12
YG869C12R
YA869C12R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
100
10 (Tc=118℃)
100
10 (Tc=132℃)
100
10 (Tc=132℃)
100
20 (Tc=103℃)
100
20 (Tc=117℃)
100
20 (Tc=117℃)
100
20 (Tc=117℃)
100
30 (Tc=91℃)
100
30 (Tc=113℃)
100
30 (Tc=113℃)
100
30 (Tc=113℃)
100
30 (Tc=114℃)
100
30 (Tc=107℃)
100
40 (Tc=94℃)
100
40 (Tc=105℃)
100
40 (Tc=105℃)
120
10 (Tc=122℃)
120
10 (Tc=137℃)
120
10 (Tc=137℃)
120
10 (Tc=137℃)
120
20 (Tc=116℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
20 (Tc=126℃)
120
30 (Tc=116℃)
120
30 (Tc=122℃)
120
30 (Tc=122℃)
120
30 (Tc=122℃)
120
30 (Tc=115℃)
120
40 (Tc=95℃)
120
40 (Tc=104℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
125
# ¤
125
# ¤
125
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
145
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
160
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
# ¤
190
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.86
0.15
0.86
0.15
0.86
0.15
0.86
0.175
0.86
0.175
0.86
0.175
0.86
0.175
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.86
0.20
0.82
0.20
0.82
0.20
0.82
0.20
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.15
0.88
0.20
0.88
0.20
0.88
0.20
0.88
0.20
0.88
0.20
0.95
0.20
0.95
0.20
パッケージ
Package
#
℃/W
3.5
2.0
2.0
2.5
1.75
1.75
1.75
2.0
1.25
1.25
1.25
1.2
1.5
1.2
1.0
1.0
3.00
1.20
1.50
1.50
1.75
1.25
1.50
1.25
1.25
1.25
1.20
1.00
1.20
1.00
1.20
1.20
1.00
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
#{
TFP
#%
#~
#!^
#{
#~
#!^
#{
#{_
#~
#!^
#
#{
#{_
TFP
#~
#!^
#
#{_
TFP
#~
#!^
質量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
1.6
0.8
5.1
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.6
1.7
2.0
4.9
1.6
1.6
0.8
1.7
2.0
4.9
1.6
0.8
1.7
2.0
( ) Conditions
＊1}Square
＊2
＊4
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
VR=VRRM per element
69
Diode
デュアル #{
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
デュアル #{
型式
Device type
YG862C15R
YA862C15R
TP862C15R
TS862C15R
YG865C15R
PH865C15
PG865C15R
YA865C15R
TP865C15R
TS865C15R
MS865C15
YG868C15R
YA868C15R
TS868C15R
MS868C15
PA868C15R
PH868C15
YG869C15R
YA869C15R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
150
10 (Tc=117℃)
150
10 (Tc=134℃)
150
10 (Tc=134℃)
150
10 (Tc=134℃)
150
20 (Tc=101℃)
150
20 (Tc=109℃)
150
20 (Tc=80℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
20 (Tc=115℃)
150
30 (Tc=113℃)
150
30 (Tc=119℃)
150
30 (Tc=119℃)
150
30 (Tc=113℃)
150
30 (Tc=129℃)
150
30 (Tc=129℃)
150
40 (Tc=90℃)
150
40 (Tc=100℃)
Diode
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
70
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
75
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
190
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.mA
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.15
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.90
0.20
0.97
0.20
0.97
0.20
パッケージ
Package
#
℃/W
3.00
1.50
1.50
1.50
1.75
1.50
2.50
1.25
1.25
1.25
1.25
1.20
1.00
1.00
1.20
1.20
1.20
1.20
1.00
#~
#!^
#{
#{_
#~
#
#%~
#!^
#{
#{_
TFP
#~
#!^
#{_
TFP
#%
#
#~
#!^
( ) Conditions
＊1}Square
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊2
質量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
1.6
1.7
4.9
6.0
2.0
1.6
1.6
0.8
1.7
2.0
1.6
0.8
5.5
4.9
1.7
2.0
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ スーパー LLD 2 ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD 2 (Critical mode PFC)
Super LLD 2 (Critical mode PFC)
結線 VRRM (V)
シングル
600
デュアル
800
600
Io (A)
8
10
5
10
VF (V)
1.55
1.55
2.2
1.55
IR(μA)
10
10
10
10
Trr (μsec)
0.05
0.05
0.05
0.05
#
#~
#
シングル #{
型式
Device type
YA971S6R
YG971S6R
YA972S6R
YG972S6R
YG971S8R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
IFSM＊2
Volts
Amps.
Amps.
600
70
8 (Tc=116℃)
600
70
8 (Tc=89℃)
600
10 (Tc=115℃) 100
600
100
10 (Tc=89℃)
800
60
5 (Tc=93℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 V =V
R
RRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.55 (IF=8A) 10
1.55 (IF=8A) 10
1.55 (IF=10A) 10
1.55 (IF=10A) 10
2.2 (IF=5A) 10
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
#
℃/W
2.5
4.5
2.0
3.5
4.5
#!^
#~
#!^
#~
#~
質量
Net
mass
Grams
2.0
1.7
2.0
1.7
1.7
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2
＊2 Sine wave, 10ms ＊3 V =V
R
RRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
デュアル #{
YA975C6R
YG975C6R
PH975C6
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
IFSM＊2
Volts
Amps.
Amps.
600
20 (Tc=106℃) 100
600
100
20 (Tc=89℃)
600
100
20 (Tc=97℃)
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり
＊3 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.55 (IF=10A) 10
1.55 (IF=10A) 10
1.55 (IF=10A) 10
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.05
0.05
0.05
#
℃/W
1.25
1.75
1.5
#!^
#~
#
質量
Net
mass
Grams
2.0
1.7
4.9
Diode
型式
Device type
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊3 V =V
R
RRM per element
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
71
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ スーパー LLD 3 ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD 3 (Continuous mode PFC)
Super LLD 3 (Continuous mode PFC)
結線 VRRM (V) Io (A)
シングル
600
8
デュアル
600
10
16
20
VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
3
25
0.026
3
30
0.028
3
25
0.026
3
30
0.028
#
#~
#%
#
#{_
シングル #{
型式
Device type
YA981S6R
YG981S6R
YA982S6R
YG982S6R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
600
8 (Tc=99℃)
600
8 (Tc=58℃)
600
10 (Tc=99℃)
600
10 (Tc=60℃)
IFSM＊2
Amps.
40
40
50
50
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 V =V
R
RRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
3.0 (IF=8A)
25
3.0 (IF=8A)
25
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.026
0.026
0.028
0.028
#
℃/W
2.5
4.5
2.0
3.5
#!^
#~
#!^
#~
質量
Net
mass
Grams
2.0
1.7
2.0
1.7
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2
＊2 Sine wave, 10ms
＊3 VR=VRRM
＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
デュアル #{
Diode
型式
Device type
YA982C6R
TS982C6R
YG982C6R
YA985C6R
TS985C6R
YG985C6R
PH985C6
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
600
16 (Tc=88℃)
600
16 (Tc=88℃)
600
16 (Tc=68℃)
600
20 (Tc=86℃)
600
20 (Tc=86℃)
600
20 (Tc=60℃)
600
20 (Tc=73℃)
IFSM＊2
Amps.
40
40
40
50
50
50
50
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
72
接合、保存温度
Thermal rating
Tj and Tstg
℃
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
# ¤
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
VFM
IRRM＊3
Max. Volts
Max.μA
3.0 (IF=8A)
25
3.0 (IF=8A)
25
25
3.0 (IF=8A)
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
30
3.0 (IF=10A)
パッケージ
Package
trr＊4
μsec.
0.026
0.026
0.026
0.028
0.028
0.028
0.028
#
℃/W
1.5
1.5
2
1.25
1.25
1.75
1.5
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
#~
#
質量
Net
mass
Grams
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
1.7
4.9
( ) Conditions
＊1}Square wave duty 1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 V =V
R
RRM per element
＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
結線
VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
シングル
200
5
0.95
100
0.035
デュアル
300
200
300
10
5
5
10
20
5
10
20
0.98
1.2
0.95
0.95
0.98
1.2
1.2
1.2
200
100
100
100
200
100
100
200
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
#~
¥#{
¥#{_
TFP
シングル #{
KP926S2
KS926S2
YG911S2R
YG912S2R
YG911S3R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
200
5 (Tc=106℃)
200
5 (Tc=106℃)
200
5 (Tc=134℃)
200
10 (Tc=116℃)
300
5 (Tc=128℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
70
# ¤
70
# ¤
50
# ¤
80
# ¤
40
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 I =Io
＊4 V =V
F
R
RRM
＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
0.95
100
0.95
100
0.95
100
0.98
200
1.2
100
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
( ) Conditions
＊1}Square wave duty 1/2
＊2 Sine wave, 10ms
＊3 IF=Io
＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
F
#
℃/W
10.0
10.0
3.5
3.5
3.5
＊4
¥#{
¥#{_
#~
#~
#~
質量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
1.7
1.7
1.7
VR=VRRM
Diode
型式
Device type
デュアル #{
型式
Device type
KP923C2
KS923C2
YG901C2R
YG902C2R
YG906C2R
MS906C2
YG901C3R
YG902C3R
MS906C3
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
200
5 (Tc=103℃)
200
5 (Tc=103℃)
200
5 (Tc=120℃)
200
10 (Tc=115℃)
200
20 (Tc=102℃)
200
20 (Tc=105℃)
300
5 (Tc=105℃)
300
10 (Tc=101℃)
300
20 (Tc=95℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
50
# ¤
50
# ¤
25
# ¤
50
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
25
# ¤
40
# ¤
80
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
0.95
100
0.95
100
0.95
100
0.95
100
0.98
200
0.98
200
1.2
100
1.2
100
1.2
200
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
0.035
#
℃/W
10.0
10.0
5.0
3.5
2.5
2.0
5.0
3.5
2.0
¥#{
¥#{_
#~
#~
#~
TFP
#~
#~
TFP
質量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
1.7
1.7
1.7
0.8
1.7
1.7
0.8
( ) Conditions
＊1}Square
wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
＊2
73
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD)
#
Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD)
#~
#%~
#{_
¥#{_
結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
シングル
300
5
1.3
20
0.04
デュアル
400
300
400
5
10
20
10
20
1.45
1.3
1.3
1.45
1.45
20
20
35
20
35
0.05
0.04
0.04
0.05
0.05
TFP
シングル #{
型式
Device type
KS986S3
KS986S4
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
300
5 (Tc=128℃)
400
5 (Tc=125℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
90
# ¤
80
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2
＊2 正弦波 10ms.
＊3 I =Io
＊4 V =V
F
R
RRM
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.3
20
1.45
20
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.04
0.05
#
℃/W
3.5
3.5
¥#{_
¥#{_
質量
Net
mass
Grams
0.6
0.6
( ) Conditions
＊1}Square
wave duty=1/2
＊3 I =Io per element
Sine wave, 10ms
F
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
＊2
＊4
VR=VRRM
Diode
デュアル #{
型式
Device type
YG982C3R
YA982C3R
TS982C3R
YG985C3R
YA985C3R
TS985C3R
MS985C3
PG985C3R
YG982C4R
YA982C4R
TS982C4R
YG985C4R
YA985C4R
TS985C4R
MS985C4
PG985C4R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
300
10 (Tc=112℃)
300
10 (Tc=128℃)
300
10 (Tc=128℃)
300
20 (Tc=105℃)
300
20 (Tc=118℃)
300
20 (Tc=118℃)
300
20 (Tc=118℃)
300
20 (Tc=73℃)
400
10 (Tc=107℃)
400
10 (Tc=125℃)
400
10 (Tc=125℃)
400
20 (Tc=100℃)
400
20 (Tc=114℃)
400
20 (Tc=114℃)
400
20 (Tc=114℃)
400
20 (Tc=64℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
90
# ¤
90
# ¤
90
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
110
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
100
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 I =0.5Io 1チップあたり
F
＊4 V =V
R
RRM 1チップあたり
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
74
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
1.3
20
1.3
20
1.3
20
1.3
35
1.3
35
1.3
35
1.3
35
1.3
35
1.45
20
1.45
20
1.45
20
1.45
35
1.45
35
1.45
35
1.45
35
1.45
35
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
#
℃/W
3
1.75
1.75
1.75
1.25
1.25
1.25
3
3
1.75
1.75
1.75
1.25
1.25
1.25
3
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
TFP
#%~
#~
#!^
#{_
#~
#!^
#{_
TFP
#%~
質量
Net
mass
Grams
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
6.0
1.7
2.0
1.6
1.7
2.0
1.6
0.8
6.0
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊3 IF=0.5Io per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
F
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD)
#%
Schottky-Barrier Diodes (SBD)
結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA)
40
10
0.55
5
シングル /
20
0.6
15
デュアル
60
30
30
0.55
0.58
#%~
20
20
#{_
¥#{_
シングル / デュアル #{#{
型式
Device type
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
40
10 (Tc=116℃)
40
10 (Tc=116℃)
40
20 (Tc=110℃)
40
30 (Tc=105℃)
40
30 (Tc=118℃)
60
30 (Tc=106℃)
60
30 (Tc=115℃)
60
30 (Tc=119℃)
TP802C04R
TS802C04R
TS805C04R
ESAD83M-004RR
ESAD83-004R
ESAD83M-006RR
TS808C06R
ESAD83-006R
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
120
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
150
# ¤
150
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
120
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 1チップあたり
＊4 V =V
＊5 シングル品
R
RRM 1チップあたり
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max.mA
Max. Volts
0.55 (IF=4.0A)
5
0.55 (IF=4.0A)
5
0.6 (IF=10A)
15
0.55 (IF=12.5A)
20
0.55 (IF=12.5A)
20
0.58 (IF=12.5A)
20
0.58 (IF=12.5A)
20
0.58 (IF=12.5A)
20
パッケージ
Package
#
℃/W
3.0
3.0
2.0
1.7
1.2
1.7
1.2
1.2
質量
Net
mass
Grams
1.6
1.6
1.6
6.0
5.5
6.0
1.6
5.5
#{
#{_
#{_
#%~
#%
#%~
#{_
#%
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊4 V =V
R
RRM per element
forward current of centertap full wave connection)
＊3 per element
＊5#{
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
#
結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec)
シングル /
200
5
0.95
100
0.035
10
0.95
100
0.035
デュアル
300
400
20
20
10
20
20
0.95
0.98
1.2
1.2
1.5
200
200
100
200
500
#%
0.04
0.035
0.035
0.04
0.05
#%~
#{_
¥#{_
Diode
■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
シングル / デュアル #{#{
型式
Device type
TP901C2R
TP902C2R
TS902C2R
ESAD92M-02RR
TP906C2R
TS906C2R
ESAD92-02R
TP902C3R
TS902C3R
ESAD92-03R
ESAD92M-03RR
PA905C4R
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO＊1
Volts
Amps.
200
5 (Tc=120℃)
200
10 (Tc=125℃)
200
10 (Tc=125℃)
200
20 (Tc=108℃)
200
20 (Tc=110℃)
200
20 (Tc=110℃)
200
20 (Tc=115℃)
300
10 (Tc=115℃)
300
10 (Tc=115℃)
300
20 (Tc=110℃)
300
20 (Tc=96℃)
400
20 (Tc=107℃)
接合、保存温度
Thermal rating
IFSM＊2 Tj and Tstg
Amps. ℃
25
# ¤
50
# ¤
50
# ¤
100
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
100
# ¤
40
# ¤
40
# ¤
80
# ¤
80
# ¤
70
# ¤
( ) 条件
＊1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 1チップあたり
＊4 V =V
＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
R
RRM 1チップあたり
F
＊6 シングル品
電気的特性(Ta=25℃)
Characteristics
IRRM＊4
VFM＊3
Max. Volts
Max.μA
0.95 (IF=2.5A)
100
0.95 (IF=5A)
100
0.95 (IF=5A)
100
0.95 (IF=10A)
200
0.98 (IF=10A)
200
0.98 (IF=10A)
200
0.95 (IF=10A)
200
1.2 (IF=5A)
100
1.2 (IF=5A)
100
1.2 (IF=10A)
200
1.2 (IF=10A)
200
1.5 (IF=10A)
500
パッケージ
Package
trr＊5
μsec.
0.035
0.035
0.035
0.04
0.035
0.035
0.04
0.035
0.035
0.04
0.04
0.05
#
℃/W
5.0
2.5
2.5
2.0
2.0
2.0
1.5
2.5
2.5
1.5
2.0
1.5
#{
#{
#{_
#%~
#{
#{_
#%
#{
#{_
#%
#%~
#%
質量
Net
mass
Grams
1.6
1.6
1.6
6.0
1.6
1.6
5.5
1.6
1.6
5.5
6.0
5.5
( ) Conditions
＊1}Square wave duty=1/2 (Average
＊2 Sine wave, 10ms per element
＊4 V =V
R
RRM per element
＊6#{
forward current of centertap full wave connection)
＊3 per element
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
75
5
整流ダイオード/Rectiﬁer Diodes
■ 600V 超高速ダイオード Ultra Fast Recovery Diodes
Ultra Fast Recovery Diodes
結線
シングル
VRRM (V)
600
デュアル
600
Io (A)
15
25
35
50
70
VF (V)
2.6
2.6
2.6
2.6
2.6
IR(μA)
250
250
250
250
250
Trr (μsec)
0.031
0.033
0.036
0.033
0.036
#
# #
シングル 1 in one-package
型式
Device type
FDRP15S60L
FDRW15S60L
FDRP25S60L
FDRW25S60L
FDRW35S60L
絶対最大定格
Maximum rating
VRRM
IO�

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