here - 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻田中・大矢研究室

第 19 回半導体スピン
回半導体スピン工学
スピン工学の
工学の基礎と
基礎と応用 PASPS-19 プログラム
2014 年 12 月 15 日（月）~16 日（火）
東京大学武田先端知ビル武田ホール
12 月 15 日（月）
12:50-13:00
Opening
田中雅明（東京大学）
13:00-13:30
＜招待講演＞
招待講演＞
I-1
Silicon spintronics
Ron Jansen
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(AIST)
13:30-13:45
O-1
Effect of insertion layer on Schottky barrier height and spin accumulation
in Fe/non-degenerate n-type Ge junctions
H. Saito, Y. Sato, T. Takada, A. Spiesser, R. Jansen and, S. Yuasa
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),
Spintronics Research Center
13:45-14:00
O-2
Perpendicularly polarized spin injection and transport in FePt/ MgO /
n-GaAs structure with optical Hanle effect measurements
R. Ohsugi1, Y. Kunihashi2, H. Sanada2, M. Kohda1, H. Gotoh2, and J.
Nitta1
1. Department of Materials Science, Tohoku University
2. NTT Basic Research Laboratory
14:00-14:15
O-3
Fe/SiO2/Si 接合における三端子ハンルシグナルの起源
佐藤彰一 1、中根了昌 1、田中雅明 1
1. 東京大学
14:15-14:30
O-4
単結晶 Ge/Fe3Si 構造を介したスピン伝導測定
河野慎 1、山東浩平 1、沖宗一郎 1、山田晋也 1、金島岳 1、浜屋宏平 1,2
1.大阪大学大学院基礎工学研究科
2. JST-CREST
14:30-15:00
＜招待講演＞
招待講演＞
I-2
外部電場による
外部電場による非縮退
による非縮退 Si 中の室温スピン
室温スピン輸送
スピン輸送の
輸送の変調
白石誠司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
休憩 Break (15:00-15:30)
15:30-15:45
O-5
Spin injection into Si channels using high-quality CoFe/MgO/Si and
CoFe/AlOx/Si tunnel contacts
悪七泰樹 1、髙村陽太 1、周藤悠介 1、菅原聡 1
1. 東京工業大学
15:45-16:00
O-6
Nonlocal spin devices using electrical-field-induced spin-transport
acceleration
髙村陽太 1、悪七泰樹 1、周藤悠介 1、菅原聡 1
1. 東京工業大学
16:00-16:15
O-7
Development of desktop imaging device using diamond
Y. Miyajima1, D. Kim1, H. Watanabe2, C. Wang3, C. Santori4, K. M. Itoh1
1. Keio University
2. AIST
3. California Institute of Technology
4.Hewlett-Packard Laboratories
16:15-16:30
O-8
トポロジカル結晶絶縁体 SnTe 薄膜におけるヨウ素ドーピングによるキ
ャリア密度制御
藤澤和輝，山口智也，秋山了太，黒田眞司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
16:30-17:00
＜招待講演＞
招待講演＞
I-3
バルクラシュバ型半導体
バルクラシュバ型半導体におけるベリー
型半導体におけるベリー位相
におけるベリー位相の
位相の検出
1
1,2
村川寛 *、
、Mohammad Saeed Bahramy 、徳永将史 3、小濱芳允 3、Chris
Bell4、金子良夫 1、永長直人 1,2、Harold Y. Hwang1,4、十倉好紀 1,2
1. 理化学研究所創発物性科学研究センター
理化学研究所創発物性科学研究センター(CEMS)
2. 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
3. 東京大学物性研究所国際超強磁場科学研究施設
4. スタンフォード大学
スタンフォード大学
*現在
現在大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
ポスターセッション / Poster session (17:00-19:00)
(兼
兼懇親会 Banquet 18:00~)
P-1
Temperature dependence of in-plane magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As
codoped with Li
S. Miyakozawa1, L. Chen2, F. Matsukura2,3, and H. Ohno1,2,3,4
1. LNS-RIEC, Tohoku Univ.
2. WPI-AIMR, Tohoku Univ.
3. CSIS, Tohoku Univ.
4. CIES, Tohoku Univ.
P-2
GaMnAs における時間分解光誘起反射率変化の入射パルス光エネルギー依存性
石井友章 1、川添忠 1、橋本佑介 2、寺田博 1、宗田伊理也 1、大津元一 1、田中雅明 1、大
矢忍 1
1.東京大学
2. Radboud 大学 Nijmegen、オランダ
P-3
GaMnAs における誘電率テンソルの非対角成分
寺田博、大矢忍、田中雅明
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
P-4
Structural and Magnetic Properties of InMnAs Thin Films grown by Low-temperature
Molecular Beam Epitaxy on InP (001) Substrates
H.Yoshizawa1, S.Hayashi1, T.Kato1, H.Toyota1 and N.Uchitomi1
1. Nagaoka University of Technology
P-5
(Ga,Fe)Sb: a new p-type ferromagnetic semiconductor
Nguyen Thanh Tu,1 Pham Nam Hai,1,2 Le Duc Anh,1 and Masaaki Tanaka1
1. The University of Tokyo
2. Tokyo Institute of Technology
P-6
n 型強磁性半導体(In,Fe)As:Be の XMCD による磁化過程の研究
坂本祥哉 1、Le Duc Anh2、Pham Nam Hai2、芝田悟朗 1、竹田幸治 3、高橋文雄 1、小出
常晴 4、田中雅明 2、藤森淳 1
1.東京大学理学系研究科
2.東京大学工学系研究科
3.日本原子力研究開発機構
4.高エネルギー加速器研究機構
P-7
Local magnetic behavior in ferromagnetic semiconductor GeFe studied by soft X-ray
magnetic circular dichroism
Yuki K. Wakabayashi,1 Shoya Sakamoto,2 Keisuke Ishigami,2 Yukio Takahashi,2 Yukiharu
Takeda,3 Yuji Saitoh,3 Hiroshi Yamagami,3 Atsushi Fujimori,2 Masaaki Tanaka,1 and
Shinobu Ohya1
1. Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of
Tokyo
2. Department of Physics, The University of Tokyo
P-8
Strong correlation effects in thermoelectric Na0.5CoO2: a case study of non-magnetic
dopant
M. H. N. Assadi and H. Katayama-Yoshida
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
P-9
希薄磁性半導体(Zn,Co)O における F ドーピングによる磁性への効果
石川諒 1、秋山了太 1、金澤研 1、黒田眞司 1、大渕博宣 2
1. 筑波大学数理物質科学研究科
2. 高輝度光科学研究センター
P-10
Co 置換 Fe3O4 薄膜の電気特性制御および磁気トンネル接合への応用
高橋雅尚 1, 山原弘靖 1, 関宗俊 1, 田畑仁 1
1. 東京大学
P-11
ZnTe(100)面上への(Cd,Cr)Te 自己形成ドットの作製と磁気光学特性
中澤文生 1、内海駿人 1、金澤研 1、黒田眞司 1
1. 筑波大学
P-12
MBE により成長した三元化合物(Mn,Cr)Te 薄膜の結晶構造と磁気特性
伊藤晃, 金澤研, 黒田眞司
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性・分子工学専攻
P-13
Spin relaxation in undoped GaAs grown by Vertical Gradient Freeze method
Yuya Yasue, Kazuki Honda, Masaki Asakawa, and Atsushi Tackeuchi
Department of Applied Physics, Waseda University
P-14
Spin relaxation time in annealed Be-doped InGaAsP at 10 K
Hao Wu1, Ryo Harasawa1, Yuya Yasue1, Takanori Aritake1, Lian Ji2, Shulong Lu2, Atsushi
Tackeuchi1
1. Department of Applied Physics, Waseda University
2. Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences
P-15
Picosecond Spin Relaxation of Band to Carbon Acceptor Transition in
Low-Temperature-Grown GaAs
Kazuki Honda1, Yuya Yasue1, Masaki Asakawa1, Shulong Lu2, Pan Dai2, Atsushi
Tackeuchi1
1. Department of Applied Physics, Waseda University
2. Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences
P-16
Photoluminescence from GaN quantum Disk and GaN small size nanowires
Mohamed Almokuhtar1,2, and Shuichi Emura2
1. Physics Department, Assiut University, Egypt
2. ISIR, Osaka University, Japan
P-17
Direct detection of the ratio of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interactions in InGaAs
narrow wires
Kohei Yoshizumi, Makoto Kohda, Junsaku Nitta
Tohoku University
P-18
Fabrication and characterization of a CoFe/TiO2/Si spin injector
周藤悠介 1、高橋克典 1、悪七泰樹 1、髙村陽太 1、菅原聡 1
1. 東京工業大学
P-19
スピン蓄積デバイスにおける Hanle 効果の解析
悪七泰樹 1、髙村陽太 1、周藤悠介 1、菅原聡 1
1. 東京工業大学
P-20
Fabrication of a (100)-oriented Co2FeSi0.5Al0.5/MgO/Si tunnel contact and its spin injector
application
川目悠 1、悪七泰樹 1、髙村陽太 1、周藤悠介 1、菅原聡 1
1. 東京工業大学
P-21
2 端子 Co2FeSi スピン注入源を用いた純スピン流の生成
黒川孝幸 1、沖宗一郎 1、山田晋也 1、金島岳 1、浜屋宏平 1,2
1. 大阪大学大学院基礎工学研究科
2. JST-CREST
P-22
Evidence of a perpendicular magnetocrystalline anisotropy in a Mn5Ge3 epitaxial thin film
revealed by ferromagnetic resonance
Alain Truong1, Atom O. Watanabe1, Takeharu Sekiguchi1, Pierre-André Mortemousque1,
Tetsuya Sato2, Kazuya Ando1, and Kohei M. Itoh1
1. School of Fundamental Science and Technology, Keio University
2. School of Integrated Design Engineering, Keio University
P-23
Growth and characterization of manganese germanide epitaxial layers on germanium
Atom Watanabe, Alain Truong, Takeharu Sekiguchi, and Kohei M. Itoh
Keio University
P-24
電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算
洗平昌晃 1、山本貴博 2、白石賢二 1
1. 名古屋大学大学院工学系研究科
2. 東京理科大学工学部
P-25
The Voltage Control of Magnetic Anisotropy in Pd/Co/Pt structure
日比野有岐 1、大日方絢 1、小山知弘 1、三輪一元 2、小野新平 2、千葉大地 1
1. 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
2. 電力中央研究所
P-26
Experimental setup for quantum-assisted magnetic field sensing using isotopically
enriched 12C diamond
Dong Ok Kim, Marc Appleton, Kohei Itoh
Keio University
P-27
Cyclotron resonance in ferromagnetic semiconductors at ultrahigh magnetic fields
Y. H. Matsuda1, A. Ikeda1, D. Nakamura1, S. Takeyama1, G. A. Khodaparast2, T. R.
Merritt2, D. Saha3, G. D. Sanders3, C. J. Stanton3, C. Feeser4, B. W. Wessels4, X. Liu5,
and J. Furdyna5
1. Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Japan
2. Department of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA
3. Department of Physics, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA
4. Materials Research Center, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208, USA
5. Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA
12 月 16 日（火）
9:00-9:30
<招待講演
招待講演>
招待講演
I-4
Spin and valley pseudo-spin in transition-metal dichalcogenides
張奕勁 1、岩佐義宏 1,2
1. 東京大学
東京大学大学院工学系研究科
大学院工学系研究科物理工学専攻
2. 理研創発物性科学研究
理研創発物性科学研究センター
研究センター (CEMS)
9:30-9:45
O-9
シリコン MOS 素子における原子レベル欠陥を用いた単一電子スピン効
果
大野圭司 1、棚本哲史 2、大黒達也 2、森貴洋 3、森山悟士 4
1. 理化学研究所
2. 東芝 R&D センター
3. 産業技術総合研究所
4. 物質材料研究機構
9:45-10:00
O-10
GaAs/AlGaAs 量子ポイントコンタクトにおける動的核スピン偏極と抵抗
検出型核磁気共鳴
川村稔 1、大野圭司 1、Peter Stano1、河野公俊 1、青野友祐 2
1. 理化学研究所創発物性科学研究センター
2. 茨城大学工学部
10:00-10:15
O-11
Spin relaxation in GaIn0.36N0.006AsSb0.015/GaN0.01AsSb0.11/GaAs quantum
well
M. Asakawa1, K. Honda1, N. Yamamoto1, L. H. Li2, J. C. Harmand3, S. L.
Lu4, and A. Tackeuchi1
1. Department of Applied Physics, Waseda University
2. School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds,
United Kingdom
3. Laboratory for Photonics and Nanostructures-CNRS, France
4. Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, China
10:15-10:30
O-12
Electrical control of shallow donor spins in silicon
R. Debette1, Y. Aikyo1, C. Culan1, E. Sato1, S. Tanaka1, M. Yamada1, K.
Sawano2, and K.-M. Itoh1
1. School of Fundamental Science and Technology, Keio University
2. Research Center for Silicon Nano-Science, Advanced Research
Laboratories, Tokyo City University
休憩 Break (10:30-10:45)
10:45-11:15
<招待講演
招待講演>
招待講演
I-5
ARPES と XMCD から見
から見た強磁性半導体の
強磁性半導体の電子構造と
電子構造と磁性
藤森淳
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
11:15-11:30
O-13
Non-thermal Process at the Onset of Photo-Excited Precession of
Magnetization in (Ga,Mn)As
T. Matsuda, K. Nishibayashi, and H. Munekata
東京工業大学
11:30-11:45
O-14
Different symmetry of the magnetization-direction dependence between
the impurity band and valence band in GaMnAs
宗田伊理也、金木俊樹、大矢忍、田中雅明
東京大学
11:45-12:00
O-15
DC voltages in Pt/(Ga,Mn)As under ferromagnetic resonance
Hiroyasu Nakayama1，Lin Chen2，Hsiao Wen Chang1，Fumihiro
Matsukura1,2,3，and Hideo Ohno1,2,3,4
1. LNS, RIEC, Tohoku Univ.
2. WPI-AIMR, Tohoku Univ.
3. CSIS, Tohoku Univ.
4. CIES, Tohoku Univ.
昼食 Lunch (12:00-13:30)
13:30-13:45
O-17
Fe-O chemical bonding for large anisotropic orbital magnetic moments at
Co2FeAl/MgO interface studied by x-ray magnetic circular dichroism
Jun Okabayashi1, Hiroaki Sukegawa2, Zhenchao Wen2, Koichiro
Inomata2, and Seiji Mitani2
1. Research Center for Spectrochemistry, The University of Tokyo
2. National Institute for Materials Science (NIMS)
13:45-14:00
O-18
磁気光学ファイバを用いた偏波変調信号の空間的多重分離
西林一彦 1、米田仁紀 2、久我淳 3、松田喬 1、宗片比呂夫 1
1. 東京工業大学
2. 電気通信大学
3. NHK 放送技術研究所
14:00-14:15
O-19
Electric field control of magnetism in Pd/Co/Pt structure
大日方絢 1、早川大智 1、日比野有岐 1、小山知弘 1、三輪一元 2、小野新
平 2、千葉大地 1
1. 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
2. 電力中央研究所
14:15-14:30
O-20
希土類鉄ガーネット薄膜における電界誘起スピン波とエピタキシャル歪
相関
足立真輝 1、那須英和 1、山原弘靖 2、関宗俊 1、松井裕章 1,3、田畑仁 1,3
1. 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
2. 東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
3. 東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻
14:30-14:45
O-21
スピネル型フェライト(Fe,Ti)3O4 磁性半導体薄膜のキャリア極性制御
山原弘靖 1，高橋雅尚 2, 関宗俊 2, 田畑仁 2
1. 東京大学大学院総合研究機構
2. 東京大学大学院電気系工学専攻
14:45-15:00
O-22
STM を用いた ZnTe(110)表面の Cr 不純物状態の研究
西村拓、金澤研、吉田昭二、重川秀実、黒田眞司
筑波大学大学院数理物質科学研究科
休憩 Break (15:00-15:30)
15:30-16:00
<招待講演
招待講演>
招待講演
I-6
Fe-based ferromagnetic semiconductors and their heterostructures
Pham Nam Hai1,2
1. 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
2. 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
16:00-16:15
O-23
N 型強磁性半導体(In,Fe)As 量子井戸における波動関数制御による電気的
な磁.性変調
レデゥックアイン 1、ファムナムハイ 2、笠原裕一 3、岩佐義宏 3、田中雅
明1
1. 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
2. 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
3. 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
16:15-16:30
O-24
Theoretical Studies of Electronic Structure and Magnetic Property in
Transition Metal doped Ge2Sb2Te5 by Order-N Screened
Korringa-Kohn-Rostoker Green’s Function Method
T. Fukushima1, H. Katayama-Yoshida1, K. Sato2, H. Fujii3, E. Rabel4, R.
Zeller4, P. H. Dederichs4, W. Zhang5 and R. Mazzarello5
1. Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Japan
2. Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan
3. Japan Synchrotron Radiation Research Institute, SPring-8, Japan
4. Peter Gruenberg Institut and Institute for Advanced Simulation,
Forschungszentrum Juelich and JARA, Germany
5. Institute for Theoretical Solid State Physics and JARA-Fundamentals of
Future Information Technology, RWTH Aachen University, Germany
16:30-16:45
O-25
Characterization of Ferromagnetic Semiconductor ZnSnAs2:Mn Thin
Films using Laser-assisted Three-dimensional Atom Probe Technique
H. Inoue1, T. Kato1, H. Toyota1, H. Uchida2 and N. Uchitomi1
1. 長岡技術科学大学大学院
2. 東芝ナノアナリシス
16:45-16:50
Closing
田中雅明（東京大学）

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