Introduction of NuFlare Technology - 大阪証券取引所

株式会社ニューフレアテクノロジー
2008年3月期決算説明会
代表取締役社長 井入 正博
2008年5月21日
NuFlare Technology, Inc. Proprietary
目次
•会社概要・事業概要
•2008年3月期決算概況
•2009年3月期業績見通し・今後の成長への取組み
Do Not Copy / Do Not Distribute
21 May, 2008
1
会社概要・事業概要
Do Not Copy / Do Not Distribute
21 May, 2008
2
会社概要
商 号
株式会社ニューフレアテクノロジー
設 立
2002年8月(東芝機械より分社)
本 社
横浜市港北区新横浜
資本金
5,523百万円(2008年3月末現在)
人 員
390名(2008年3月末現在)
事業内容
最先端半導体製造装置の開発、製造、販売、保守
主要販売先
最先端の半導体メーカー、マスク・メーカー
上場市場
JASDAQ(銘柄コード:6256)
Do Not Copy / Do Not Distribute
21 May, 2008
3
設立の経緯・沿革
1975年
76/12
1980年
1995年
78/2
98/12
02/8
03/4
06/6 07/3 07/4 07/10
21 May, 2008
本社を新横浜に移転
ジャスダック証券取引所に株式上場
横浜事業所開設
マスク検査装置事業に参入
NYに研究開発拠点を開設
EBM‐3000
2007年
東芝機械の半導体装置事業部
を吸収分割により継承
東芝グループ内部で
技術を蓄積
マスク描画装置EBMー3000の販売を開始
マスク描画装置EBM ー100の販売開始
東芝から東芝機械へ
半導体製造装置の技術移管
Do Not Copy / Do Not Distribute
2000年
4
半導体技術は、微細化、新材料、新構造により、発展を続ける
トランジスタ
の集積度
107
106
微細化
新材料
新構造
積層化
ムーアの法則
(2倍/2年)
イメージ
106
微細化の減速
105
104
103
2
10
半導体の
微細化
101
1970年 1980年
1990年
Do Not Copy / Do Not Distribute
2000年 2010年 2020年
高性能化、省電力化、低コスト化
微細化技術
zArF液浸露光技術
zダブルパターニング
zEUV露光技術
Flash
DRAM
MPU
新材料技術
z高誘電率材料(ゲート酸化膜) MPU
z低誘電率材料(層間絶縁膜) Logic
zSiGe 選択エピ
zエピ基板
新構造技術
z3次元トランジスタ
積層化技術
z多層チップ積層
MPU
Logic
Flash
DRAM
MPU
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製品紹介 −半導体製造の根幹となる装置を提供し続けていきます−
マスク描画装置
回路設計
z先端リソグラフィー関連製品
マスク検査装置
9
9半導体微細化をリードする先端マスク
半導体微細化をリードする先端マスク
描画装置と検査装置
描画装置と検査装置
マスク製造
9
9先端マスク描画・検査に対応
先端マスク描画・検査に対応
携帯音楽端末
自動車
薄型テレビ
ウェーハ
製造
ウェーハ
プロセス
エピタキシャル
成長装置
組立
/テスト
zウェーハ基板製品
9
9パワー半導体向け
パワー半導体向け
厚膜エピ基板
厚膜エピ基板
9
9CMOS用薄膜エピ基板
CMOS用薄膜エピ基板
zウェーハプロセス用選択エピ製品
半導体
完成品
最終製品の
アセンブリ
z DRAM
z MPU
z NAND Flash
z IGBT
z システムLSI
z MCU
・
・
最終製品の
完成品
パソコン
DVD
プレーヤー
携帯電話
最終製品メーカー
9
9SJ−MOS
SJ−MOS
9
9S/D用SiGe
S/D用SiGe
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マスク描画装置の概要 −微細化、複雑化するパターンに的確に対応−
マスク(LSIの原版)の利用イメージ
マスク描画装置の構造イメージ
マスクの拡大イメージ
電子銃
収束レンズ
第1成形アパーチャ
成形偏向器
投影レンズ
第2成形アパーチャ
OPC概念図
マスク上の
パターン
露光後のパターン
副偏向器
主偏向器
対物レンズ
OPC
なし
OPC
※
※光近接効果補正(Optical Proximity Correction)
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マスク
ステージ
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マスク検査装置の概要 −透過反射同時検査による検査効率の大幅向上−
マスク検査装置の構造イメージ
光源レーザ
(257/199nm) 反射光学系
マスク
制御系
ホストCPU
透過光学系
比較検査処理
参照データ処理
測長レーザ
設計データ
ステージ
対物レンズ
(透過光撮像データ)
データ展開・
参照回路
(反射光撮像データ)
A
センサデータ(参照)
A
センサデータ
Die-to-Die検査
マスク上の同一パターンを比較
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比較回路
欠陥
A
設計データ(参照)
Die-to-Database検査
マスク上のパターンと設計データを比較
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マスク関連事業の戦略:トータルソリューション提供
マスク製造
レイアウト設計
描画
検査
リソグラフィー
マスク製造における
トータルソリューションを提供
描画・検査データ 共通データ処理に
よる生産性向上 マスク検査装置
(共通)
マスク描画装置
描画
装置
装置パラメーター
検査
装置
パラメータ相互利用による、描画・検査品質の向上⇒マスク品質向上
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エピタキシャル成長装置の概要 −高反応効率・高速成長を実現−
z Si(シリコン)結晶基板上に結晶膜を成長させる
z エピタキシャル層は結晶欠陥が圧倒的に少ない
z 不純物を添加して電気抵抗値を調整できる
高速回転による気相エピタキシャル成長法
ガス供給
方向↓
方向↓
境界層:薄く、均一
裏面
~1500rpm 加熱
z高いガス利用効率、速い反応速度で、均一なエピタキシャル膜を成長させます。
z選択エピにおいてマイクロローディング効果の低減が可能となります。
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グローバルに展開する事業展開網
z先端半導体メーカーが集積する地域にサービス拠点を展開しています。
ドイツ
米国
韓国
日本
研究開発拠点
台湾
本社 (横浜市港北区)
管理・営業マーケティング機能
東京
サービスオフィス
横浜事業所(横浜市磯子区)
大阪
研究開発・マスク検査装置事業
沼津事業所(沼津市)
マスク描画装置、エピタキシャル成長装置事業
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2008年3月期決算概況
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事業概況
• 事業環境
z 前期より続いた半導体微細化投資により、期初においては事業環境は好調に推移しましたが、半導体市況の低
迷、一部ロジック半導体の次世代量産化の遅延などにより顧客の設備投資の見送りや先送りが行なわれた結果、
全般的に厳しい事業環境となりました。
• マスク描画装置
z EBM-6000(45nm対応)を主力として営業活動を進めましたが、当初計画目標は未達成となりました。
z 市場シェアは、70%に増加しました。(当社調べ)
z 次世代描画装置EBM-7000(32nm対応)の量産試作機を2008年3月に売上。2009年からの本格販売を計画していま
す。
• マスク検査装置
z 装置の最終開発調整が完了し、量産試作機であるNT-5000(λ=199nm)を2008年3月に売上し、顧客先にて最先端検
査機として順調に稼動しています。
z 量産機販売の当初計画目標は未達成となりました。
z 2009年3月期での事業の本格立上を目指し、顧客による装置デモ評価を積極的に展開しました。
• エピタキシャル成長装置
z 売上は、EGV(縦型気相成長装置)が中心となりました。中国市場への本格的な販売を開始できました。
z HT(高速回転型枚葉式気相成長装置)は、前期に納めた装置を用いた顧客との共同評価が進展しました。
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決算概況
• 受注高は前期比53.8%減少の12,899百万円
9 メモリー半導体の長引く価格低迷、一部ロジック半導体の次世代量産化の遅延などにより、
半導体メーカーやマスクメーカーにおける設備投資の見直しや先送りが行なわれ厳しい状況
• 売上高は前期比12.9%減収の20,083百万円
9 主力のマスク描画装置の計画未達
9 マスク検査装置は開発の遅れによる計画未達
• 設備投資は前期比74.6%増の2,940百万円
9 横浜事業所開設
• 研究開発費は同7.6%増の2,423百万円
9 マスク検査装置の開発費増
• 営業利益は前期比65.8%減益の821百万円、経常利益は同76.4%減益の516百万円
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14
計画と実績の差異
【売上高】
【営業利益】
【経常利益】
【当期純利益】
期初計画比 △27.4%
期初計画比 △74.9%
期初計画比 △82.4%
期初計画比 △94.0%
+3.4%
修正計画比 +26.6%
修正計画比
+0.4%
(百万円)
30,000
修正計画比
+2.6%
(百万円)
4,000
27,673
修正計画比
(百万円)
(百万円)
4,000
4,000
3,271
20,000
20,000
20,083
2,937
3,000
3,000
3,000
2,000
2,000
2,000
1,000
1,000
1,682
10,000
1,000
800
821
500
516
80
0
0
期初
修正
計画
計画
(07.5.14) (08.3.14)
期末
実績
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0
期初
修正
計画
計画
(07.5.14) (08.3.14)
期末
実績
101
0
期初
修正
計画
計画
(07.5.14) (08.3.14)
期末
実績
期初
修正
計画
計画
(07.5.14) (08.3.14)
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期末
実績
15
業績概要
2007年3月期
通期
増減
2008年3月期
構成比(%)
(百万円)
通期
構成比
金額
増減率
(百万円)
(%)
(百万円)
(%)
△15,040
△53.8
100.0
△2,979
△12.9
7,954
39.6
△542
△6.4
10.4
821
4.1
△1,577
△65.8
2,192
9.5
516
2.6
△1,675
△76.4
当期純利益
1,140
4.9
101
0.5
△1,039
△91.1
EPS(円)
12,673.29
-
1,019.35
-
12,011
-
4,883
-
受注高
27,939
-
12,899
-
売上高
23,062
100.0
20,083
売上総利益
8,497
36.8
営業利益
2,398
経常利益
受注残高
Do Not Copy / Do Not Distribute
-
-
△7,127
21 May, 2008
△59.3
16
受注高・受注残高
(百万円)
30,000
27,939
25,000
12,748
20,000
15,000
8,234
12,899
10,468
10,000
12,011
6,357
7,190
15,192
5,903
5,000
9,376
合計
受注高(下期)
受注高(上期)
期末受注残高
18,371
17,610
4,883
7,904
6,542
0
05/3期
Do Not Copy / Do Not Distribute
06/3期
07/3期
08/3期
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17
製品別受注高・製品別受注残高
zマスク描画装置(百万円)
30,000
20,000
24,081
16,908
10,000
受注高(下期)
17,106
11,018
6,840
5,775
受注高(上期)
9,227
3,616
0
zマスク検査装置(百万円)
3,000
期末受注残高
2,638
2,121
2,000
1,000
0
zエピタキシャル成長装置(百万円)
3,000
2,000
1,000
1,738
1,179
702
1,032
668
334
128
574
325
86 16
691
0
05/3期
Do Not Copy / Do Not Distribute
06/3期
07/3期
08/3期
21 May, 2008
18
製品別売上高・営業利益率
(百万円)
30,000
(百万円)
3,000
エピタキシャル成長装置
営業利益
営業利益率
マスク検査装置
25,000
マスク描画装置
20,000
14,315
10.4
20,083
1,008
17,083
15,000
2,500
23,062
1,403
1,811
2,000
10.4
2,389
972
1,054
1,500
2,398
10,000
19,847
4.1
16,685
15,055
1,489
500
0
0
06/3期
Do Not Copy / Do Not Distribute
07/3期
5
1,000
5,000
05/3期
10
8.9
881
329
13,103
(%)
15
08/3期
1,524
821
0
05/3期
06/3期
07/3期
08/3期
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19
地域別売上高・地域別売上高比率
(百万円)
30,000
25,000
欧米
欧米
27%
27%
欧米
アジア
国内
23,062
20,083
6,147
20,000
17,083
15,000
14,315
国内
国内
46%
07/3期 46%
売上高
23,062百万円
△60.4%
アジア
アジア
27%
27%
2,436
3,695
+38.1%
6,301
8,700
5,188
10,000
7,877
欧米
欧米
12%
12%
4,496
10,614
5,000
4,630
5,511
05/3期
06/3期
△15.7%
8,947
08/3期
売上高
20,083百万円
アジア
アジア
43%
43%
0
Do Not Copy / Do Not Distribute
国内
国内
45%
45%
07/3期
08/3期
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20
営業利益増減要因分析
(百万円)
3,000
2,398
△1,097
2,000
555
売上高減少 売上原価率
改善
1,000
9横浜事業所
開設費用(減
価償却費、支
払動力料など)
の発生
113
49
△76
△162
特許使用料 販売手数料
外注費減少
減少
増加 人件費増加
△220
△737
研究開発費
増加
821
その他販管費
増加
0
07/3期
08/3期
営業利益
営業利益
Do Not Copy / Do Not Distribute
21 May, 2008
21
損益計算書の概況
2007年3月期
金額
(百万円)
z売上総利益
2008年3月期
構成比
(%)
金額
(百万円)
構成比
(%)
増減額
(百万円)
売上高
23,062
100.0
20,083
100.0
△2,979
売上原価
14,564
63.2
12,128
60.4
△2,436
売上総利益
8,497
36.8
7,954
39.6
△542
販管費
6,098
26.4
7,133
35.5
+1,035
営業利益
2,398
10.4
821
4.1
△1,577
営業外収益
126
0.5
107
0.5
△18
営業外費用
332
1.4
411
2.0
+79
2,192
9.5
516
2.6
△1,675
特別利益
0
0.0
0.4
0.0
+0.4
特別損失
0.8
0.0
143
0.7
+142
税引前当期純利益
2,191
9.5
374
1.9
△1,817
当期純利益
1,140
4.9
101
0.5
△1,039
経常利益
Do Not Copy / Do Not Distribute
− 売上原価率は描画装置における品質改善・
生産の効率化により、 前期比2.8ポイント改善
− 売上総利益は売上の減少により、
前期比542百万円減少
z営業利益
− 販管費は販売手数料、横浜事業所関連費の
増加と研究開発強化などにより、
前期比1,035百万円増加
− 営業利益は売上総利益の減少と販管費の増
加により、 前期比1,577百万円減少
z経常利益
− 営業外収益は為替差益及び受取特許料の減
少により、前期比18百万円減少
− 営業外費用は支払利息の増加により、
前期比79百万円増加
− 収支差引後、経常利益は前期比
1,675百万円減少
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22
貸借対照表の概況
z資産の部
2007年3月期
2008年3月期
− 流動資産:前期末比1,815百万円増加
金額
(百万円)
構成比
(%)
金額
(百万円)
構成比
(%)
流動資産
26,961
87.1
28,777
83.1
+1,815
(現預金)
2,740
8.8
2,480
7.2
△259
(売上債権)
10,807
34.9
7,638
22.1
△3,168
(棚卸資産)
12,914
41.7
17,558
50.7
+4,643 z負債・純資産の部
4,009
12.9
5,851
16.9
+1,842
総資産
30,971
100.0
34,629
100.0
+3,658
流動負債
21,634
69.8
21,655
62.5
+20
固定負債
2,194
7.1
3,909
11.3
+1,714
純資産
7,141
23.1
9,064
26.2
+1,922
30,971
100.0
34,629
100.0
+3,658
固定資産
負債純資産合計
自己資本比率
Do Not Copy / Do Not Distribute
23.1
26.2
増減額
(百万円)
9 棚卸資産の増加(4,643百万円)
9 受取手形の減少(2,216百万円)
9 売掛金の減少(952百万円)
− 固定資産:前期末比1,842百万円増加
9 有形固定資産の増加(1,922百万円)
− 流動負債:前期末比20百万円増加
9 短期借入金の増加(3,500百万円)
9 支払手形の増加(195百万円)
9 買掛金の減少(2,828百万円)
− 固定負債:前期末比1,714百万円増加
9 長期借入金の増加(1,500百万円)
− 純資産:前期末比1,922百万円増加
9 新株式発行による増資資金(2,046百万円)
9 利益剰余金からの配当金支払(225百万円)
21 May, 2008
23
キャッシュ・フロー計算書の概要
(百万円)
2007年3月期
2008年3月期
増減
z営業キャッシュ・フロー : △4,508百万円
− 税引前当期純利益 営業活動による
キャッシュ・フロー
△ 239
△4,508
△4,269
投資活動による
キャッシュ・フロー
△ 403
△2,555
△2,152
(フリーキャッシュ・
フロー)
△ 642
△7,064
△6,421
財務活動による
キャッシュ・フロー
△ 189
6,804
6,993
現金及び現金同等物の
増減額
△ 831
△259
571
現金及び現金同等物の
期末残高
2,740
2,480
△259
− 売上債権の減少
+374百万円
+3,168百万円
− たな卸資産の増加 △4,785百万円
− 仕入債務の減少 △2,840百万円
z投資キャッシュ・フロー : △2,555百万円
− 有形固定資産の取得
△2,623百万円
z財務キャッシュ・フロー : +6,804百万円
− 短期借入金の増加 +3,500百万円
− 長期借入金の増加 +1,500百万円
− 新株式発行による収入 +2,029百万円
Do Not Copy / Do Not Distribute
21 May, 2008
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2009年3月期業績見通し
Do Not Copy / Do Not Distribute
21 May, 2008
25
事業環境の見通し
• 事業環境
z 前期から続く半導体市況低迷の影響により、上期についてはマスク関連設備投資は低調に推移すると見てい
ますが、下期に向けて半導体市況の回復と合わせてマスク関連設備投資は回復すると予測しています。
• マスク描画装置
z 次世代32nm対応マスク開発を可能にするEBM-6000PLUS(DP:Double Patterning対応)を本格販売し、顧
客の先端開発ニーズの先取により需要を引き出します。
z EBM-7000を2009年より本格販売します。本装置は、次世代32nm対応量産用であり、EUV露光用マスク描画も可
能になります。
z 顧客ロードマップ要求に合わせた製品投入を持続的に進めることで、今後も70%を超えるシェアの維持をはかりま
す。
• マスク検査装置
z 下期に向けた半導体市況の回復基調に合わせて、次世代マスク検査装置の選定評価が活発化しています。
z 基本性能で競合他社に比して優れているNPI-5000PLUS (λ=199nm) を次世代装置として2008年3月にリリース
し、受注獲得を目指しています。
z NPI-5000PLUS では、顧客から要望が強い「アシストパターン部検出感度緩和機能」、「装置感度設定/支援機能」
をリリースし、ユーザーフレンドリーを実現しました。
z NPI-6000 (λ=199nm ) 32nm量産/22nm開発対応装置(EUV本格対応)の2010年リリースを目指して開発中です。
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21 May, 2008
26
事業環境の見通し
• エピタキシャル成長装置
z 中国市場からはEGV(縦型気相成長装置)のリピートオーダーをすでに受けており、今期以降さらに拡大を見
込んでいます。
z HT (高速回転型枚葉式気相成長装置)は、パワー半導体向けのデモ評価や客先開発が進展し今期は量産機へ
の展開を計画しています。
z パワー半導体向けに関心を寄せていただいている顧客向けデモを中心に受注活動を強化する計画です。
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21 May, 2008
27
業績予想
2008年3月期
通期
増減
2009年3月期(計画)
構成比(%)
(百万円)
通期
構成比
金額
増減率
(百万円)
(%)
(百万円)
(%)
受注高
12,899
-
36,700
-
売上高
20,083
100.0
29,000
7,954
39.6
営業利益
821
経常利益
+23,800
+184.5
100.0
+8,916
+44.4
10,460
36.1
+2,505
+31.5
4.1
2,000
6.9
+1,178
+143.6
516
2.6
1,600
5.5
+1,083
+209.5
当期純利益
101
0.5
800
2.8
+698
+689.8
EPS(円)
1,019.35
-
8,000.00
-
4,883
-
12,600
-
売上総利益
受注残高
Do Not Copy / Do Not Distribute
-
-
+7,716
21 May, 2008
+158.0
28
業績見通し
• 受注高は前期比184.5%増の36,700百万円
9 マスク描画装置は、次世代機EBM-7000の受注が本格化
9 マスク検査装置は、NPI-5000PLUSの受注獲得を推進
• 売上高は前期比44.4%増の29,000百万円
9 マスク描画装置は、高付加価値製品EBM-7000による増収
9 マスク検査装置は、販売台数増による増収
• 設備投資は前期比40.4%減の1,751百万円
• 研究開発費は同4.1%増の2,523百万円
• 営業利益は前期比143.6%増益の2,000百万円、経常利益は同209.5%増益の1,600百万円
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21 May, 2008
29
受注高・受注残高の見通し
(百万円)
40,000
36,700
35,000
30,000
27,939
20,600
25,000
20,000
15,000
17,610
18,371
8,234
10,468
12,899
12,600
12,011
6,357
15,192
5,903
5,000
12,748
7,190
10,000
9,376
7,904
05/3期
06/3期
合計
受注高(下期)
受注高(上期)
期末受注残高
16,100
6,542
4,883
0
Do Not Copy / Do Not Distribute
07/3期
08/3期
09/3期(計画)
21 May, 2008
30
製品別受注高・製品別受注残高
zマスク描画装置(百万円)
30,000
20,000
10,000
16,908
24,081
21,000
17,106
6,840
5,775
11,018
受注高(下期)
受注高(上期)
9,227
3,616
6,200
期末受注残高
0
zマスク検査装置(百万円)
15,000
12,400
10,000
5,000
86 16
0
2,638
2,121
325
4,700
574
zエピタキシャル成長装置(百万円)
5,000
3,300
1,738
2,500
0
702 128
05/3期
Do Not Copy / Do Not Distribute
1,179
668
334
06/3期
07/3期
1,032 691
08/3期
1,700
09/3期(計画)
21 May, 2008
31
製品別売上高・営業利益率の見通し
(百万円)
(百万円)
30,000
25,000
1,403
1,811
20,000
15,000
29,000
合計
エピタキシャル成長装置
マスク検査装置
マスク描画装置
23,062
2,300
14,315
881
329
10,000
営業利益
営業利益率
2,398
2,500
8,300
20,083
2,000
1,008
17,083
972
1,054
3,000
(%)
15
2,389
1,489
2,000
10.4
10.4
10
8.9
1,524
1,500
19,847
16,685
15,055
18,400
6.9
1,000
821
5
4.1
13,103
500
5,000
0
0
05/3期
06/3期
Do Not Copy / Do Not Distribute
07/3期
08/3期
09/3期 (計画 )
0
05/3期
06/3期
07/3期
08/3期
09/3期 (計画 )
21 May, 2008
32
製品別売上高(半期比較)の見通し
(百万円)
25,000
20,500
エピタキシャル成長装置
マスク検査装置
20,000
マスク描画装置
14,978
15,000
12,957
10,000
5,000
合計
11,912
8,084
8,171
8,500
下期
上期
4,126
0
上期
下期
06/3期
Do Not Copy / Do Not Distribute
上期
下期
07/3期
上期
08/3期
下期
09/3期
(計画)
21 May, 2008
33
研究開発費、設備投資、減価償却費の見通し
設備投資
研究開発費
売上高研究開発比率
(百万円)
減価償却費
(%) (百万円)
5,000
15
5,000
横浜事業所新設
横浜事業所新設
12.1
4,000
4,000
10.3
9.8
8.9
8.7
3,000
2,253
2,000
1,480
2,423
10
2,523
1,516
2,940
3,000
2,000
5
820
1,000
1,000
309
140
0
0
05/3期 06/3期 07/3期 08/3期 09/3期
(計画)
Do Not Copy / Do Not Distribute
1,751
1,684
355
277
292
06/3期
07/3期
1,045
0
05/3期
08/3期
09/3期
(計画)
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34
マスク描画装置の取組み
シェア拡大と収益性の改善により、安定した売上高の確保と収益の拡大を目指す
研究開発への
持続的投資
新規顧客開拓
事業体制強化
Do Not Copy / Do Not Distribute
• 高性能・高品質な製品開発により高付加価値化を推進
• EBM-7000、EBM-8000の投入により高い競争力を維持
• 顧客ニーズの把握
• 新規顧客への拡販を推進
• リードタイムの短縮、原価低減把握を強化
• 品質保証・サービス体制のさらなる強化
21 May, 2008
35
マスク検査装置の取組み
市場への本格参入と拡販により、新たな成長軸とする
•
新製品投入
9 高分解能検査性能、高生産性、充実したフレンドリー機能
•
積極的な拡販
事業体制の確立
Do Not Copy / Do Not Distribute
NPI-5000PLUSの市場投入(2008年3月リリース)
NPI-6000(EUV本格対応)の2010年市場投入に向けた開発推進
• 積極的な製品プロモーション展開
• 顧客デモ評価による製品性能アピール
• 生産リードタイムの短縮、原価低減、品質保証体制の強化
• 描画装置との連携したサービス体制の充実
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36
エピタキシャル成長装置の取組み
HT2000/3000による高付加価値製品市場への本格展開を実現
既参入市場
(200mm基板エピ)
新規参入市場
(300mm基板エピ)
•
•
•
パワー半導体向けエピ基板市場をターゲット
トップシェアを目指す
強みであるプロセス性能に加え、装置の安定稼動性を強化
• 先端デバイス向け300mmプロセスエピ市場をターゲット
• 売上の伸長を目指す
• 重点顧客との共同評価により装置の量産化技術を強化
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21 May, 2008
37
NuFlare,
Beyond The Leading Edge
最先端の半導体を通じて、
半導体産業と社会、人類の発展に寄与すること。
それがニューフレアテクノロジーのビジョンです。
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本資料における注意事項等
•
本プレゼンテーション資料には、株式会社ニューフレアテクノロジーの業績、戦略、事業計画などに関
する将来的予測を示す記述および資料が記載されております。
•
これらの将来的予測に関する記述および資料は過去の事実ではなく、発表時点で入手可能な情報に基づ
き当社が判断した予測です。
•
また経済動向、他社との競合状況などの潜在的リスクや不確実な要因も含まれています。その為、実際
の業績、事業展開または財務状況は今後の経済動向、業界における競争、市場の需要、その他の経済・
社会・政治情勢などの様々な要因により、記述されている将来予測とは大きく異なる結果となる可能性
があることをご承知おきください。
【本資料及び当社IRに関するお問い合わせ先】
株式会社ニューフレアテクノロジー 総務部 IR担当
TEL 045-471-1982 FAX 045-470-7085 URL : http://www.nuflare.co.jp
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