PM200CVA060 - 三菱電機

三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PM200CVA060
フラットベース形
絶縁形
PM200CVA060
¡600V、200A 電流センス付 20kHz 対応 IGBT インバータ
¡IGBT ゲート駆動回路内蔵
¡短絡、過熱及び制御電源電圧低下の検知、
保護、エラー信号出力機能内蔵
¡22kW クラスインバータ対応
¡UL 認定済 Yellow Card No.E80276(N)
File No.E80271
用途
インバータ等モータ制御、その他電源装置
外形図
120
105 ±0.25
18.25
14.1 ±0.25 14.1 ±0.25 14.1 ±0.25
1 234
102
89.2 ±0.5
87 ±0.25
5678
9 10 1112
13 141516
V
W
14.6 ±0.3
85.2
19.5
22
A
22
24.1
33.7
34.7
24.1 –0.5
21.6
4
+1.0
12
LABEL
TERMINAL CODE
15. VNC
1. WFO
8. VVP1
2. VWPC
9. UFO
16. VN1
3. WP
10. VUPC 17. UN
4. VWP1 11. UP
18. VN
5. VFO
12. VUP1
19. WN
6. VVPC 13. NC
14. FO
7. VP
2.54 ±0.25
12.3
U
17 18 19
12
5-M5NUTS
43.57 ±0.3
N
1.1 ±0.3
4–φ5.5MOUNTING HOLES
P
15.1
7.5
12.3
7.5
単位：mm
2.54 ±0.25
2.54 ±0.25
2.54 ±0.25
3.49 ±0.25
3.49 ±0.25
φ3（4ヶ所）
C0.7
□0.64
A部詳細
A : DETAIL
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PM200CVA060
フラットベース形
絶縁形
等価回路図
FO
NC VNC WN
VN1
VN
UN
WP VWP1
VP
VVP1
UP
VUP1
VWPC WFO
VVPC VFO
VUPC UFO
Rfo
GND FO
In
VCC
GND FO
In
VCC
GND FO
In
VCC
GND FO
In
VCC
GND FO
In
VCC
GND FO
In
VCC
GND Si OUT
GND Si OUT
GND Si OUT
GND Si OUT
GND Si OUT
TEMP
GND Si OUT
Th
Rfo=1.5kΩ
N
W
V
U
P
最大定格（指定のない場合は，Tj = 25℃）
インバータ部
記号
VCES
±IC
±ICP
PC
Tj
項目
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ電流
ピークコレクタ電流
コレクタ損失
接合温度
条件
定格値
600
200
400
541
–20 ~ +150
単位
V
A
A
W
°C
条件
VUP1-VUPC, VVP1-VVPC
VWP1-VWPC, VN1-VNC 端子間
UP-VUPC, VP-VVPC, WP-VWPC
UN • VN • WN-VNC 端子間
UFO-VUPC, VFO-VVPC
WFO-VWPC, FO-VNC 端子間
UFO, VFO, WFO, FO 端子
シンク電流値
定格値
単位
20
V
20
V
20
V
20
mA
VD = 15V, VCIN = 5V
TC = 25°C
TC = 25°C
TC = 25°C
制御（保護）
部
記号
項目
VD
制御電源電圧
VCIN
入力電圧
VFO
エラー出力印加電圧
IFO
エラー出力電流
2
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PM200CVA060
フラットベース形
絶縁形
全システム
記号
項目
電源電圧自己保護範囲
VCC(PROT)
（短絡）
VCC(surge) 電源電圧（サージ）
TC
動作モジュール温度
Tstg
保存温度
Viso
絶縁耐力
定格値
条件
VD = 13.5 ~ 16.5V，インバータ部
Tj = 125°C スタート
P-N端子間，サージ及び非動作時
正弦波60Hz，充電部 - ベース間，AC１分間
単位
400
V
500
–20 ~ +100
–40 ~ +125
2500
V
°C
°C
Vrms
電気的特性（指定のない場合は，Tj = 25℃）
インバータ部
記号
測定条件
項目
VCE(sat)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VD = 15V, VCIN = 0V, IC = 200A
VEC
ton
trr
tc(on)
toff
tc(off)
FWDi 順電圧降下
–IC = 200A, VD = 15V, VCIN = 5V
スイッチング時間
VD = 15V, ICIN = 0V↔5V
VCC = 300V, IC = 200A
Tj = 125°C
（上−下アーム）誘導負荷
ICES
コレクタ・エミッタ遮断電流
VCE = VCES, VD = 15V
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25°C
Tj = 125°C
規格値
最小標準最大
2.80
—
2.35
3.05
—
2.55
3.30
—
2.20
2.1
0.4
0.8
0.3
—
0.2
1.1
—
0.3
2.9
—
1.8
1.2
—
0.6
1
—
—
10
—
—
単位
V
V
µs
mA
制御（保護）
部
記号
項目
測定条件
ID
回路電流
Vth(ON)
Vth(OFF)
SC
toff(SC)
OT
OTr
UV
UVr
IFO(H)
IFO(L)
tFO
入力オンしきい電圧
入力オフしきい電圧
短絡保護トリップレベル
短絡電流遮断遅れ時間
–20 < Tj < 125°C, VD = 15V
VD = 15V
過熱保護
ベース板温度を検知, VD = 15V
電源電圧低下保護
Tj < 125°C
エラー出力電流
VD = 15V, VCIN = 5V
VN1 = VNC
VXP1 = VXPC
UP-VUPC, VP-VVPC, WP-VWPC, UN • VN • WN-VNC 端子間
トリップレベル
リセットレベル
トリップレベル
リセットレベル
（注1） VD = 15V, VFO = 15V
エラー出力パルス幅（注1） VD = 15V
規格値
最小標準
最大
40
—
55
13
18
—
1.5
1.2
1.8
2.0
2.3
1.7
—
310
—
—
10
—
111
118
125
—
100
—
11.5
12.0
12.5
—
12.5
—
—
—
0.01
—
10
15
1.0
1.8
—
単位
mA
V
A
µs
°C
V
mA
ms
（注1）エラー出力は，短絡保護・過熱保護・制御電源電圧低下保護のとき出力する。（出力はパルス）
過熱保護のエラー出力は，下アームのみに対応。
過熱保護・制御電源電圧低下保護は，エラー出力パルス幅以上，基準レベルを越えた時間，エラー出力する。
3
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PM200CVA060
フラットベース形
絶縁形
熱抵抗
記号
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
Rth(c-f)
項目
接合・ケース間熱抵抗
接触熱抵抗
測定条件
IGBT（１／６モジュール）
FWDi（１／６モジュール）
ケース・フィン間，熱伝導性グリース塗布（１モジュール）
規格値
最小標準最大
0.231
—
—
0.35
—
—
0.025
—
—
単位
°C / W
機械的定格・特性
記号
—
—
—
項目
締付けトルク強度
締付けトルク強度
重量
測定条件
取付け部ネジ ; M5
主端子ネジ ; M5
規格値
最小標準最大
3.0
3.5
2.5
3.0
3.5
2.5
730
—
—
単位
N•m
N•m
g
推奨使用条件
記号
VCC
VD
VCIN(ON)
VCIN(OFF)
tdead
fPWM
4
項目
インバータ部電源電圧
制御部電源電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
上下アーム休止時間
PWM制御入力周波数
測定条件
P-N 端子間
VUP1-VUPC, VVP1-VVPC, VWP1-VWPC, VN1-VNC 端子間
UP-VUPC, VP-VVPC, WP-VWPC
UN • VN • WN-VNC 端子間
IPM入力信号
IPM入力信号，正弦波PWM制御
推奨値
< 400
15 ± 1.5
< 0.8
> 4.0
> 2.5
< 20
単位
V
V
V
µs
kHz
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PM200CVA060
フラットベース形
絶縁形
15V
200
VD = 17V
13V
100
0
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE (sat) (V)
Tj = 25°C
VCIN = 0V
0
1
2
3
4
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VD = 15V
VCIN = 0V
4
3
2
1
0
0
40
120
160
スイッチング特性
（代表例）
101
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IC = 200A
VCIN = 0V
5
5
3
2
1
3
2
toff
100
ton
7
5
tc(off)
3
2
12
14
16
18
10–1 1
10
20
tc(on)
2
3
5 7 102
2
3
制御電源電圧 VD (V)
コレクタ電流 IC (A)
ダイオード部順方向特性
（代表例）
ダイオード部逆回復特性
（代表例）
2
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VD = 15V
VCIN = 15V
3
2
102
7
5
3
lrr
7
5
3
3
2
2
101
trr
7
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
3
2
1
2
3
エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
4
100
7
5
2
0
5 7 103
2
102
逆回復電流 lrr (A)
7
5
240
Tj = 125°C
VCC = 300V
VD = 15V
誘導負荷
7
4
0
10
200
コレクタ・エミッタ間飽和電圧−
制御電源電圧特性
（代表例）
6
101
80
コレクタ電流 IC (A)
103
コレクタ逆電流ーIC (A)
5
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
スイッチング時間 (µs)
コレクタ電流 IC (A)
300
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
101
2
3
5 7 102
10–1
7
逆回復時間 trr (µs)
出力特性
（代表例）
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE (sat) (V)
定格特性図
VCC = 300V 5
VD = 15V
3
誘導負荷
2
2 3
5 7 103
コレクタ逆電流ーIC (A)
5
三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉
PM200CVA060
過渡熱インピーダンス特性
（IGBT１素子当り）
101
7 Single Pulse
5
3 基準値 = Rth(j – c)Q = 0.231°C/W
2
100
7
5
3
2
10–1
7
5
3
2
10–2
7
5
3
2
10–3 –3
10 2 3 5 710–2 2 3 5 710–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101
時間 (s)
6
過渡熱インピーダンス Zth (j – c)（正規値）
過渡熱インピーダンス Zth (j – c)（正規値）
フラットベース形
絶縁形
過渡熱インピーダンス特性
（FWDi１素子当り）
101
7 Single Pulse
5
3 基準値 = Rth(j – c)F = 0.35°C/W
2
100
7
5
3
2
10–1
7
5
3
2
10–2
7
5
3
2
10–3 –3
10 2 3 5 710–2 2 3 5 710–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101
時間 (s)
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動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、
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