形
EE-SY313/EE-SY413 フォト･IC出力型フォト･マイクロセンサ［反射形］
■外形寸法
（単位：mm）
0.7
G
A
V
K
●
2.5
O
1.25
2±0.2
受光素子と増幅回路を1チップに内蔵
受光素子に温度補償回路を内蔵
● インサート成形による小型反射形センサ
形EE-SY310/EE-SY410に防塵カバーを付加
● 電源電圧DC4.5∼16Vまで適用可能
● C-MOS、TTLに直結可能
● しゃ光時ONタイプ：EE-SY313
● 入光時ONタイプ ：EE-SY413
●
12±0.2
5-0.5
1.25
■特徴
2 6.2±0.2
15.2±0.2
2.5
6±0.2
2.4
■絶対最大定格（Ta＝25℃）
項 目
15∼18
フ
ォ
ト
・
マ
イ
ク
ロ
セ
ン
サ
-
E
E
S
Y
3
1
3
／
S
Y
4
1
3
17∼24
V
K
O
A
G
順
電
逆
電
パ ル ス 順 電
電 源 電
受 出 力 電
光
側 出 力 電
出 力 許 容 損
動
作
温
保
存
温
は ん だ 付 け 温
発
光
側
内部回路
指定なき寸法公差は下表とする。
端子記号
名 称
寸 法 区 分
A
アノード
３以下
K
カソード
３を越え６以下
±0.375
V
電源
（Vcc）
６を越え10以下
±0.45
O
出力
（OUT）
10を越え18以下
±0.55
G
グランド（GND）
18を越え30以下
±0.65
公 差
±0.3
流
圧
流
圧
圧
流
失
度
度
度
記 号
定格値
IF
VR
I FP
VCC
VOUT
I OUT
POUT
Topr
Tstg
Tsol
50 ＊1
4
1 ＊2
16
28
16
250 ＊1
−40∼＋65
−40∼＋85
260 ＊3
単位
mA
V
A
V
V
mA
mW
℃
℃
℃
＊1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧く
ださい。
＊2 パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
＊3 はんだ付け時間は10秒以内
■電気的および光学的特性（Ta＝25℃）
項 目
記号
順
電
圧
発
光 逆
電
流
側
ピーク発光波長
特 性 値
単位
条 件
MIN.
TYP.
MAX.
VF
――
IR
λP
――
1.5
10
――
1.2
0.01
920
――
V
μA
nm
ローレベル出力電圧
VOL
――
0.12
0.4
V
VCC＝4.5∼16V，IOL＝16mA
しゃ光時（EE-SY313）
入光時 （EE-SY413） ＊1＊2
受
光 ハイレベル出力電圧
側
VOH
15
――
――
V
VCC＝16V，RL＝1kΩ
入光時 （EE-SY313）
しゃ光時（EE-SY413） ＊1＊2
I CC
λP
――
10
――
3.2
870
――
mA
nm
VCC＝16V
VCC＝4.5∼16V
I FT
――
10
20
mA
VCC＝4.5∼16V
ΔH
――
17
――
f
50
――
――
tPLH
――
3
――
――
20
――
消
費
電
流
ピーク分光感度波長
出力オフ時LED電流
出力オン時LED電流
ヒ ス テ リ シ ス
応
答
周
波
数
応 答 遅 れ 時 間
(tPHL)
応 答 遅 れ 時 間
(tPLH)
244
tPHL
IF＝20mA
VR＝4V
IF＝20mA
VCC＝4.5∼16V
CC＝4.5∼16V
P.P.S V
IF＝20mA，IOL＝16mA
VCC＝4.5∼16V
μs IF＝20mA，IOL＝16mA
VCC＝4.5∼16V
μs IF＝20mA，IOL＝16mA
％
EE-SY313/EE-SY413
＊1 入光時とは､I F ＝20mAにて､反射率90％白色紙､検出距離d＝
4.4mmの状態です
（dはセンサ上面から反射物までの距離です）。
＊5 応答遅れ時間の定義は下図のとおりです。
（tPHL）
（tPLH）
、
は形EE-SY413に適用
＊2 検出物体：反射率90％白色紙､検出距離d＝4.4mm
＊3 ヒステリシスは出力状態が反転する2つの状態における順電流の
差を百分率(％)で表したものです。
＊4 応答周波数の測定は下図の円板を回転させた場合の値です。
入力
入力
0
0
t
出力
t
0
tPLH
t
出力
t
0
tPHL
tPHL
tPLH
φ200mm
15mm
15mm
形EE-SY313
形EE-SY413
15mm
4.4mm
■定格・特性曲線
注.（ ）内は形EE-SY413に適用
図1. 順電流―出力許容損失の温度定格図
(
順 60
電
流
IF
mA
50
)
図2. 順電流―順電圧特性（TYP.）
順 60
電
流
IF
︵
mA
50
︶
図3. 出力オン（オフ）時LED電流―電源電圧特性（TYP.）
L 7
E
D
電 6
流
FT
I mA
5
Ta＝＋25℃
150
30
20
100
20
VCC
RL
OUT
VOUT
IFT OFF(IFT ON)
GND
Ta＝＋70℃
30
ICC
4
3
IFT ON(IFT OFF)
2
50
10
0
-40
-20
0
20
10
0
60
80
100
周囲温度Ta（℃）
40
1
0
0
図4. 出力オン（オフ）時LED電流―周囲温度特性（TYP.）
L 7
E
D
電 6
流
I FT
mA
5
VCC＝5V
RL＝330Ω
(
)
IFT OFF(IFT ON)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
図5. ローレベル出力電圧―出力電流特性（TYP.）
ロ 1
ー
レ
ベ
ル
出
力
電
圧 0.1
V OL
V
Ta＝25℃
VCC＝5V
IF＝0mA（20mA）
2
4
6
8
10
12
14
電源電圧VCC（V）
図6. ローレベル出力電圧―周囲温度特性（TYP.）
ロ
ー
レ
ベ
ル
出
力
電
圧
V OL
V
(
(
0.2
VCC＝5V
IF＝0mA（20mA）
VCC
IOL
0.18
RL
OUT
VOL
0.16
GND
0.14
0.12
IOL＝16mA
)
)
4
0
1.4 1.6 1.8
順電圧VF（V）
E
E
S
Y
3
1
3
／
S
Y
4
1
16 3
0.1
3
0.08
IFT ON(IFT OFF)
0.01
2
IF
ICC
0.06
VCC
VCC
RL
1
IOL
OUT
GND
0.001
-40
-20
0
20
40
60
80
周囲温度Ta（℃）
1
図7. 消費電流―電源電圧特性（TYP.）
Ta＝25℃
IF＝0mA(15mA)
10
図8. 応答遅れ時間―順電流特性（TYP.）
)
応 40
答
遅
れ 35
時
間
t PHL 30
tPLH
μs
25
VCC＝5V
RL＝330Ω
Ta＝25℃
IF
t
VOUT
(
（形EE-SX3□□）
)
tPHL
tPLH
VOUT
（形EE-SX4□□）
tPHL
2
20
1.5
15
IF＝20mA
VCC＝5V
Ta＝25℃
検出物体：
反射率90％白色紙
1
t
0.5
t
tPLH
0
tPHL（tPLH）
IF
ICC
VCC
-0.5
d2
RL
IF
1
ICC
VCC
OUT
VOUT
10
RL
OUT
VOUT
0.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
電源電圧VCC（V）
動作
-1
d1
復帰
GND
-1.5
5
tPLH（tPHL）
GND
0
10 20 30 40 50 60 70 80
周囲温度Ta（℃）
図9. 検出位置特性（TYP.）
距 2
離
d2
mm
1.5
)
(
2.5
0
-50 -40 -30 -20 -10 0
100
出力電流IOUT（mA）
(
消 4
費
電
流 3.5
CC
I mA
3
IOL＝5mA
0.02
VOL
GND
0
-60
0.04
RL
OUT
VOUT
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
順電流IF（mA）
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16 18 20
距離d（
1 mm）
245
-
40
IF
)
)
40
Ta＝25℃
RL＝1kΩ
(
Ta＝−30℃
(
300 出
力
許
容
250 損
失
P
C
mW
200
フ
ォ
ト
・
マ
イ
ク
ロ
セ
ン
サ

形EE-CF1

カタログ

形EE-SPX-W