Magnetic Semiconductor corps.

Magnetic Semiconductor corps.
2003/ 11/ 22
H. Yuasa
K. Minami
T. Nagatsuka
J. Jogo (in USA)
Dr. V. Smirnov
Purpose
・GaAs基板上にCd1-xMnxGeP2薄膜の作製
（室温で強磁性を示すものとしては世界初の薄膜！！）
Cd1-xMnxGeP2
(0≦x ≦1)
CdGeP2
GaAs substrate
MnGeP2
(x=0)
(x=1)
GaAs substrate
GaAs substrate
Cd 班
Mn 班
Sato Lab.
MBE
Pump
C.C gauge
Base pressure
Substrate
3.0×10-10 Torr
Flux monitor
Growth temperature
REED
Mn:450～550℃
Screen
Cd:200℃前後
TBP (Gas)
Cd
Mn
Ge
(Solid)
Sato Lab.
EDX (Mn)
Mn
Ge
P
0.99 1.00 2.67
Sato Lab.
EDX (Cd)
Cd
Ge
P
0.68 1.00 2.62
Sato Lab.
Intensity (cps)
1000000
???
XRD
(Mn)
MnP?
MnGe
?
5
2
100000
5
2
10000
5
2
1000
5
2
100
5
2
10
20
30
40
50
60
70
80
2Theta (ｰ)
Sato Lab.
Intensity (counts)
XRD (Cd)
5
2
1000000
???
5
2
100000
5
2
10000
5
2
1000
5
2
100
5
63.5
64.0
64.5
65.0
65.5
66.0
66.5
67.0
67.5
68.0
68.5
69.0
2Theta-Omega (ｰ)
Sato Lab.
Plan
・組成比
・ XRDのデータ解析
（リートベルト解析）
・基板の影響（InP…)
・ラマン分光測定,TEM
Sato Lab.
おわり
Sato Lab.
Mn:Ge:P
Growth
Deposition
temperature time
0.85:1.00:1.05
450℃
150 min
0.81:1.00:1.11
550℃
90 min
1.11:1.00:1.17
415℃
180 min
0.99:1.00:1.17
500℃
120 min
1.72:1.00:2.99
415℃
180 min
Sato Lab.

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