スライド 1

林田清、鳥居研一、並木雅章、白庄司貴之、東海林雅幸、勝田哲、宮田恵美、常深博 (阪大理),
堂谷忠靖、尾崎正伸 、村上弘志、市川喜徳、森尾一徹、狐塚正樹(JAXA)、
鶴剛、松本浩典、中嶋大、小山勝二(京大理), 北本俊二(立教大理)、粟木久光(愛媛大理)、
幸村孝由(工学院大), M.Bautz, S.Kissel, R.Foster, G.Ricker(MIT) 他 AstroE2-XISチーム
XISの構成:4台の望遠鏡
の焦点面におかれるCCDカ
メラとアナログエレクト
ロニクス(AE)、デジタル
エレクトロニクス(DE)
XRT
DE
PPU
to DP
MPU
PPU
Bonnet
AE/TCE
Base
Sensor
CCD素子=CCID-41
Pixel Size:24mmx24mm
Format:1024x1026pixel
Frame Transfer
Front side illuminated
XISの特徴
–7keV以上でXMMを凌駕す
る大面積
–高エネルギー分解能の
XRSとの同時観測(XRS後
には唯一のソフトX線検
出器)
–HXDとオーバーラップす
るエネルギーバンド
Astro-E1号機用XISからの主な変更点
–CCID17→CCID41
電荷注入機構と電荷転送効率測定用注入パターン
•電荷注入機構の新規導入
•基盤の厚み増加、表面BPSG層の追加
Input
gate S3 S1 S2 S3
S3 S1 S2 S3
Input
diode
–CCD保持機構の改良
–較正用線源の追加
Input Input
diode gate S3
SCP
IA1
IA1
IA2
IA2
IA3
IA3
Charge-injection
register
S1 S2
Fill
Spill
Imaging
region
Clock
overlap
CCD素子の変更点
1フレームあたり4ピク
セルおきに4列電荷を注入
した場合
S3 transition
Frame-store
region
S3
closed
Readout
register
CCD保持機構の改良
MIT-LL CCID41 CCD
with Charge Injection
較正用線源1個→3個
Alumina
Substrate
ドア開け前
Window
ドア開け後
Door
Hinge
Flexprint
Torlon Standoffs
Au coated Cu Heatsink
Calibration
source
Bonnet
Calibration source
Optical blocking filter
CCD
(imaging region)
FM S2カメラの軟X線較正試験
@阪大 2004年1月
55Fe照射のX線スペクトル
測定例(CCD温度-90℃)
*)平行して京大でも較正試験が行われている
FM S2カメラ segmentD
Grade02346
FWHM=130eV at 5.9keV
Readout noise=2.5eGain=3.785ev/ADU
Counts
一次噛み合わせ試験前の4台同
時動作試験
@宇宙研 2003年8月
PH (ADU)