４・３半導体の抵抗率 ４・３・１抵抗率の誘導 • 電流密度＝キャリヤ電荷密度×速度 ＝キャリヤの電荷×キャリヤ密度×速度 ＝ｅ×キャリヤ密度×移動度×電界 ＝導電率×電界 • 導電率＝電荷×キャリヤ密度×移動度＝１／抵抗 率 ４・３・２半導体の抵抗率の不 純物濃度依存性 • • • • 不純物が多い キャリヤ電荷密度が高い 抵抗率は低くなる 実際には移動度も影響を受ける。 ４・３・３半導体の抵抗率の 温度依存性 • 真性半導体の場合 キャリヤ密度（価電子帯からのみ、不純物はない） 移動度（格子散乱移動度のみ、不純物散乱はない） • 不純物半導体の場合 キャリヤ密度（価電子帯、不純物準位から） 移動度（格子散乱、不純物散乱） • 導体 キャリヤ密度は一定 移動度（格子散乱のみ） 演習問題 • GeにSbをとかしてｎ形半導体を作った。Sbは一様に 分布し全てイオン化しているものとする。電子密度と 抵抗率を求めよ。但し以下の条件とする。 Geの質量=0.1kg Sbの質量=3.22×10-9kg Geの原子量=72.6 Sbの原子量=121.76 Geの密度=5.327x103 kg/m3 Ge 中での電子の移動度=0.36 m2/(V・s)
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