プログラム - 九州工業大学

九州表面・真空研究会 2015
(兼) 第 20 回九州薄膜表面研究会)
「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」
平成 27 年 6 月 13 日(土)於 九州工業大学 戸畑キャンパス
( 9:55-10:00)
開会の挨拶
1.(10:00-10:15)
SiC(0001)表面上に成長したゼロ層グラフェンへのパラジウムインターカレーション
福大工
柳生数馬、栃原 浩、友景 肇、鈴木孝将
2.(10:15-10:30)
Cu 表面上の単層グラフェンの成長とモアレ模様
福教大物理 A、九大院総理工 B
丸谷雄太 A、○三谷 尚 A、吾郷浩樹 B、水野清義 B
3.(10:30-10:45)
HWCVD 法により堆積した SiCN/Si(100)の熱処理による電気的特性の向上
○
九工大院工
林田祥吾、井上洋平、和泉 亮
4.(10:45-11:00)
Si 基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマ CVD 法による合成
●
九工大院生命体 A、宇部高専 B、九州共立大総研 C
首藤大輝 A、内藤正路 A、
碇 智徳 B、長井達三 C、生地文也 C
5.(11:00-11:15)
6H-SiC(0001)再構成表面上における Cs 吸着による酸化の影響
●
宇部高専 A、広島大学 B、九工大院生命体 C
中村拓人 A、村岡幸輔 B、平山 楓 A、
A
A
東堂大地 、松尾航平 、石井純子 C、内藤正路 C、碇 智徳 A
6.(11:15-11:30)
Cs 吸着したグラファイト表面における電子状態の観測
●
宇部高専 A、広島大学 B、九工大院生命体 C
梅田恭誠 A、村岡幸輔 B、植杉昌平 A、
A
濱本祥吾 、松尾航平 A、石井純子 C、内藤正路 C、碇 智徳 A
7.(11:30-11:45)
W(110)上でのワイヤー状に形成した Fe ナノ構造の作製
●
九大院総理工
竹嶋祐城、川島智幸、水野清義、中川剛志
***** 昼食
11:45-13:00 *****
8.(13:00-13:40):特別講演
ペロブスカイト太陽電池の高効率化と電荷注入界面の構造
九州工業大学
9.(13:40-13:55)
イオン注入による CVD ダイヤモンド膜への Si-V センターの導入
九工大院工 A、(株)長町サイエンスラボ B
●
○
尾込裕平、早瀬修二
小副川裕太 A、中尾 基 A、
坪田敏樹 A、長町信治 B
10.(13:55-14:10)
イオンビーム照射による機能性炭素膜の形成
九工大院工 A、(株)長町サイエンスラボ B
●
浦田忠宜 A、中尾 基 A、長町信治 B
11.(14:10-14:25)
BCC(112)基板上 Fe および Co の表面構造解析と磁性
●
九大院総理工
髙村 優、山口功介、水野清義、中川剛志
***** 午後の休憩 1
14:25-14:40 *****
12.(14:40-15:20):特別講演
二次元合金の創製とヒューム・ロザリー則
名古屋大学
柚原淳司
13.(15:20-15:35)
プラズマスパッタリング法によるトポロジカル絶縁体 BiSb 薄膜の作製と特性評価
●
九工大院工
池田健太、白水裕一、孫
勇
14.(15:35-15:50)
機械的特性によるリチウムイオン電池正極劣化機構の評価
●
九工大院工
野下 剛、畠 祥悟、保田周二、孫
勇
15.(15:50-16:05)
結晶性 Gd3N@C80 フラーレンの電気的特性評価
九工大院工
***** 午後の休憩 2
●
瀬在丸弘喜、孫 勇
16:05-16:20 *****
16.(16:20-17:00):特別講演
超高真空中での SiC 上への Si4O5N3 層の作製と電界放出 LEED 装置の開発
九州大学
水野清義
17.(17:00-17:15)
全固体リチウム電池の酸化物電解質/電極界面におけるイオン伝導特性
○
東北大 AIMRA、同志社大研究開発推進機構 B
白木 将 A、春田正和 B、鈴木 竜 A、
清水亮太 A、河底秀幸 A、一杉太郎 A
18.(17:15-17:30)
HREELS による Au(111)上のコロネンの構造および熱的構造変化の解析
熊本大院自然科学 A、熊本大院先導機構 B、熊本有機薄膜技術高度化支援センターC、東大院工 D
○
西山勝彦 A,C、原田浩志 A、吉本惣一郎 B,C、谷口 功 C、 山田太郎 D
19.(17:30-17:45)
二段型偏向電極付き電子レンズを用いた ARPES2次元マッピング
○
佐賀大 SL センター
高橋和敏、今村真幸、山本 勇、東 純平
(17:45-17:50)
閉会の挨拶
***** 交流会(懇親会) 18:00~
於 九工大生協 *****