物理電子システム創造専攻平成27年度前期構想・中間発表会

物理電子システム創造専攻　平成２７年度　前期構想・中間発表会プログラム　4/13
日　時　：平成27年　4月13日（月）　10:00～14:20
会　場　：大学会館2階集会室1
発表時間　修士　中間：15分（発表8分、質疑7分）　中間（進学）：18分（発表8分、質疑10分）　構想：12分（発表6分、質疑6分）
時刻
開始
終了
氏名
学年
所属研究室
種別※
10:00
10:15
馬場俊之
M2
角嶋邦之
中間
10:15
10:30
生瀬裕之
M2
菅原聡
中間
司会/時計
題目
Analysis of interface and border traps of AlGaN/GaN HEMT based on small signal response
強磁性体/TiO2/Si トンネルコンタクト型スピン注入源の作製と評価に関する研究
下田智裕/杉浦みのり
10:30
10:45
望月雅人
M2
渡辺正裕
中間
Si量子井戸サブバンド間遷移レーザの基礎研究
10:45
11:00
福井僚
M2
角嶋邦之
中間
Understanding of oxide/oxide interfaces: fixed charges and dipoles
11:00
11:15
休憩
11:15
11:30
堀田裕人
M2
半那純一
中間
結晶Ge極薄膜をシード層とするアモルファスSi膜の固相結晶化
11:30
11:45
金子将士
M2
菅原聡
中間
Si MOS反転層におけるスピン伝導の実現と評価に関する研究
望月雅人/福井僚
11:45
12:00
下田智裕
M2
筒井一生
中間
AlGaN/GaN HEMTにおける凹凸構造導入による低抵抗オーミックコンタクト形成の研究
12:00
12:15 杉浦みのり
M2
角嶋邦之
中間
Device scaling of Si IGBT for low saturation voltage
12:15
13:20
昼休み
13:20
13:35
矢野椋太
M2
半那純一
中間
溶液プロセスを用いた液晶性有機半導体積層構造の作製
13:35
13:50
宮澤遼太
M2
角嶋邦之
中間
Surface potential control process on quantum confined Si solar cells
馬場俊之/生瀬裕之
13:50
14:05 井上太一郎
M2
飯野裕明
中間
液晶性有機半導体の単結晶薄膜の作製と特性評価
14:05
14:20
M2
角嶋邦之
中間
Process dependent channel mobility analysis for scaled IGBT
宮脇彬
※修士中間発表の場合は要約（A4: 和文、英文）を提出する必要があります。
博士進学
物理電子システム創造専攻　平成２７年度　前期構想・中間発表会プログラム　4/13
日　時　：平成27年　4月13日（月）　10:00～15:03
会　場　：大学会館2階集会室2
発表時間　修士　中間：15分（発表8分、質疑7分）　中間（進学）：18分（発表8分、質疑10分）　構想：12分（発表6分、質疑6分）
時刻
開始
終了
氏名
学年
所属研究室
種別※
10:00
10:15 北川成一郎
M2
浅田雅洋
中間
10:15
10:30
M2
宮本智之
中間
押田将平
司会/時計
題目
博士進学
テラヘルツ分光のための広い周波数掃引幅を持つ共鳴トンネルダイオード発振器
高電力効率化に向けたGaAs系VCSELアレーの低熱抵抗化に関する研究
小山俊泰/青山政樹
10:30
10:45
横山雄大
M2
伊藤治彦
中間
3Ｄプリンタ造形原子ファネルにおけるエバネッセント光の表面プラズモン増強
10:45
11:00
鈴木陽平
M2
小山二三夫
中間
横方向集積による注入同期VCSELの高速直接変調に関する研究
11:00
11:15
休憩
11:15
11:30 海老原佑亮
M2
梶川浩太郎
中間
二量体金ナノ平板におけるFano共鳴
11:30
11:45
M2
浅田雅洋
中間
前川猛
低損失アンテナによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の高周波化
横山雄大/鈴木陽平
11:45
12:00
小山俊泰
M2
小山二三夫
中間
1.55μm帯Bragg反射鏡導波路によるビーム掃引デバイスに関する研究
12:00
12:15
青山政樹
M2
宗片比呂夫
中間
Spin-LEDにおける円偏光ヘリシティー高速切換え実験
12:15
13:20
昼休み
13:20
13:35
森裕之
M2
小山二三夫
中間
スローライト導波路フェーズドアレイを用いた二次元ビーム掃引に関する研究
13:35
13:50
笹子寛貴
M2
植之原裕行
中間
空間多重信号用多次元光ノードの構成法に関する研究
北川成一郎/押田将平
13:50
14:05
高橋克典
14:05
14:20 外川遼太郎
14:20
14:30
休憩
14:30
14:45
金沢亮介
M2
宗片比呂夫
中間
種々の基板に成長した結晶性Co/Pd多層膜の磁化の光誘起歳差運動
M2
梶川浩太郎
中間
フリースタンディングMIM構造の作製とシミュレーション
M2
梶川浩太郎
中間
FDTDシミュレーションを用いた円柱構造に関するクローキング
高橋克典/外川遼太郎
14:45
15:03
大島直到
M2
浅田雅洋
中間
※修士中間発表の場合は要約（A4: 和文、英文）を提出する必要があります。
高速変調可能な高出力共鳴トンネルダイオード発振器による大容量テラヘルツ無線通信
進学
物理電子システム創造専攻　平成２７年度　前期構想・中間発表会プログラム　4/14
日　時　：平成27年　4月14日（火）　13:20～15:40
会　場　：大学会館2階集会室1
発表時間　修士　中間：15分（発表8分、質疑7分）　中間（進学）：18分（発表8分、質疑10分）　構想：12分（発表6分、質疑6分）
時刻
開始
終了
氏名
学年
所属研究室
種別※
大場康平
M2
益一哉
中間
M2
筒井一生
中間
13:20
13:35
13:35
13:50 久保田俊介
司会/時計
題目
博士進学
環境情報再生による効率的データ収集可能な無線センサネットワーク構築に関する研究
ノーマリーオフ型PチャネルAlGaN/GaN MIS-HFETに関する研究
大橋匠/石川洋介
13:50
14:05
富樫祐太
M2
伊藤浩之
中間
土壌水分量の多点測定のための伝送線路プローブの研究
14:05
14:23
前田康貴
M2
大見俊一郎
中間
窒素添加LaB6界面制御層を用いた単一有機半導体CMOSに関する研究
14:23
14:40
休憩
14:40
14:52
劉安琪
M1
益一哉
構想
慣性センサ用低雑音増幅回路の設計法に関する研究
14:52
15:07
Fadliondi
M2
大見俊一郎
中間
進学
有機強誘電体クロコン酸を用いたFeOFETに関する研究
富樫祐太/前田康貴
15:07
15:22
大橋匠
M2
若林整
中間
Sputter-deposited MoS2 film for n-channel thin film transistors
15:22
15:40
石川洋介
M2
益一哉
中間
無線センサ端末のバッテリーレス化技術の研究
※修士中間発表の場合は要約（A4: 和文、英文）を提出する必要があります。
進学
物理電子システム創造専攻　平成２７年度　前期構想・中間発表会プログラム　4/14
日　時　：平成27年　4月14日（火）　13:20～15:37
会　場　：大学会館2階集会室2
発表時間　修士　中間：15分（発表8分、質疑7分）　中間（進学）：18分（発表8分、質疑10分）　構想：12分（発表6分、質疑6分）
時刻
開始
終了
氏名
学年
所属研究室
種別※
13:20
13:35
谷口寛樹
M2
小山二三夫
中間
13:35
13:50
鈴木匠
M2
伊藤治彦
中間
題目
司会/時計
博士進学
横方向結合共振器を用いた端面発光型レーザの高速直接変調に関する研究
原子センシング用ナノスリットにおける表面プラズモン近接場光増強
賀川拓用/堀田一真
13:50
14:05
鈴木崇裕
M2
植之原裕行
中間
光OFDM信号の全光デフラグメンテーション技術に関する研究
14:05
14:20
小林拓貴
M2
小山二三夫
中間
横方向結合共振器を用いた面発光レーザの横モード制御に関する研究
14:20
14:40
休憩
14:40
14:52 Hu Shanting
M1
小山二三夫
構想
Study on Transverse Coupled Cavity VCSELs for High-speed and Low-chirp Operations
14:52
15:07
M2
宮本智之
中間
森脇翔平
量子構造混晶化の高精度制御とその面発光レーザ小型化応用の研究
鈴木崇裕/小林拓貴
15:07
15:22
賀川拓用
M2
植之原裕行
中間
光非線形歪補償回路に関する研究
15:22
15:37
堀田一真
M2
伊藤治彦
中間
原子ファネルにおける中空光ビームの高効率結合
※修士中間発表の場合は要約（A4: 和文、英文）を提出する必要があります。
進学

Download Report