[PRESS RELEASE] ITGMARKETING 2015-PR002 2015 年 4 月 17 日 ITG マーケティング株式会社 3D V-NAND ターボライトテクノロジー 先 進 の 機 能 を M.2、 mSATA に 凝 縮 Samsung SSD 850 EVO M.2, mSATA シ リ ー ズ を 4 月 17 日 （ 金 ） よ り 発 売 日本サムスン株式会社（本社: 東京都港区、代表取締役: 鶴田 雅明）の販売特約店である ITG マーケティング株式 会社（本社: 東京都港区、代表取締役社長: 田中 道郎）は、SATA 3.0 インターフェース対応 SSD（Solid State Drive） として Samsung 3D V-NAND を搭載した「Samsung SSD 850 EVO M.2、mSATA シリーズ」計 7 製品を 2015 年 4 月 17 日（金）より順次発売いたします｡ Samsung SSD 850 EVO M.2 MZ-N5E120B/IT (120GB) MZ-N5E250B/IT (250GB) MZ-N5E500B/IT (500GB) Samsung SSD 850 EVO mSATA MZ-M5E120B/IT (120GB) MZ-M5E250B/IT (250GB) MZ-M5E500B/IT (500GB) MZ-M5E1T0B/IT(1TB) 新製品 Samsung SSD 850 EVO M.2 シリーズ（以下、SSD 850 EVO M.2）、Samsung SSD 850 EVO mSATA シリーズ （以下、SSD 850 EVO mSATA）は、次世代 NAND フラッシュの本命、3D V-NAND を搭載した SSD 850 EVO の先進 の機能、信頼性はそのままに超小型 M.2、mSATA 筐体に凝縮した製品です。ターボライトテクノロジーでランダムライ ト性能を大幅に向上、圧倒的な高速化を実感頂けます。パフォーマンス、省エネ性能、セキュリティに加え、5 年間の 長期保証を実現しました。 ■製品特徴 超小型、薄型機器で先進の機能、信頼性を実現するフォームファクタバリエーショ ン M.2*1 Type 2280 フォームファクタの SSD 850 EVO M.2 には 120GB、250GB、500GB の 3 つの容量モデル、mSATA フォームファクタの SSD 850 EVO mSATA には 120GB、250GB、 500GB、1TB の 4 つの容量モデルをご用意。いずれも SATA3（6Gbps）の高速転送が可能 です。 *1: PCI Express 接続 M.2 インターフェーススロットではご使用頂けません。 Page 1 of 5 [PRESS RELEASE] ITGMARKETING 微細化プロセス制限の壁を打ち破った技術「Samsung 3D V-NAND」 従来の平面 NAND フラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的 な問題の克服が極めて困難で、10nm 台プロセスが限界と言われています。 加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サ ム ス ン は セ ル を 「Vertical」、つ ま り立 体 化 し て 積 み 重 ね る こ と で 解 決 し ま し た 。3D V-NAND の垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除しま す。 ターボライトテクノロジーによる圧倒的な パフォーマンス SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA の予備領域を高速バッファとして活用 するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった 120GB∼ 250GB の低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得ら れます。パソコンであらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダ ム書き込み速度*1 は前モデル比 2 倍以上もの高速化を達成。もちろん、大容量デ ータの書き込みに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。もちろん、読み出し SATA3 インターフェース の実効速度限界値に迫るリード 540MB/s*2 を実現しました。 *1 Random Write (QD32,120GB) : (M.2)89,000IOPS (mSATA)88,000IOPS＞(840EVO)37,000IOPS、サムスン電子調べ *2 mSATA 更に進化した超高速化機能「エンハンスト RAPID モー ド」 パソコンのメインメモリの空き容量を超高速化キャッシュとして利用することで、ストレー ジ性能の大幅な向上を実現する「RAPID モード」を SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA に最適化しました。使用頻度の高いデータやアプリケーションを自動的に選別 し優先処理を行う「リードアクセラレーション」と、最大 32 個までの書込み命令の並列処 理を行う「ライトオプティマイゼーション」の基本機能はそのままに、最大メモリ使用量を 従来の 1GB から最大 4GB に拡大*1 することにより、あらゆるランダム性能において前モ デル比 2 倍の高速性能*2 を実現しました。 *1: メインメモリが 16GB の場合、4GB まで超高速化キャッシュとして利用可能。 *2: SSD 850 EVO 250GB を PCMARK7 にて測定（Raw Storage Score）。通常時: 7,500, RAPID Mode: 15,000。サムスン電子調べ 信頼の 5 年保証 新たに採用した 3D V-NAND により耐久性、信頼性が劇的に向上。2.5 インチモデ ル SSD 850 EVO 同等の 5 年間保証に加え、総書込みバイト量*1 も SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA 120GB/250GB では SSD 850 EVO 同等の 75TB を、 SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA 500GB/1TB では 150TB を保証してお ります。併せて搭載コントローラアルゴリズム最適化により、連続データ書き込み等 の過酷な条件下でもパフォーマンス低下を最小限に抑制*2。 *1 TBW=150TB は、1 日あたり約 40GB の書き込みを連続 5 年間行った容量に相当。 *2 SSD 850 EVO（250GB）と SSD 840 EVO（250GB）を同条件で 12 時間連続のランダム書込みテストを行った結果、SSD 850 EVO のランダム性能 は 4,500 IOPS と SSD 840 EVO の 3300 IOPS から 36 %向上。 さらに進化した省エネ設計 SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA の待機時消費電力はわずか 50mW。 更に、デバイススリープモード（DEVSLP）をサポート。また、DRAM キャッシュメモリ にも省エネ対応品を採用しました。 Page 2 of 5 [PRESS RELEASE] ITGMARKETING 安心のセキュリティ機能 SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA 内の全データを AES256bit で暗号 化。コントローラによるハードウエア制御のため、暗号化による速度低下がありま せん。パソコンの BIOS のパスワード設定でセキュリティ有効にする「Class 0」、 専用ソフトウエアで高度なセキュリティ設定が可能な「TCG/Opal v2」、Microsoft BitLocker®ドライブ暗号化*1 に対応した「eDrive（Encrypted Drive）」と 3 つのセ キュリティモードをご用意。用途に合わせてお選びいただけます。万が一パソコ ンを紛失した場合でもあなたの大切なデータをしっかり守ります。 *「Class 0」、「TCG/Opal v2」、「eDrive」を同時に有効にすることはできません。 *1Microsoft BitLocker®ドライブ暗号化機能は Windows® 8、Windows®8.1 および Windows Server® 2012 にてサポートされています。 ダイナミックサーマル ガード機能搭載 SSD 850 EVO M.2/SSD 850 EVO mSATA 内部に実装された温度センサー が内部温度を監視。70℃を超える異常高温環境になると転送速度を落とし、 過酷な環境下でも SSD の熱暴走とデータ破損を阻止します。 充実の専用ソフトウエア 専用データ移行ソフトウエア「Samsung Data Migration 日本語版」は、便利なカスタム クローニング機能を搭載。インテリジェントに移行データの取捨選択を行えます。 専用ユーティリティソフトウエア「Samsung Magician Software 日本語版」は、超高速化 機能 RAPID モードをはじめ、SSD のデータを完全に消去できるセキュアイレースなど、 きめ細かなコントロール機能を満載。 キーデバイスのすべてを内製し、パフォーマンスと信頼性を両立 SSD 850 EVO M.2/ SSD 850 EVO mSATA のキーデバイスである NAND フラッシュ、コントロ ーラ、ファームウェア、DRAM のすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で 開発から生産までを完結。Samsung は、この 4 つのキーデバイスを全て自社で開発、製造して いる業界のリーディングカンパニーです。 困った時には「サムスン SSD サポートセンター 」があなたをしっかりサポー ト 日本国内での日本人によるコールセンターでの電話サポートに加え、修理センター での修理対応など万全のサポート体制を敷いています。正規ユーザー様には専用 サポートサイトでコールセンター電話番号や修理品の送付先などをご案内していま す。 Page 3 of 5 [PRESS RELEASE] ITGMARKETING ■製品の主な仕様 Samsung SSD 850 EVO M.2 シリーズ MZ-N5E500B/IT MZ-N5E250B/IT MZ-N5E120B/IT 500GB 250GB 120GB 製品シリーズ 型番 ベーシックキット 容量 インターフェース (転送速度・規格値) M.2 (Type 2280) 80.15 x 22.15 x 1.5 (mm) フォームファクタ 外形寸法 （L×W×H) 7g 質量 NANDフラッシュ 搭載デバイス 4KBランダム （QD1） 4KBランダム （QD32） 6.5g 平均 最大 アイドル時 DEVSLP時 使用環境 ソフトウエア(*5) 保証・サポート Samsung 256MB Low Power DDR2 SDRAM 530MB/s 520MB/s 10,000IOPS (≒ 39MB/s) 40,000IOPS (≒156MB/s) 97,000IOPS (≒380MB/s) 89,000IOPS (≒348MB/s) 37,000 IOPS (≒144MB/s） 95,000 IOPS (≒371MB/s) 37,000 IOPS (≒144MB/s） 88,000IOPS (≒344MB/s) ○ ○ ※OSが対応している場合 ○ ○ AES 256bitフルディスク暗号化(FDE)、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive (IEEE 1667) ○ ‐ ○ 1,500G/0.5ms（Half Sine) 150万時間 3.5W 4.7W 2.4W 3.7W 2.3W 3.3W 4.3W 5.7W 50mW 3.3W 4.8W 2.3W 3.6W 2.2W 3.3W 0.103W 33mW 2mW 0℃-70℃ 温度範囲 データ移行ソフトウエア ユーティリティソフトウエア 添付品 各種取扱規格 TBW(*7) Samsung MEX コントローラ Samsung 512MB Low Power DDR3 SDRAM 500MB/s セキュリティ WWN （World Wide Name) Device Sleep Mode (DEVSLP) 消費電力 (*2) Samsung MGXコントローラ 540MB/s 読み出し 書き込み 読み出し 書き込み 読み出し 書き込み ガベージコレクション S.M.A.R.T (自己診断機能) 耐久性 120GB Samsung 1xnm級 Toggle DDR 2.0 NANDフラッシュ Samsung 1GB Low Power DDR2 SDRAM ターボライトテクノロジー TRIMサポート 耐衝撃性 MTBF（平均故障間隔） 参考(Samsung SSD 840 EVO mSATA シリーズ) 最大10g Samsung 32層 3D V-NAND フラッシュ Samsung MEX コントローラ Samsung 512MB Low Power DDR3 SDRAM キャッシュメモリ パフォーマンス (*1) 6.8g Samsung MGX コントローラ コントローラ シーケンシャル Samsung SSD 850 EVO mSATA シリーズ MZ-M5E1T0B/IT MZ-M5E500B/IT MZ-M5E250B/IT MZ-M5E120B/IT 1TB 500GB 250GB 120GB SATA3.0 (6Gb/s) ※SATA2.0 (3Gb/s) 及びSATA1.0 (1.5Gb/s) 互換 mSATA 29.85×50.80×最大3.85 (mm) Samsung Data Migration Ver2.7 (日本語対応) (*3) (*6) Samsung Magician Software Ver.4.6 (日本語対応) (*4) (*6) 保証規定＆ユーザーマニュアル (英語版) 150TB 75TB 保証期間(*7) 製品サポート Samsung Data Migration Ver2.6 (日本語対応) (*3) (*6) Samsung Magician Software Ver4.3 (日本語対応) (*4) (*6) 保証規定＆ユーザーマニュアル、Samsung SSD activatedシール 保証規定＆ユーザーマニュアル VCCI、RoHS指令準拠 150TB 75TB ‐ 3年間 5年間 Samsung SSDサポートセンターによる電話、メールサポート及び修理対応 (*1) 値はいずれも最大値です。【Samsung SSD 850 EVO M.2, mSATAシリーズ測定環境】 Intel Core i7-4790k、4.0GHｚ、8GB DDR3 SDRAM(4GB×2) 1600MHｚ, チップセット Intel Z97チップセット搭載 Windows®7 Ultimate 64ビット版 SP1 シーケンシャル性能はCrystalDisk-Mark v.3.0.3を実行し測定。ランダム性能は lomater 1.1.0を実行し測定。シーケンシャル書き込み速度はターボライトテクノロジー動作時を測定。SSDはセカンダリドライブとして使用。【Samsung SSD 840 EVOシリーズ測定環境】 Intel Core i7-3770, 3.4GHz, 4GB DDR3 SDRAM(2GB×2) 1333Mbps; マザーボード Intel 7シリーズZ77チップセット搭載Asus社製。 Windows®7 Ultimate 64ビット版 SP1。シーケンシャル性能はCrystalDiskMark v.3.0.1を実行し測定。ランダム性能はlomater 2010を実行し測定。シーケンシャル書き込み速度はターボライトテクノロジー動作時を測定。 (*2)最大値。実際の消費電力は使用環境や設定によって異なる場合があります。 (*3) 対応OS：Windows® XP SP2（32bit) 以上、 Windows®Vista(32/64bit), Windows®7(32/64bit), Windows®8(32/64bit), Windows®8.1(32/64bit)。 (*4) 対応OS：Windows®XP SP2(32bit)以上, Windows®Vista(32/64bit), Windows®7(32/64bit), Windows®8(32/64bit), Windows®8.1(32/64bit)。 RAPIDモードはSamsung SSD 850 EVO, 850 EVO M.2, 850 EVO mSATA, 850 PRO, 840 PRO, 840 EVO, 840 EVO mSATAシリーズで動作、Windows®7以降にて対応。 (*5)ダウンロードが必要です。(*6) 最新版へのアップデートが必要です。 (*7) Samsung SSD 850 EVO M.2及びmSATAシリーズの製品保証は、期間(5年間) もしくは各容量毎に定められたTBW (Total Byte Written=総書込みバイト量) しきい値に到達した日の、いずれか短い期間までとなります。 ■製品ラインアップ 製品名称 Samsung SSD EVO M.2 シリーズ Samsung SSD EVO mSATA シリーズ 容量 型番 価格 120GB MZ-N5E120B/IT オープンプライス 250GB MZ-N5E250B/IT オープンプライス 500GB MZ-N5E500B/IT オープンプライス 120GB MZ-M5E120B/IT オープンプライス 250GB MZ-M5E250B/IT オープンプライス 500GB MZ-M5E500B/IT オープンプライス 1TB MZ-M5E1T0B/IT オープンプライス Page 4 of 5 [PRESS RELEASE] ITGMARKETING ■製品情報 URL http://www.itgm.co.jp/product/ssd850evo-m.2/ http://www/itgm.co.jp/product/ssd850evo-msata/ -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------・本プレスリリースに掲載されている会社名および製品・サービス名などは、各社の登録商標または商標です。 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