CREST・さきがけ複合領域 一期生CREST中間・さきがけ終了報告会 「素材・デバイス・システム融合による革新的エレクトロニクスの創成」 次世代ナノ・エレクトロニクスの イノベーション・シーズ１６件を一堂に！ ！ 本CREST・さきがけ複合研究領域はSiデバイスの微細化の進展だけに頼らずに今後ともナノエレ クトロニクスが情報化社会基盤の向上に貢献し続け、エネルギー環境問題、少子高齢化問題、健康安全 社会の実現、インフラの老朽化など、わが国あるいはグローバルな社会的課題を解決する一助として活 用されるよう、革新的なナノエレクトロニクス基盤技術の創成を目指しています。具体的には、ナノ材料、 ナノデバイス、設計・回路、アーキテクチャ、システムなどの技術レイヤーの融合により、真のイノベー ションにつなげて実用化を見据えることによる、素材技術やデバイス技術の選別や方向性の最適化を 積極的に推進しています。本報告会では、CREST一期生の中間報告とさきがけ一期生の終了報告を させて頂きます。 日 時 会 場 平成29年1月10日（火） 9時00分∼17時55分 東京大学 駒場コンベンションホール （駒場Ⅱキャンパス 生産技術研究所総合研究実験棟（Ａｎ棟）2階） 代々木上原駅（小田急線・東京メトロ千代田線）徒歩12分／東北沢駅（小田急線）徒歩8分／駒場東大前駅（井の頭線）西口より徒歩10分／池ノ上駅（井の頭線）徒歩10分 お申し込み 参加費 https://form.jst.go.jp/enquetes/nanoele1 までお願いいたします。 無料（定員250名） ACCESS 交通案内 東北沢駅（小田急線）徒歩8分／ 至代々木上原駅 ← 代々木上原駅（小田急線・東京メトロ千代田線）徒歩12分／ ←至東北沢駅 守衛所 駒場東大前駅（井の頭線）西口より徒歩10分／ 17号館 試作工場 西門 ←至池ノ上駅 国立研究開発法人 科学技術振興機構 戦略研究推進部 ナノエレ領域担当 〒102-0076 東京都千代田区五番町７ K's五番町6F TEL : 03-3512-3531 E-mail : [email protected] 駐車場 駐車場 池ノ上駅（井の頭線）徒歩10分 お問い合わせ 正門 3号館 3号館南棟 1号館 13号館 14号館 グラウンド 生産研 研究棟 F棟 E棟 D棟 15号館 生産技術研究所 総合研究実験棟 （Ａｎ棟）2階 4号館 C棟 B棟 東門 As棟 T棟 図書館 科学技術振興機構 テニス コート 至駒場東大前駅 ← 主催： 国立研究開発法人 CREST・さきがけ複合領域 一期生CREST中間・さきがけ終了報告会 「素材・デバイス・システム融合による革新的エレクトロニクスの創成」 次世代ナノ・エレクトロニクスのイノベーション・シーズ１６件を一堂に！ ！ プログラム 挨 拶 9:00∼9:10 桜井研究総括 9:10∼10:55 強誘電体と機能性酸化物の融合による 不揮発ナノエレクトロニクス 14:15∼14:40 遷移金属内包シリコンクラスターを用いた 低消費電力トランジスタ材料・プロセスの創出 座長：知京アドバイザー 岡田 直也 9:10∼9:45 極細電荷チャネルとナノ熱管理工学による 極小エネルギー・多機能センサプラットフォーム の創製 内田 建 9:45∼10:20 極低消費電力集積回路のための トンネルMOSFETテクノロジーの構築 高木 信一 10:20∼10:55 炭素系ナノエレクトロニクスに基づく 革新的な生体磁気計測システムの創出 波多野 睦子 休 憩 11:05∼11:10 挨 拶 横山副研究総括 11:10∼12:25 13:50∼14:15 山田 浩之 CREST中間報告 10:55∼11:05 平成29年1月10日（火） さきがけ終了報告１ 座長：森村アドバイザー 14:40∼15:05 極薄ナノ金属酸化膜をもつ抵抗変化型メモリ 大野 武雄 15:05∼15:30 高いデバイス機能を有するナノスケール トポロジカル磁気テクスチャの理論設計 望月 維人 休 憩 15:30∼15:40 15:40∼17:45 さきがけ終了報告３ 座長：笹川アドバイザー 15:40∼16:05 水素終端4族単原子層を用いた 室温動作新機能素子の創成 16:05∼16:30 スピンホールエンジニアリングによる 省エネルギーナノ電子デバイスの創出 安藤 和也 11:10∼11:35 16:30∼16:55 アメーバ計算パラダイム：時空間ダイナミクス による超高効率解探索 カイラル磁気秩序を用いた スピン位相エレクトロニクスの創成 11:35∼12:00 16:55∼17:20 青野 真士 階層融合型機能的冗長化による 次世代低電力デバイス向け高信頼化設計 原 祐子 12:00∼12:25 有機・シリコン融合集積フォトニクスによる 超高速電気光学デバイス 井上 振一郎 昼 食 12:25∼13:25 13:25∼15:30 安武 裕輔 二次元原子薄膜の積層システムの創製と ナノエレクトロニクスへの展開 吾郷 浩樹 17:20∼17:45 単一電子量子回路の集積化へ向けた 基盤技術の開発 山本 倫久 17:45∼17:55 さきがけ終了報告２ 座長：福島アドバイザー 13:25∼13:50 単原子膜ヘテロ接合における 機能性一次元界面の創出とエレクトロニクス応用 宮田 耕充 戸川 欣彦 白木澤理事 閉会挨拶
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