DIODE MODULE ダイオードモジュール DF200AC80/160 • 三相全波整流 5-M5 depth 6mm ∼ 9.0 ∼ 32.0 20.0 9.0 − 11.0 10.0 22.0 11.0 23.0±0.2 11.0 23.0±0.2 3.0 3.0 1 16 6..0 0 16.0 ±0.5 ± 0..5 5 177. 117.0 7.00±0 2.0 3.0 d ＋ ／交流 電源等 ∼ ∼ ∼ ar Unit U nit 単位：mm − （Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃） ■Maximum Ratings 最大定格 Symbol Ratings 定格値 Item 項 目 VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 定格ピーク繰返し逆電圧 定格ピーク非繰返し逆電圧 単位 800 1600 V 960 1700 V Item 項 目 Ratings 定格値 Unit 単位 200 A 2280/2500 A 26000 A2s Operating Junction Temperature −40∼＋150 ℃ Tstg Storage Temperature −40∼＋125 ℃ VISO Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） 2500 V ID Output Current（D.C.） IFSM Surge Forward Current I2t 接合部温度 保存温度 50Hz/60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value 50Hz/60Hz 正弦半波 非繰返し 1サイクル 波高値 Value for one cycle of surge current 電流二乗時間積 1サイクルサージ順電流に対する値 絶縁耐圧（実効値） Mounting Torque 締付トルク強度 Terminals to case, AC 1minute 主端子ｰケース間，AC １分間 Mounting（M5） Recommended Value Terminals（M5） Recommended Value 取付 on Tj サージ順電流 三相全波整流回路 -S I2t 直流出力電流 Conditions 条 件 Three Phase full wave. TC＝106℃ ta Symbol 記号 Unit DF200AC160 DF200AC80 nd 記号 29.0 33.0 0 《用途》 • AC、DC 制御 安定化電源／ 三相交流入力整流部 ∼ 2. R 4− 《Applications》 • AC, DC Motor Drive/AVR/Switchingfor three phase rectification ＋ 5 《特長》 • 三相整流用 • 絶縁型 • 定格直流出力電流 (200A) • 最大接合部温度 150 • 17㎜ • 採用 高信頼性実現 • RoHS指令適合 6. φ 2− 《Feature & Advantages》 • Three Phase Rectifier Bridge • Isolated package • Output DC current (200A) • Tj(Max)=150 • 17㎜ Height • High reliability by unique glass passivation • RoHS directive compliance .0 11 φ 5− 21.5 3.0 • Three Phase Rectifier Bridge UL; E76102（M） 108.0±0.5 93.0±0.2 15.0 50.0±0.5 DF200AC80/160 端子 Mass 質量 推奨値 推奨値 N 記号 290 g （Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃） Item Conditions 条 件 Ratings 規定値 Min. Typ. Unit Max. 単位 20 mA Forward Voltage Drop at VRRM Tj＝150℃， VRRM 印加 IF＝200A，Inst. measurement 1.2 V Threshhold Voltage Tj＝150℃ 0.85 V Dynamic Resistance Tj＝150℃ 1.7 mΩ Junction to case 0.09 ℃/W Case to Heat sink Thermal conductivity（Silicon grease）≒7×10−3［W/㎝・℃］ 0.06 ℃/W Repetitive Peak Reverse Current VFM rt N･m （kgf･cm） 2.7（28） 標準値 項 目 IRRM V（TO） 2.7（28） Typical Value ■Electrical Characteristics 電気的特性 Symbol 1.5∼2.5 （15∼25） 1.5∼2.5 （15∼25） 逆電流 順電圧降下 閾値電圧 オン抵抗 Thermal Impedance Rth（j-c） 熱抵抗 Interface Thermal Impedance Rth （c-f） 接触熱抵抗 瞬時測定 接合部ｰケース間 ケースｰヒートシンク間 シリコングリースの熱伝導率≒7×10−3 ［W/㎝・℃］ DF200AC80/160 Maximum Forward Characteristics 550 Total Power Dissipation（W） Forward Peak Current（A） Ｔ ｊ＝25℃ 順 電 100 流 ︵ 波 高 値 10 ︶ （A） 450 400 1.4 1.6 1． 8 50 0 2.0 Output Current vs. Allowable Case Temperature Surge S Su urrg ge e Fo Forward F orrw wa arrd d Current（A） Allowable Case Temperature（℃） Ｔhree Phase 三相全波 最 140 大 許 130 容 ケ ー 120 ス 温 110 度 （℃） 20 40 60 80 100 10 1 00 0 120 12 120 0 140 14 140 0 160 16 1 60 0 180 18 1 80 0 200 200 220 2 Output pu putt C Cu Current（A） urrrre en ntt（ （A A） ） 出力電流 出力 出 力電 電流 流 ID（ （A） （A A） ） Cycle Surge Fo FForward orrw waarrdd C Cu Current urrrreenntt Rating Raattiinngg（ R （N （Non-Repetitive） Noonn--R R 3000 150 ０ d 1.2 100 サージ順電流耐量 電流 電 流耐 耐量 量〈非 〈 〈非繰り返し〉 非繰 繰り り返 返し し〉 〉 単位エレメント当たり Per One Element Ｔ ｊ＝25℃ 2500 nd サ ー ジ 2000 00 0 00 0 順 電 1500 15 1 50 00 0 流 ︵ 波 高1 10 00 00 0 1000 値 ︶ 50 5 00 0 （A） （A （ A） ）500 90 ０ 20 40 60 80 ta 100 0 100 120 140 160 180 200 20 2 00 0 220 22 2 20 0 Output Current（A） 出力電流（A） Transient Thermal Impedance ce c e ︵ ℃ ／ Ｗ 0.02 ︶ 1.0E−02 1. 1 .0 0E E− −0 02 2 N 0 1.0E−03 1 1. .0 0E E− −0 03 3 1.0E−01 1. 1.0 0E E− −0 0 1.0E＋00 Time t（s） T 時間 t（s） Junction to Case 接続部−ケース間 per one Module モジュール当たり 1.0E＋01 1.0E＋02 10 100 Time（Cycles） 通電時間（サイクル数） サージ順電流対時間 単相半波波形 Isp 100000 Surge Forward Current Isp（A） on Maximum 最大値 50Hz Surge Forward Corrent vs Time -S 過渡熱インピーダンス特性 1 60Hz t サ 10000 ー ジ 順 電 流 Isp 1000 （A） 0 t 0.368Ips 1.0 Forward Voltage Drop（V） 順電圧降下（V） 150 Isp ０． 8 出力電流対最大許容ケース温度 Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） Three Phase 三相全波 500 電 350 力 損 300 失 250 Pav 200 （W） 1 ０.6 過 0.12 渡 熱 0.1 イ ン ピ 0.08 ー ダ ン 0.06 ス θj-c 0.04 最大電力損失特性 ar １000 Output Current vs. Power Dissipation 最大順特性 τ コンデンサ放電波形 τ 0 100 1000 Time t, τ（μs） 時間 t, τ（μs） 10000 100000
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