MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. MEMS技術を用いた 流体式3軸ジャイロセンサ 立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構 教授 杉山 進 1 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 立命館大学「ナノマシンシステム技術研究センター」 におけるMEMS研究の取り組み MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)のコンセプト ナノマシンシステム技術研究センター Research Institute for Nanomachine System Technology (RINST) ナノマシンシステム技術研究センターの位置付け マイクロ機械システム工学科 MEMSプロセス技術 MEMS関連市場規模 産業界との連携 2 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 3 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. ナノマシンシステム技術研究センター Research Institute for Nanomachine System Technology (RINST) 集積化技術 マイクロ・ナノ 製造技術 設計・シミュ レーション技術 マイクロ1・ナノ材料 評価技術 CADルーム フォトルーム 電子ビーム露光装置 実験ゾーン 1350 m2 (クリーンルーム:325 m2) マイクロプロセス実験室 4 シンクロトロン放射光 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. ナノマシンシステム技術研究センターの位置付け 近畿経済産業局 産業界 工業会 21世紀COE マイクロ・ナノサイエ ンス集積化システム 研究拠点 (2002-2006) マイクロシステム技術 マイクロシステム技術 研究会(コンソーシアム) 研究会(コンソーシアム) 約60社 約60社 産官学共同プロジェクト 産官学共同プロジェクト 委託研究 委託研究 共同研究 共同研究 ナノマシンシステム 技術研究センター 学術研究高度化推進事業 学術研究高度化推進事業 オープンリサーチセンター オープンリサーチセンター 文部科学省 文部科学省 経済産業省 経済産業省 総務省 総務省 国土交通省 国土交通省 (競争的資金) (競争的資金) 5 滋賀県工業技術総合 滋賀県工業技術総合 センター センター 京都府中小企業技術 京都府中小企業技術 センター センター マイクロ・ナノ融合加工 マイクロ・ナノ融合加工 研究会 研究会 京都市産業技術研究 京都市産業技術研究 センター センター 学―学連携 学―学連携 早稲田大学 早稲田大学 ナノ理工学研究機構 ナノ理工学研究機構 総合理工学研究機構 理工学研究科 理工学部 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. マイクロ機械システム工学科 網羅する技術分野 基盤技術 デバイス技術 システム化技術 光MEMS マイクロプロセス パワーMEMS マイクロ材料 MEMSデザイン・ シミュレーション 集積化技術 バイオMEMS マイクロセンサ マイクロ実装 マイクロアクチュエータ 6 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. MEMSプロセス技術 Bulk Surface SMILE Micromachining Micromachining SR Micro Lithography & Etching Anisotropic etching Deep-RIE Wafer bonding... Sacrificial layer etching Thin film deposition Dry etching High Aspect Ratio Process LIGA process MEMS研究開発、試作、個別加工 7 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. MEMS関連市場規模 (財)マイクロマシンセンター (2007) 8 Ritsumeikan University MiNIDL 産業界との連携 Micro/Nano Integrated Device Lab. 教育研究連携プログラム(Education and R&D)の推進 企業 立命館大学 交流 研究指導者陣 ニーズ、資金、開発環境 大学教授陣 共同研究プロジェクト 社会人入学 若手研究者 研究実践指導 シーズ、知財、研究環境 社会人Drコース 連携大学院 大学院生Dr・M 施設の利用 共同研究室 連携ラボ 研究成果 新産業創出 人材育成 9 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. MEMS技術を用いた 流体式3軸ジャイロセンサ 立命館大学 杉山 進 ダオ ベト ズン ダウ バン タン 10 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 11 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. ガスレートジャイロスコープの動作原理 Gas gyroscope 角速度 温度変化 抵抗変化 ω → ⊿T → ⊿R ノズル ホットワイヤー コリオリ力 r r r maω = 2mω × V ガス流の偏向 ガス流 2 L δ ≅ω× V δ δ 12 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 流体式3軸ジャイロセンサの構成 PZTダイヤフラム Inserted PZT diaphragm Hotwires ホットワイヤー Top cap 上側キャップ Silicon frame Bottom cap 下側キャップ 13 新規性、特長 非振動型(錘や梁を 振動させない) 完全3軸検出型 ホットワイヤーが一平 面に形成できMEMSプ ロセスに適合 構造および素子の形 状・配置がフォトリソグ ラフィによって高精度 決定 Si以外の基板材料が 可能 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 3軸ジャイロスコープの動作原理 PZTダイヤフラム スペーサー オフセット gas flow hotwire Rz hotwire Rx hotwire Ry 14 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 3軸ジャイロスコープの動作原理 Z Y gas flow C hotwire R z hotwire R x hotwire R y C nozzle ノズル X (a) ノズル nozzle C-C C-C flow center 流れの中心 Y Z X Ωz (b) Ωx 15 Y (c) Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 感度・分解能 0.4 Z axis Output voltage (mV) X and Y axes 0.2 0.0 -100 感度 SFx = 3.10μV/o /s SFy = 3.10μV/o/s SFz = 0.83μV/o /s -50 0 50 100 -0.2 -0.4 Applied angular rate (deg/sec) ホットワイヤーの抵抗温度係数α = 2500 ppm/oC ホットワイヤー投入電力P = 3.4mW/hotwire 抵抗値 = 6Ω 角速度分解能 = 0.05deg/sec 16 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 対流式2軸加速度センサ 立命館大学 杉山 進 ダオ ベト ズン 17 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 対流式加速度センサの動作原理 チャンバーの幅 (W) チャンバーの高さ (H) チャンバー 温度プロファイル 加速度 V output = 熱せられた空気 αΔT 4 V input ΔT B A Heater Thermistor Hot Cool Thermistor x 熱絶縁キャビティーの幅 (d) 18 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 対流式2軸加速度センサの構成 特徴 2軸加速度検出が可能 振動する錘を用いないので耐衝撃性に優れている 線形高抵抗温度係数が望ましい(Si:低不純物濃度層) cap thermistors 19 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. サーミスタ構造の改善 従来の両端持ちビーム形とT形ビーム構造の比較 動作温度における熱応力 • 両端持ちビーム: 24MPa • T形ビーム : 2.2Mpa 熱応力を93% 低減 感度および分解能の向上 SiO2 Si Al 20 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 21 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 対流式2軸加速度センサの特性 • • • チャンバーサイズ : 5000x5000x2000µm3 キャビティー直径 : 1200µm, キャビティー深さ : 400µm ヒーター温度 : 200℃ 70 15 Output voltage (mV) Output voltage (mV) 50 5 -5 30 10 -5 -1 -10 -3 1 3 5 -30 -50 -15 -180 -120 -60 0 60 Rotation angle (o) 120 180 -70 Applied accelerometer (g) 加速度に対する出力特性 Vbridge=1V, Vheater=4.5V (or 12.5mW) 傾斜特性 – 回転角に対する出力特性 Vbridge=1V, Vheater=4.5V (or 12.5mW) 感度 : 10mV/g, 非直線性 : 0.23%, 分解能: 0.2mg at 1Hz •周波数応答 : 250Hz at -3dB 22 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. 本技術に関する知的財産権 (1) 流体式3軸ジャイロセンサ 発明の名称 出願番号 出願人 発明者 : : : : 角速度センサ 特願2007-136372 学校法人立命館 杉山 進 ダオ ベト ズン ダウ バン タン (2) 対流式2軸加速度センサ 発明の名称 出願番号 出願人 発明者 : : : : 熱感知型加速度センサ 特願2006-116634 学校法人立命館 杉山 進 ダオ ベト ズン 23 Ritsumeikan University MiNIDL Micro/Nano Integrated Device Lab. お問い合わせ先 立命館大学 理工リサーチオフィス 近藤 光行 TEL:077-561-2802(ext.6550) FAX:077-561-2811 E-mail:[email protected] 24 Ritsumeikan University
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