「次世代パワー半導体デバイス特集」

トランジスタ技術特別広告企画
2016 年 10 月号（9 月 10 日発売号）
～次世代パワーデバイスの潜在能力と実力～
「次世代パワー半導体デバイス特集」
●企画趣旨
省エネルギーが望まれる中，電力損失を低減するため電力変換に用いられるパワー半導
体のさらなる高効率化が進んでいます．その中で，物理的限界に達しつつある従来材料の
シリコン（Si）に代わる，よりパワー半導体に向いた新材料を用いた「次世代パワー半導体」
の開発が盛んになっています．
具体的には Sic（炭化ケイ素）や GaN（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ半
導体を用いた次世代パワー半導体の実用化が急速に進んでいます．
いっぽうで，読者にとって実際にデバイスを評価できる機会は少なく，まだまだ敷居が
高いのも実情です．
そこで今回，トランジスタ技術では読者に次世代パワー半導体をより身近に感じていた
だくための読者プレゼント連動型広告企画を立案しました。
つきましては，本企画趣旨並びに実施要項をご確認いただき，ご賛同いただけますよう
よろしくお願い申し上げます．
●実施要項
本広告企画は読者プレゼント連動型です．メーカ様より読者が普段は入手が難しい魅力
あるデバイスをご提供いただき，それを誌面と WEB サイトにて告知いたします．
あわせて WEB アンケートを実施し，読者の個人情報やデバイス利用の目的など，読者の
声を広告主様にフィードバックさせていただきます．
●誌面構成
・次世代パワー半導体の最新動向記事
・関連各社の製品別一覧表
・プレゼント告知ページ
・広告ページ
●ご協賛について
・費用：200,000 円（本号への広告掲載が必須です．）
・特典：応募読者の個人情報，アンケート調査＆レポート
●お問い合わせ：トランジスタ技術広告担当中元 E-mail:[email protected]

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