ポスター発表 7 月 21 日（木）16:25-17:50 ◎サブ課題Ａ：高機能半導体デバイス P-1 大規模第一原理計算による Si/Ge コアシェルナノワイヤの構造と電子状態の理解に 対する研究 Jianbo Lin（物質・材料研究機構） P-2 ナノワイヤトランジスタシミュレーションのためのランダム行列フォノンモデル 森伸也（大阪大学） P-3 次世代半導体デバイス解析のための量子流体モデル 鍾菁廣（大阪大学） P-4 AFM による Ge(111)と Si(111)表面上アドアトム交換操作の理論研究 Batnyam Enkhtaivan（東京大学） P-5 SiC/SiO2 界面の原子構造、電子状態、電子輸送特性 岩瀬滋 (筑波大学) P-6 RS-CPMD によるアモルファスシリコンの生成と構造・電子状態の解析 古川頼誉（東京大学） ◎サブ課題Ｂ：光・電子融合デバイス P-7 電子動力学シミュレーションコードの大規模並列計算機への実装と最適化 廣川祐太（筑波大学） P-8 光近接場を利用した分子の 2 倍波励起 野田真史 (分子科学研究所) P-9 時間依存密度汎関数理論による非線形光応答の時間・空間分析 植本光治（筑波大学） ◎サブ課題Ｃ：超伝導・新機能デバイス材料 P-10 分岐とテンソルネットワーク 原田健自（京都大学） P-11 蜂の巣格子キタエフハイゼンベルク磁性体 Na2IrO3 の動的性質 鈴木隆史（兵庫県立大学） P-12 多変数変分モンテカルロ法を用いたハバード模型における電荷・スピン秩序の解析 井戸康太（東京大学） P-13 第一原理に基づく非調和格子振動のスパースモデリングと熱物性計算への応用 只野央将 P-14 (東京大学) テンソルネットワーク法によるカゴメ格子量子スピン模型の磁化過程計算 大久保毅（東京大学） i ◎サブ課題Ｄ：高性能永久磁石・磁性材料 P-15 第一原理電子状態計算に基づく磁石化合物 NdFe12 および NdFe12X (X=B,C,N,O,F) のサイト間磁気結合の研究 深澤太郎（産業技術総合研究所） P-16 スピントロニクス材料界面の磁気異方性電界効果と超並列計算 小田竜樹（金沢大学） P-17 スキルミオン結晶薄膜における巨大な異常ネルンスト効果の第一原理計算 石井史之（金沢大学） ◎サブ課題Ｅ：高信頼性構造材料 P-18 繰り込みポテンシャルを用いた NiAl 二元系合金の状態図計算 佐原亮二（物質・材料研究機構） P-19 A simple PFC model derived from first principles total energy Swastibrata Bhattacharyya（横浜国立大学） P-20 Estimation of melting point and kinetic coefficient of Al-Cu alloy by molecular dynamics simulation Sankar Kumar Deb Nath（東北大学） ◎サブ課題Ｆ： 次世代機能性化学品 P-21 原子シミュレーションによるマグネシウム塑性変形解析 浦長瀬正幸（名古屋工業大学） P-22 ポリマーの物質分離機能の解析 山田一雄（大阪大学） ◎サブ課題Ｇ：共通基盤シミュレーション手法 P-23 時間依存密度行列繰り込み群法の多次元系への拡張と応用 曽田繁利（理化学研究所） P-18 繰り込みポテンシャルを用いた NiAl 二元系合金の状態図計算 佐原亮二（物質・材料研究機構） P-24 Gaussian Mixture Model による原子間ポテンシャルの構築 三宅隆（産業技術総合研究所） P-25 ダイヤモンド型量子スピン鎖 A3Cu3AlO2(SO4)4(A=K,Rb, Cs)の磁気解析 森田克洋 P-26 (東京理科大学) Combined basis sets forexcitation calculations in OpenMX codes Lee ChiCheng（東京大学） P-27 フラストレートスピン梯子系の励起ダイナミクスと磁気誘起相 杉本貴則（東京理科大学） ii P-28 第一原理電子状態計算ソフト xTAPP へのスピン軌道相互作用計算機能の実装 吉本芳英（東京大学） P-29 大規模系のための分割統治法に基づく１電子固有エネルギー計算手法の開発 山田俊介 P-30 (東京大学) Dynamical picture of spin Hall effect based on quantum spin vorticity theory 福田将大（東京大学） ◎一般 P-31 DFT コードに対する GUI 支援ツール C-Tools を用いた第一原理シミュレーション 吉澤香奈子（高度情報科学技術研究機構） iii
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