SiC ノイズ測定 (POS側)
2015.04.01-03
SiC リーク電流
2015.03.05
#5
#4
#6
#1,2,3
#4
#4
#5
#6
#4
#2,#3
#1
SiC リーク電流測定
2015.03.05
(AnodeI : アノード電流は、対数表示のため、data *(-1) の正数のみ表示)
(高崎データに合わせて、縦軸を反転)
測定2015.03.05 AnodeV : 0〜-200V ; 0.2V step
測定2015.02.19 AnodeV : 0〜-100V ; 0.2V step
-2.853E-13＠-100V
-4.032E-13＠-200V
-2.304E-13＠-100V
-1.808E-12 ＠-100V
-2.405E-12＠-200V
-4.909E-13＠-100V
測定2015.03.05 AnodeV : 0〜-200V ; 0.2V step
測定2015.02.19 AnodeV : 0〜-100V ; 0.2V step
-1.697E-12＠-100V
-2.980E-12＠-200V
-1.504E-12＠-100V
-5.193E-07＠-100V
-3.174E-06＠-200V
-7.074E-07＠-100V
-9.473E-07＠-100V
-4.979E-06＠-200V
-9.318E-07＠-100V
測定2015.03.05 AnodeV : 0〜-200V ; 0.2V step
-4.785E-07＠-100V
-7.804E-07＠-200V
測定2015.03.05 AnodeV : 0〜-200V ; 0.5V step
-5.005E-09＠-100V
-9.253E-09＠-200V
測定2015.02.19 AnodeV : 0〜-100V ; 0.2V step
-4.819E-07＠-100V
測定2015.02.19 AnodeV : 0〜-100V ; 0.2V step
-4.127E-09＠-100V
まとめ
• リーク電流の小さいSiCの方がノイズが大きい。
• リーク電流の小さいSiCは、 SiCへの印加電圧を増加しても
ノイズの大きさは、あまり変化しない。
• アノード逆電圧の増加とともにリーク電流が大きくなるSiCは、
ノイズ測定では、印加電圧とともにノイズが激減する。