NORフラッシュメモリ

新製品のご紹介:
128Mb～512Mb
KL-S/KS-S
HyperFlash™ファミリ
KL-S/KS-S = MirrorBit®技術を採用した
サイプレスの3.0V／1.8V、65nm
NORフラッシュメモリ
ハイパフォーマンス組込みシステム向けとして
業界最速のNORフラッシュファミリ
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN (MAMC, RHOE, DCN, EWOO, GHR, GMRL)
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Title 1
NORフラッシュメモリ用語
不揮発性メモリ (NVM)
電源が供給されない時でもデータを保持するメモリ
プログラムメモリ
CPU命令を高速に実行する、低遅延で高帯域幅のNVM
フラッシュメモリ
事前に定義された「1」と「0」状態をメモリセルに設定するために、電子を追加または除去してトランジスタが電流を駆動する電圧を変更
するNVM
NORフラッシュメモリ
メモリアーキテクチャとして、高速な連続アドレスアクセスではなく高速かつ低レイテンシのランダムアクセスに最適化されたフラッシュ
メモリ
MirrorBit®
サイプレスのNVMセル技術であり、セルごとに2データビットを提供するために2つの限定された電子記憶領域を備えており、効果的に
NORフラッシュメモリの容量を倍増
ダブルデータレート (DDR)
クロックサイクルごとにデータが2回転送されるデータ転送モード
読み出し速度
データがメモリから読み出される速度 (単位: バイト毎秒)
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Terms of Art 2
その他のNORフラッシュメモリ用語
HyperBus™
サイプレスHyperBusインターフェース (12ピン)
高帯域幅の12信号インターフェースであり、ダブルデータレート (DDR) で8つの I/O信号
を介して情報を転送し、333MBpsの速度を実現
DQ0～DQ7
CS#
HyperFlash™
コントローラー
パラレルNORフラッシュメモリの1/3のピン数でQuad SPI NORフラッシュメモリよりも
高い帯域幅を提供するサイプレスNORフラッシュメモリ製品ファミリ
CK
CK#
メモリ
または
ペリフェラル
RWDS1
シリアルペリフェラルインターフェース (SPI)
組み込みシステムで使用する業界標準の少ピン数インターフェースであり、マスターとスレーブデバイス間の同時のデータ交換 (1サイクル
1ビットづつ) が可能
Quad SPI
業界標準の高速かつ少ピン数のインターフェースであり、SPIインターフェースの4線を同時に使用して高速なデータトランザクションを実現
ソフトエラー
自然放射線により生じるデータエラー
エラー訂正コード (ECC)
ビットエラーを検出し訂正するためにパリティビットが追加された符号化データ
1メガビット当たりの故障率 (FIT)
デバイスの予測故障率；1FIT/Mbは、10億のデバイス動作時間にわたって1メガビットのデータ当たりに1つの故障が発生するという意味
1 読み書きデータ
001-98728
Rev **
ストローブI/O
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Tech lead: MAMC
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Terms of Art 3
その他のNORフラッシュメモリ用語
ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)
電荷を保持するために絶えずリフレッシュされることが必要なストレージコンデンサに各データビットを格納する揮発性メモリ
HyperRAM™
HyperBusインターフェースを備えたセルフリフレッシュDRAM
プログラム／消去
NORフラッシュメモリセルの状態をそれぞれ「1」から「0」に、「0」から「1」に変更する動作
セクタ
連続アドレスを有するメモリ位置の物理ブロック (例: 256Mbメモリ内の256KBセクタ)
セクタ消去
プログラミングに先立ち、NORフラッシュメモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
チップ消去
プログラミングに先立ち、NORフラッシュメモリアレイ内の全メモリセルを消去する動作
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Terms of Art 4
最高性能システムには高速かつ少ピン数の
メモリが必須
幅広いセグメントでの最高性能が求められるシステムでは、可能な限り速くプログラムメモリとデータにアクセスできる
NORフラッシュメモリが必須
車載用
通信
車載用インストルメントクラスタ
Mercedes Benz社製
ルーター
シスコシステムズ社製
民生用
デジタル一眼レフカメラ
ニコン社製
これらのセグメントにあたるお客様は、以下の特長を有する高速かつ少ピン数NORフラッシュメモリを求めている:
即時起動2要件を満たすため、最速の起動時間1を実現する最高の読出し速度
パッケージサイズを縮小し、プリント基板コストを削減するための少ピン数インターフェース
高い信頼性、低いFIT/Mbレート
小さいパッケージに実装され、エアフローを低減したシステム向けの、高動作温度範囲
最高性能システムの設計者は少ピン数のNORフラッシュメモリを必要とする
1 NVMに格納された初期化命令の自動実行を完了するのにシステムが要する時間
2 電源投入の直後にユーザー入力が可能になっているシステムの即時使用可能性
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Market Vision 5
サイプレス: NORフラッシュ、SRAM、NVRAM市場
のNo. 1競合メーカーのメモリ製品ポートフォリオとの比較
製品カテゴリ
No. 1
NOR
フラッシュ
No. 1
SRAM
No. 1
NVRAM
サイプレス
HyperFlash™
1
競合メーカー
ISSI
Micron
東芝
Winbond Macronix 富士通


パラレルNORフラッシュ




シリアルNORフラッシュ




QDR®-IV同期SRAM

ECC2内蔵の非同期
SRAM


MicroPower SRAM


サイプレス製品の
性能上の利点
性能
最高読み出し速度
333MBps

最高読み出し帯域幅
最速プログラム／消去
102MBps

最高読み出し速度
最速プログラム／消去
160MBps

最高RTR (ランダム
トランザクションレート)
2.1GT/s

高信頼性
< 0.1FIT2
最低スタンバイ電流
1.5µA
最低スタンバイ電流
100µA
シリアルF-RAM™
4

パラレルnvSRAM5

最速NVRAM6
20ns

最大容量 NVRAM6
16GB
7
AGIGARAM®

サイプレスは、組み込みシステム向けの高性能メモリを最も幅広いポートフォリオで提供
パラレルNORフラッシュメモリの1/3のピン数でQuad SPI NORフラッシュメモリよりも高い帯域幅を提供
するサイプレスNORフラッシュメモリ製品ファミリ
2 エラー訂正コード
3 故障率 (10億時間)
4 強誘電体RAM
1
001-98728
Rev **
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Tech lead: MAMC
5 不揮発性SRAM
6 メモリ位置へ順不同で読み出す／書き込むために直接アクセスを可能にするNVM
Tech社製 (サイプレスの子会社) の不揮発性デュアルインラインメモリモジュール
(NVDIMM)、DRAMとして完全な不揮発性、速度、容量およびアクセス可能回数をもつ
7 AgigA
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Market Positioning 6
設計者が直面するNVMの問題
1. 最高性能を求められるシステムはプログラムメモリへのアクセスとして最速の読出し性能が必要
低い読出し速度はブート時間1を増やすだけでなく、動作中のCPU命令の実行速度を遅くする
従来の256Mb Quad SPI NORフラッシュメモリ製品の読出し速度は54MBps以下
2. また、システムコストを削減するために少ピン数インターフェース (< 25ピン) も必要
多ピン数インターフェースはプリント基板の追加の信号層を必要とし、コストを増加させる
従来の256MbパラレルNORフラッシュメモリは多くの制御とデータピンを備えた56ピンパッケージ (280mm2) を必要とする
3. 最高性能のシステムとして、高い信頼性が必要
< 1FITを必要とする高信頼性システムではシングルビットソフトエラーデータ破損は許容できない
従来の256Mb Quad SPI NORフラッシュメモリ製品はシングルビットソフトエラーを訂正するための内蔵ECCをサポートしない
4. 最高性能システムは、より高い温度範囲に対応しているコンポーネントを必要とする
小さいパッケージに実装された、エアフローの削減されたシステムには、より広い温度範囲で動作可能なコンポーネントが必要
従来の256Mb Quad SPI NORフラッシュメモリ製品は+85ºC～+105ºCでの動作に制限されている
サイプレスの256Mb HyperFlashは、以下の特長によってこれらの問題を解消:
最大166MHzと333MBpsの読み出し速度に対応したDDRモード
基板レイアウトを簡素化する、Quad SPIおよびDual Quad SPIと同じフットプリントを共有する少ピン数の48mm2、24ボールパッケージ
デバイスごとに < 0.1FITのFITレートを実現した内蔵ECC
-40ºC～+125ºCの拡張動作温度範囲
サイプレスは、業界最速、少ピン数、高信頼性、拡張温度範囲に対応した256Mb HyperFlashを、最高性能のシステム
向けとして提供
1 NVMに格納された命令の自動実行を完了するために、電源投入時にシステムが要する時間
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Design Problems 7
サイプレスのHyperFlash:
優れたソリューション
サイプレスのHyperFlash NORフラッシュ
メモリは業界の最高の読み出し速度を...
可能な限り少ピン数と組み合わせて...
読み出し速度 (MBps)
データ転送用のピン (ピン数)
最高性能のシステムを実現
車載用インストルメントクラスタ
Visteon社製
50
350
45
300
40
250
35
30
200
25
150
20
15
100
10
50
5
0
HyperFlash
1 256Mbパラレル
001-98728
Rev **
DDR
Quad
SPI
SPI
ページ
モード
パラレル
0
HyperFlash
DDR
Quad
SPI
SPI
ページ
モード
パラレル1
デバイスのピン数
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Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Cypress Solution 8
一般的な少ピン数フットプリント
適正なソリューション:
Single-Quad SPI NORフラッシュメモリ
ベストソリューション: HyperFlash™メモリ
RFU1
CS2# RESET#/ RFU1
RFU
SCK2
SCK1
VSS
VCC
RFU1
CK#5
CK5
VSS
VCC
RFU1
RFU1
VSS
CS1#
RFU1
IO2
RFU1
VSSQ
CS#6
RWDS7
DQ2
RFU1
RFU1
RFU1
IO1
IO0
IO3
IO4
VCCQ
DQ1
DQ0
DQ3
DQ4
IO7
IO6
IO5
VIO
VSS
DQ7
DQ6
DQ5
VCCQ
VSSQ
RFU1
RFU1 RESET#/ RFU1
RFU
RFU1
SCK
VSS
VCC
RFU1
RFU1
CS#
RFU3
IO2
RFU1
IO1
IO0
IO3
RFU1
RFU1
RFU1 VIO/RFU RFU1
80MBps、128Mb～1Gb
より優れたソリューション:
Dual-Quad SPI NORフラッシュメモリ
160MBps、256Mb～1Gb
RSTO#2 RFU1 RESET#4 INT#3
333MBps、128Mb～512Mb
データトランザクションに必要なピン:
Single Quad SPIに必要なピン
Dual-Quad SPIに必要な追加のピン
HyperFlashに必要な追加のピン
サイプレスのHyperFlash NORフラッシュメモリは同じパッケージフットプリントで拡張可能な性能および容量を提供
将来の使用のために予約済み；現時点ではパッケージコネクタに接続しているデバイス信号
はないが、将来コネクタに信号が接続する可能性がある
2 RSTO#: リセット出力；オプションのピンで、データトランザクションには必要ない
3 INT#: 割り込み出力；オプションのピンで、データトランザクションには必要ない
1 RFU:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
RESET#: ハードウェアリセット；オプションのピンで、データトランザクションには必要ない
差動クロックペア
6 CS#: チップセレクト
7 RWDS: 読み書きデータストローブI/O
4
5 CK/CK#:
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Cypress Solution 9
サイプレス1.8V 256Mb (KS256S)
HyperFlashメモリと他社製品との比較
機能
S26KS256S
S25FS256S
N25Q256A
MX25U25635F
インターフェース
HyperBus
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
I/Oピン数
8
4
4
4
クロックレート (DDR)
166MHz
80MHz
54MHz
非対応
読み出しDDR速度 (Max)
333MBps
80MBps1
54MBps1
非対応
プログラム時間 (512B)2
0.475ms
0.475ms
1.0ms3
2.0ms3
セクタ消去時間 (256KB)2
930ms
930ms
1400ms4
1600ms4
チップ消去時間2
110s
120s
240s
200s
温度範囲
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+85ºC
-40ºC～+85ºC
DDRクロックレートで計算
25ºC、VCC 3.0V、100kの最小アクセス回数
3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム時間は2つの256Bプログラム動作で計算
4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算
1
2 条件:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Competitive Comparison 10
サイプレス1.8V 256Mb (KS256S)
HyperFlashメモリ
アプリケーション
ブロック図
先進運転支援システム (ADAS)
車載用インストルメントクラスタ
車載用インフォテインメント
通信機器
最高性能の民生製品
1.8V 256Mb HyperFlashメモリ
DQ0～
DQ7 8
組込み
電圧制御
CS#
Hyper–
Bus
特長
動作電圧範囲: 1.70V～1.95V
100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min)
+55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ)
初期アクセス時間: 96ns4
クロックレート: 166MHz、333MBpsの読み出し速度
プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ)
セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ)
内蔵ECC: シングルビットソフトエラー5訂正
産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC
産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC
拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC
パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm
Xデコーダー
CK
CK#
RWDS8
I/O
Yデコーダー
制御
ロジック
RESET#9
25
256
RSTO11
出荷予定
データシート: S26KS256S
サンプル出荷: 2015年9月
量産:
2015年10月
自然放射線により生じるデータエラー
1 NORフラッシュ
5
2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ
6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
データパス
INT#10
資料
メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作
メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
3 NORフラッシュメモリセクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数
4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データバイトがクロックエッジごとに転送される。
166MHzでは、連続データレートは333MBps
アレイ
(Min)
7 ボール
グリッドアレイ (BGA) は1mmボールピッチに対応
8 読み書きデータストローブI/O
9 ハードウェアリセット；データトランザクションに必要信号ではない
10 割り込み出力；データトランザクションに必要信号ではない
11 リセット出力；データトランザクションに必要信号ではない
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Overview 11
HyperFlashおよびHyperRAM
ポートフォリオ
HyperFlash
S26KS-S1
65nm、1.8V
HyperFlash
S26KL-S1
65nm、3.0V
HyperRAM
S27KS-12
63nm、1.8V
HyperRAM
S27KL-12
63nm、3.0V
64～128Mb
≥ 256Mb
メモリ容量
初期アクセス／DDRクロック
* 温度範囲
1Gb3
96ns／166MHz
* I、A、V、B、N、M
Q315
512Mb
96ns／166MHz
* I、A、V、B、N4、M4
Q315
512Mb
96ns／100MHz
* I、A、V、B、N4、M4
512Mb3
要営業問合せ
512Mb3
要営業問合せ
Q415
256Mb
96ns／166MHz
* I、A、V、B、N4、M4
Q315
256Mb
96ns／100MHz
* I、A、V、B、N4、M4
256Mb3
要営業問合せ
256Mb3
要営業問合せ
Q315
128Mb
96ns／166MHz
* I、A、V、B、N4、M4
Q315
128Mb
96ns／100MHz
* I、A、V、B、N4、M4
128Mb
要営業問合せ
128Mb
要営業問合せ
Q415
64Mb
36ns／166MHz
* I、A、V、B
* C = 民生用: -0ºC～+70ºC
I = 産業用: -40ºC～+85ºC
A = 産業用、AEC-Q100: -40ºC～+85ºC
V = 産業用拡張範囲: -40ºC～+105ºC
B = 産業用拡張範囲、AEC-Q100: -40ºC～+105ºC
001-98728
Rev **
1Gb3
96ns／100MHz
* I、A、V、B、N、M
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
N = 拡張温度範囲: -40ºC～+125ºC
M = 拡張温度範囲、AEC-Q100: -40ºC～+125ºC
1 S26 = HyperFlash
2 S27 = HyperRAM
3 S70シリーズ (ダイスタック製品)
4 要営業問合せ
状況
出荷予定
EOL (廃止予定)
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Q315
64Mb
36ns／100MHz
* I、A、V、B
量産中
サンプル出荷
QQYY
QQYY
開発中
企画中
QQYY
Roadmap 12
さあ、始めてみましょう！
1. データシートをダウンロード: サイプレスKL/KSデータシート
2. アプリケーションノートをダウンロード: HyperFlashのプログラマガイド
3. 詳細については、営業担当者までお問い合わせください
車載用インフォテインメントシステム
Hyundai社製
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
スイッチ
シスコ社製
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Getting Started 13
付録
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Appendix 14
付録の目次
スライド
トピック
内容
16
参考資料およびリンク
主要なドキュメントへのリンク
17
1.8V 128Mb (KS128S) 製品概要
1.8V 128Mb部品の製品概要
18
3V 128Mb (KL128S) 製品概要
3V 128Mb部品の製品概要
19
3V 256Mb (KL256S) 製品概要
3V 256Mb部品の製品概要
20
1.8V 512Mb (KS512S) 製品概要
1.8V 512Mb部品の製品概要
21
3V 512Mb (KL512S) 製品概要
3V 512Mb部品の製品概要
22
製品セレクタガイド
NORフラッシュメモリファミリの製品番号を解説
23
1.8V 128Mbと競合製品との比較スライド
1.8V 128Mb部品の競合製品との比較
24
3V 128Mbと競合製品との比較スライド
3V 128Mb部品の競合製品との比較
25
3V 256Mbと競合製品との比較スライド
3V 256Mb部品の競合製品との比較
26
1.8V 512Mbと競合製品との比較スライド
1.8V 512Mb部品の競合製品との比較
27
3V 512Mbと競合製品との比較スライド
3V 512Mb部品の競合製品との比較
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
15
参考資料およびリンク
S26KL/KS-Sデータシート: サイプレスKL/KSデータシート
アプリケーションノート: HyperFlashのプログラマガイド
ウェブサイト: KL/KSウェブサイト
デザインモデル: 営業までお問い合わせください
設計期間短縮に貢献するドライバーおよびソフトウェア: ドライバーおよびソフトウェア
ハードウェア開発ツール: 営業までお問い合わせください
製品セレクタガイド: フラッシュ製品セレクタガイド
製品ロードマップ: HyperFlashポートフォリオ
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
References and Links 16
サイプレス1.8V 128Mb (KS128S)
HyperFlash メモリ
アプリケーション
ブロック図
先進運転支援システム (ADAS)
車載用インストルメントクラスタ
車載用インフォテインメント
通信機器
最高性能の民生製品
1.8V 128Mb HyperFlash メモリ
DQ0～
DQ7 8
組込み
電圧制御
CS#
Hyper–
Bus
特長
動作電圧範囲: 1.70V～1.95V
100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min)
+55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ)
初期アクセス時間: 96ns4
クロックレート: 166MHz、333MBpsの読み出し速度
プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ)
セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ)
内蔵ECC: シングルビットソフトエラー5訂正
産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC
産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC
拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC
パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm
Xデコーダー
CK
CK#
RWDS8
I/O
Yデコーダー
制御
ロジック
RESET#9
24
256
RSTO11
出荷予定
データシート: S26KS128S
サンプル出荷: 2015年8月
量産:
2015年10月
自然放射線により生じるデータエラー
1 NORフラッシュ
5
2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ
6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
データパス
INT#10
資料
メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作
メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
3 NORフラッシュメモリセクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数
4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データバイトがクロックエッジごとに転送される。
166MHzでは、連続データレートは333MBps
アレイ
(Min)
7 ボール
グリッドアレイ (BGA) は1mmボールピッチに対応
8 読み書きデータストローブI/O
9 ハードウェアリセット；データトランザクションに必要信号ではない
10 割り込み出力；データトランザクションに必要信号ではない
11 リセット出力；データトランザクションに必要信号ではない
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Overview 17
サイプレス3V 128Mb (KL128S)
HyperFlashメモリ
アプリケーション
ブロック図
先進運転支援システム (ADAS)
車載用インストルメントクラスタ
車載用インフォテインメント
通信機器
最高性能の民生製品
3V 128Mb HyperFlashメモリ
DQ0～
DQ7 8
組込み
電圧制御
CS#
Hyper–
Bus
特長
動作電圧範囲: 2.7V～3.6V
100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min)
+55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ)
初期アクセス時間: 96ns4
クロックレート: 100MHz、200MBpsの読み出し速度
プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ)
セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ)
内蔵ECC: シングルビットソフトエラー5訂正
産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC
産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC
拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC
パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm
Xデコーダー
CK
RWDS8
I/O
Yデコーダー
制御
ロジック
RESET#9
24
256
RSTO11
出荷予定
データシート: S26KL128S
サンプル出荷: 2015年7月
量産:
2015年9月
自然放射線により生じるデータエラー
1 NORフラッシュ
5
2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ
6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
データパス
INT#10
資料
メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作
メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
3 NORフラッシュメモリセクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数
4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データバイトがクロックエッジごとに転送される。
100MHzでは、連続データレートは200MBps
アレイ
(Min)
7 ボール
グリッドアレイ (BGA) は1mmボールピッチに対応
8 読み書きデータストローブI/O
9 ハードウェアリセット；データトランザクションに必要信号ではない
10 割り込み出力；データトランザクションに必要信号ではない
11 リセット出力；データトランザクションに必要信号ではない
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Overview 18
サイプレス3V 256Mb (KL256S)
HyperFlashメモリ
アプリケーション
ブロック図
先進運転支援システム (ADAS)
車載用インストルメントクラスタ
車載用インフォテインメント
通信機器
最高性能の民生製品
3V 256Mb HyperFlashメモリ
DQ0～
DQ7 8
組込み
電圧制御
CS#
Hyper–
Bus
特長
動作電圧範囲: 2.7V～3.6V
100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min)
+55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ)
初期アクセス時間: 96ns4
クロックレート: 100MHz、200MBpsの読み出し速度
プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ)
セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ)
内蔵ECC: シングルビットソフトエラー5訂正
産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC
産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC
産業用拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC
パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm
Xデコーダー
CK
RWDS8
I/O
Yデコーダー
制御
ロジック
RESET#9
25
256
RSTO11
出荷予定
データシート: S26KL256S
サンプル出荷: 現在
量産:
2015年9月
自然放射線により生じるデータエラー
1 NORフラッシュ
5
2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ
6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
データパス
INT#10
資料
メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作
メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
3 NORフラッシュメモリセクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数
4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データバイトがクロックエッジごとに転送される。
100MHzでは、連続データレートは200MBps
アレイ
(Min)
7 ボール
グリッドアレイ (BGA) は1mmボールピッチに対応
8 読み書きデータストローブI/O
9 ハードウェアリセット；データトランザクションに必要信号ではない
10 割り込み出力；データトランザクションに必要信号ではない
11 リセット出力；データトランザクションに必要信号ではない
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Overview 19
サイプレス1.8V 512Mb (KS512S)
HyperFlashメモリ
アプリケーション
ブロック図
先進運転支援システム (ADAS)
車載用インストルメントクラスタ
車載用インフォテインメント
通信機器
最高性能の民生製品
1.8V 512Mb HyperFlashメモリ
DQ0～
DQ7 8
組込み
電圧制御
CS#
Hyper–
Bus
特長
動作電圧範囲: 1.70V～1.95V
100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min)
+55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ)
初期アクセス時間: 96ns4
クロックレート: 166MHz、333MBpsの読み出し速度
プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ)
セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ)
内蔵ECC: シングルビットソフトエラー5訂正
産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC
産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC
拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC
パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm
Xデコーダー
CK
CK#
RWDS8
I/O
Yデコーダー
制御
ロジック
RESET#9
26
256
RSTO11
出荷予定
データシート: S26KS512S
サンプル出荷: 現在
量産:
2015年9月
自然放射線により生じるデータ誤り
1 NORフラッシュ
5
2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ
6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
データパス
INT#10
資料
メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作
メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
3 NORフラッシュメモリセクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数
4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データバイトがクロックエッジごとに転送される。
166MHzでは、連続データレートは333MBps
アレイ
(Min)
7 ボール
グリッドアレイ (BGA) は1mmボールピッチに対応
8 読み書きデータストローブI/O
9 ハードウェアリセット；データトランザクションに必要信号ではない
10 割り込み出力；データトランザクションに必要信号ではない
11 リセット出力；データトランザクションに必要信号ではない
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Overview 20
サイプレス3V 512Mb (KL512S)
HyperFlashメモリ
アプリケーション
ブロック図
先進運転支援システム (ADAS)
車載用インストルメントクラスタ
車載用インフォテインメント
通信機器
最高性能の民生製品
3V 512Mb HyperFlashメモリ
DQ0～
DQ7 8
組込み
電圧制御
CS#
Hyper–
Bus
特長
動作電圧範囲: 2.7V～3.6V
100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min)
+55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ)
初期アクセス時間: 96ns4
クロックレート: 100MHz、200MBpsの読み出し速度
プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ)
セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ)
内蔵ECC: シングルビットソフトエラー5訂正
産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC
産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC
拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC
パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm
Xデコーダー
CK
RWDS8
I/O
Yデコーダー
制御
ロジック
RESET#9
26
256
RSTO11
出荷予定
データシート: S26KL512S
サンプル出荷: 現在
量産:
2015年9月
自然放射線により生じるデータ誤り
1 NORフラッシュ
5
2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ
6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
データパス
INT#10
資料
メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作
メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作
3 NORフラッシュメモリセクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数
4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データバイトがクロックエッジごとに転送される。
100MHzでは、連続データレートは200MBps
アレイ
(Min)
7 ボール
グリッドアレイ (BGA) は1mmボールピッチに対応
8 読み書きデータストローブI/O
9 ハードウェアリセット；データトランザクションに必要信号ではない
10 割り込み出力；データトランザクションに必要信号ではない
11 リセット出力；データトランザクションに必要信号ではない
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Overview 21
HyperFlashメモリ
製品セレクタガイド
S26KL/KS-S製品番号解説
S
26XX
YYY
S
DA
B
H
I
02
0
パッケージタイプ: 0 = トレイ
3 = 13″テープ & リール
モデル番号: 02 = 24ボールBGA、1mm高さ
03 = DDR中央揃え読み出しストローブ、
24ボールBGA、1mm高さ
温度範囲: I = 産業用 (-40ºC～+85ºC)
V = 産業用拡張 (-40ºC～+105ºC)
N = 拡張 (-40ºC～+125ºC)
パッケージ材料: H = ローハロゲン
パッケージタイプ: B = BGA 6x8mm、1.0mmピッチ
性能: DA = 100MHz
DG = 133MHz
DP = 166MHz
技術: S = 65nm MirrorBitプロセス技術
容量: YYY = 128 128Mb
YYY = 256 256Mb
YYY = 512 512Mb
デバイスファミリ: XX = KL 3.0V HyperFlashメモリ
XX = KS 1.8V HyperFlashメモリ
スパンション
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Product Selector Guide 22
サイプレス1.8V 128Mb (KS128S)
HyperFlashメモリと他社製品との比較
機能
S26KS128S
S25FS128S
N25Q128A13
W25Q128FW
MX25U12835F
インターフェース
HyperBus
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
I/Oピン数
8
4
4
4
4
クロックレート (DDR)
166MHz
80MHz
非対応
非対応
非対応
読み出しDDR速度 (Max)
333MBps
80MBps1
非対応
非対応
非対応
プログラム時間 (512B)2
0.475ms
0.475ms
1.0ms3
1.4ms3
1.0ms3
セクタ消去時間 (256KB)2
930ms
930ms
2,800ms4
600ms4
1,400ms4
チップ消去時間2
55s
60s
120s
40s
100s
温度範囲
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+85ºC
-40ºC～+85ºC
レートで計算
25ºC、VCC 3.0V、100kの最小アクセス回数
3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム時間は2つの256Bプログラム動作で計算
4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算
1 QIOによるDDRクロック
2 条件:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Competitive Comparison 23
サイプレス3V 128Mb (KL128S)
HyperFlashメモリと他社製品との比較
機能
S26KL128S
S25FL128S
N25Q128A13
W25Q128FV
MX25L12835F
インターフェース
HyperBus
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
I/Oピン数
8
4
4
4
4
クロックレート (DDR)
100MHz
80MHz
非対応
非対応
非対応
読み出しDDR速度 (Max)
200MBps
80MBps1
非対応
非対応
非対応
プログラム時間 (512B)2
0.475ms
0.340 ms
1.0ms3
1.4ms3
1.0ms3
セクタ消去時間 (256KB)2
930ms
520ms
2,800ms4
600ms4
1,120ms4
チップ消去時間2
55s
33s
170s
40s
50s
温度範囲
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+85ºC
-40ºC～+85ºC
レートで計算
25ºC、VCC 3.0V、100kの標準アクセス回数
3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム時間は2つの256Bプログラム動作で計算
4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算
1 QIOによるDDRクロック
2 条件:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Competitive Comparison 24
サイプレス3V 256Mb (KL256S)
HyperFlashメモリと他社製品との比較
機能
S26KL256S
S79FL256S
S25FL256S
N25Q256A13
インターフェース
HyperBus
Dual-Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
I/Oピン数
8
8
4
4
クロックレート (DDR)
100MHz
80MHz
80MHz
54MHz
読み出しDDR速度 (Max)
200MBps
160MBps1
80MBps1
54MBps1
プログラム時間 (512B)2
0.475ms
0.25ms
0.5ms
1.0ms3
セクタ消去時間 (256KB)2
930ms
520ms
520ms
2,800ms4
チップ消去時間2
110s
33s
66s
240s
温度範囲
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+125ºC
レートで計算
25ºC、VCC 3.0V、100kの標準アクセス回数
3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム時間は2つの256Bプログラム動作で計算
4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算
1 QIOによるDDRクロック
2 条件:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Competitive Comparison 25
サイプレス1.8V 512Mb (KS512S)
HyperFlashメモリと他社製品との比較
機能
S26KS512S
S25FS512S
MT25QU512AB
MX66U51235F
インターフェース
HyperBus
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
I/Oピン数
8
4
4
4
クロックレート (DDR)
166MHz
80MHz
66MHz
非対応
読み出しDDR速度 (Max)
333MBps
80MBps1
67MBps1
非対応
プログラム時間 (512B)2
0.475ms
0.475ms
0.4ms3
2.0ms3
セクタ消去時間 (256KB)2
930ms
930ms
600ms4
1,600ms4
チップ消去時間2
220s
220s
153s
200s
温度範囲
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+85ºC
レートで計算
25ºC、VCC 3.0V、100kの最小アクセス回数
3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム時間は2つの256Bプログラム動作で計算
4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算
1 QIOによるDDRクロック
2 条件:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Competitive Comparison 26
サイプレス3V 512Mb (KL512S)
HyperFlashメモリと他社製品との比較
機能
S26KL512S
S79FL512S
S25FL512S
MT25QL512AB MX25L51245F
インターフェース
HyperBus
Dual-Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
Quad SPI
I/Oピン数
8
8
4
4
4
クロックレート (DDR)
100MHz
80MHz
80MHz
66MHz
100MHz
読み出しDDR速度 (Max)
200MBps
160MBps1
80MBps1
67MBps1
100MBps1
プログラム時間 (512B)2
0.475ms
0.25ms
0.34ms
0.4ms3
0.5ms3
セクタ消去時間 (256KB)2
930ms
520ms
520ms
600ms4
1,120ms4
チップ消去時間2
220s
66s
103s
153s
200s
温度範囲
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+125ºC
-40ºC～+105ºC
-40ºC～+85ºC
レートで計算
25ºC、VCC 3.0V、100kの標準アクセス回数
3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム時間は2つの256Bプログラム動作で計算
4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算
1 QIOによるDDRクロック
2 条件:
001-98728
Rev **
Owner: RYSU/HIIN
Tech lead: MAMC
128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ新製品のご紹介 (エンジニアリング)
Competitive Comparison 27

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