BAS16, BAW56, BAV70, BAV99 BAS16, BAW56, BAV70

BAS16, BAW56, BAV70, BAV99
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99
IFAV = 215 mA
VF1 < 0.715 V
Tjmax = 150°C
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
VRRM = 85 V
IFSM = 2 A
trr
< 4 ns
Version 2016-06-29
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade 1)
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
1
1.3±0.1
Type
Code
RoHS
Mechanical Data 1)
2
1.9
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Pb
EE
WE
2.4 ±0.2
3
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EL
V
SOT-23
(TO-236)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
±0.1
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BAS16
BAV70
3
Type
Code
5D
Single
Diode
1
2
3
Type
Code
A4
Common
Cathode
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAW56
BAV99
3
Type
Code
A1
Common
Anode
1
2
3
Type
Code
A7
Series
Connection
1
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
2
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Ptot
350 mW 3)
IFAV
IFAV
215 mA 3)
125 mA 3)
IFRM
300 mA 3)
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1A
2A
VRRM
VRRM
85 V
100 V
Reverse voltage – Sperrspannung (dc)
VR
75 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
TA = 25°C
single diode loaded – eine Diode belastet
both diodes loaded – beide Dioden belastet
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1
2
3
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
BAS16, BAW56, BAV99
BAV70
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C and per diode, unless otherwise specified – Tj = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage )
Durchlass-Spannung
IF =
IF =
IF =
IF =
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current 1)
Sperrstrom
VR = 25 V
IR
< 30 nA
BAS16, BAW56, BAV99 VR = 75 V
BAV70 VR = 75 V
IR
IR
< 1.0 µA
< 2.5 µA
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
< 2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
RthA
< 400 K/W 2)
1
Tj = 150°C
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VR = 25 V
VR = 75 V
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
10-4
[°C]
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG

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